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通過半導(dǎo)體級的精密制造工藝,Dalicap實(shí)現(xiàn)了對介質(zhì)層厚度和電極結(jié)構(gòu)的納米級控制。其介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,保證了每一批產(chǎn)品都具有極高的一致性和重復(fù)性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達(dá)、多通道通信系統(tǒng)等應(yīng)用而言,確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定,減少了后期校準(zhǔn)的復(fù)雜度。高耐壓能力是Dalicap產(chǎn)品的另一亮點(diǎn)。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計(jì)和介質(zhì)層均勻化處理,有效消除了電場集中效應(yīng),從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這種穩(wěn)健的耐壓性能,使其在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、新能源汽車電控系統(tǒng)、醫(yī)療X光設(shè)備等高能應(yīng)用中,成為保障系統(tǒng)安全、防止短路失效的關(guān)鍵元件。廣泛應(yīng)用于UPS不同斷電源中,提供能量儲備。DLC70G390JAR802XC

Dalicap的市場地位明顯,根據(jù)《2023年版中國MLCC市場競爭研究報(bào)告》,其2022年在全球射頻微波MLCC市場中占有率位列全球第五、很好,成為國內(nèi)該領(lǐng)域的靠前,并且是少數(shù)能參與國際競爭、打破國外巨頭壟斷的中國企業(yè)。公司客戶遍及全球,產(chǎn)品遠(yuǎn)銷美國、日本、歐洲等40多個國家和地區(qū),服務(wù)千余家客戶,成為了西門子、通用電氣、安捷倫、飛利浦、三星等全球有名企業(yè)的很好供應(yīng)商,這充分證明了其產(chǎn)品性能和質(zhì)量已獲得國際市場的寬泛認(rèn)可。DLC70E0R8BW362XT技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)驗(yàn)豐富,能為客戶提供專業(yè)應(yīng)用建議。

Dalicap電容表現(xiàn)出的高溫性能。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)能夠承受高達(dá)+200°C甚至+250°C的持續(xù)工作溫度,而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優(yōu)異水平。這使得它們能夠被直接安裝在汽車發(fā)動機(jī)控制單元(ECU)、渦輪增壓器附近等高溫區(qū)域,無需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng),簡化了設(shè)計(jì)并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。極低的電介質(zhì)吸收(Dielectric Absorption, DA) 特性使其在精密模擬電路中表現(xiàn)出色。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”,會在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓。Dalicap電容的DA典型值可低至0.1%,遠(yuǎn)低于普通陶瓷電容,這使其成為構(gòu)建高精度采樣保持電路(SHA)、積分器和精密ADC/DAC的理想選擇,有效避免了測量誤差。
Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料,通過獨(dú)特的配方和燒結(jié)工藝,實(shí)現(xiàn)了極高的介電常數(shù)和穩(wěn)定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達(dá)200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產(chǎn)品甚至能在+250℃高溫下穩(wěn)定運(yùn)行。這種寬泛的參數(shù)范圍使其能夠適應(yīng)從消費(fèi)電子到航空航天等極端環(huán)境的電路需求,為設(shè)計(jì)師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL) 是Dalicap電容的重點(diǎn)優(yōu)勢之一。通過三維多層電極設(shè)計(jì)和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),其ESR值可低至毫歐姆級別,ESL降至pH級別,從而將自諧振頻率(SRF)推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關(guān)電源和射頻功率放大器中至關(guān)重要,能明顯降低能量損耗和熱效應(yīng),提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。 詳細(xì)的技術(shù)文檔為工程師選型和設(shè)計(jì)提供有力支持。

Dalicap電容的高耐壓特性使其能夠承受較高的工作電壓,確保電路的安全運(yùn)行。其介質(zhì)材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)經(jīng)過優(yōu)化,提供了高擊穿電壓和低泄漏電流,避免了在高電壓應(yīng)用中的失效風(fēng)險(xiǎn),適用于工業(yè)控制和電力系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣計(jì)算設(shè)備中,Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設(shè)計(jì)要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節(jié)點(diǎn)和通信模塊節(jié)省了寶貴空間,低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命。Dalicap電容的快速響應(yīng)能力使其能夠?yàn)楣臄?shù)百瓦的CPU/GSIC提供瞬時的大電流響應(yīng),將電源平面阻抗控制在目標(biāo)范圍內(nèi),防止芯片因瞬時負(fù)載變化而產(chǎn)生的電壓塌陷,保障了高性能計(jì)算(HPC)和人工智能(AI)加速器的穩(wěn)定運(yùn)行。提供不同尺寸和容量選擇,滿足多樣化電路設(shè)計(jì)需求。DLC70E0R8BW362XT
具備優(yōu)異的高溫性能,可在105℃高溫下長時間穩(wěn)定工作。DLC70G390JAR802XC
Dalicap電容展現(xiàn)出很好的容值穩(wěn)定性,其采用的C0G(NP0)介質(zhì)材料具有極低的溫度系數(shù)(TCC),典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi),容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律,每十年變化小于1%,表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性,這對于需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用尤為重要。高Q值(品質(zhì)因數(shù))特性是Dalicap電容在射頻電路中的立身之本。其Q值通常在數(shù)千量級,遠(yuǎn)高于普通MLCC,這使得由其構(gòu)建的諧振電路和濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力。在基站濾波器、低相位噪聲振蕩器等應(yīng)用中,高Q值確保了信號的高純凈度和頻率穩(wěn)定性,降低了系統(tǒng)誤碼率。DLC70G390JAR802XC
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