產品系列中包括具有三明治結構及定制化電極設計的型號,可實現極低的ESL和ESR,用于高速數字電路的電源分配網絡(PDN)中能有效抑制同步開關噪聲,提升處理器和FPGA的運行穩定性。在抗輻射性能方面,部分宇航級ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射,滿足低地球軌道和深空探測任務的需求,適用于衛星有效載荷、航天器控制系統及核電站電子設備。其端電極采用可焊性優異的鍍層結構,與SnAgCu等無鉛焊料兼容性好,在回流焊和波峰焊過程中不易產生虛焊或冷焊,提高了生產直通率和長期連接可靠性。通過調整介質配方和燒結工藝,ATC可提供具有特定溫度-容量曲線的電容,用于溫度補償電路和傳感器中的線性校正元件,實現環境溫度變化的自適應補償。綜合性能好,成為很好的電子系統設計的選擇元件。116XCA5R1D100TT

雖然單顆ATC100B系列電容價格是普通電容的8-10倍(2023年市場報價$18.5/顆),但在5G基站功率放大器模塊中,其平均無故障時間(MTBF)達25萬小時,超過設備廠商10年設計壽命要求。華為的實測數據顯示,采用ATC電容的AAU模塊10年運維成本降低37%,主要得益于故障率從3‰降至0.05‰。愛立信的TCO分析報告指出,考慮到減少基站斷電導致的營收損失(約$1500/小時/站),采用高可靠性電容的ROI周期可縮短至14個月。在風電變流器等工業場景中,因減少停機檢修帶來的年化收益更高達$12萬/臺。116YA1R8C100TT寬頻帶內保持穩定容值特性,適合寬帶射頻系統應用。

ATC芯片電容的容值穩定性是其另一大優勢。相比于傳統MLCC(多層陶瓷電容),其容值隨溫度、偏壓和老化特性的漂移極小,通常不到MLCC的1/10。這得益于其采用的特殊材料(如C0G/NP0介質)和半導體級工藝,使得電容在不同溫度和頻率下容值變化微小,提供了極高的可靠性。這種穩定性在精密電路(如醫療設備和通信基礎設施)中至關重要,確保了長期使用中的性能一致性。尺寸小巧是ATC芯片電容的明顯特點之一。其封裝形式多樣,包括0402(1.6mm×1.6mm)等超小尺寸,適用于高密度集成電路和微型電子設備。這種小型化設計不僅節省了電路板空間,還提高了系統的集成度和性能,特別適合現代電子產品輕薄化的趨勢。例如,在可穿戴設備和便攜式通信設備中,這種小尺寸電容使得設計更加靈活,同時保持了高性能。
ATC芯片電容在高頻應用中的低損耗特性使其成為射頻和微波電路的理想選擇。其損耗因數(DF)低于2.5%,在高頻范圍內仍能保持低能耗和高效率,明顯降低了電路的發熱和能量損失。這一特性在5G基站、雷達系統和高速通信設備中尤為重要,確保了信號傳輸的純凈性和整體系統的能效。通過半導體級工藝制造,ATC芯片電容實現了極高的精度和一致性。其容值公差可控制在±10%甚至更窄的范圍,滿足了精密電路對元件參數的高要求。這種精度在匹配網絡、濾波器和振蕩器等應用中至關重要,確保了電路的預期性能和可靠性。在阻抗匹配網絡中提供精確的容值控制,優化功率傳輸。

ATC芯片電容的制造過程秉承了半導體級別的精密工藝。從納米級陶瓷粉末的制備、流延成膜的厚度控制,到電極圖案的精細印刷和層壓對位,每一步都處于微米級的精度控制之下。這種近乎苛刻的工藝要求,保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統等應用而言,這種批次內和批次間的高度一致性,確保了系統性能的均一與穩定,減少了后期校準的復雜度。很好的可靠性源于ATC芯片電容很全的質量體系和rigorous的測試標準。完全無壓電效應,杜絕嘯叫現象,適合高保真音頻應用。100C560JW2500X
采用端電極銀鈀合金鍍層,實現優異的可焊性同時有效抑制硫化現象的發生。116XCA5R1D100TT
出色的抗老化特性是ATC電容長期性能穩定的保證。其介質材料的微觀結構在經過初始老化后趨于極度穩定,容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數衰減規律。這意味著,一臺使用了ATC電容的設備,在其十年甚至二十年的使用壽命內,其關鍵電路的參數漂移將被控制在極小的范圍內。這種長期穩定性對于電信基礎設施、工業控制儀表和測試測量設備等長生命周期產品而言,價值巨大。極低的電介質吸收(DielectricAbsorption,DA)是ATC電容在精密模擬電路中的一項隱性優勢。DA效應猶如電容的“記憶效應”,會在快速充放電后產生殘余電壓,導致采樣保持電路(SHA)、積分器或精密ADC/DAC的測量誤差。ATC電容的DA典型值可低至0.1%,遠低于普通陶瓷電容(可達2-5%),這使其成為構建高精度、低誤差數據采集系統和測量儀器的理想選擇。116XCA5R1D100TT
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