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國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術壁壘，實現復雜結構產品量產能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯動機床制造螺紋斜孔等復雜結構，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經真空焊接工藝與基體緊密結合，熱效率達 90%，升溫速率 25℃...

國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復合結構，表面粗糙度Ra小于0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷！加熱面劃分6個**溫控區域，通過仿真優化的加熱元件布局，使溫度均勻性達±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導致的光刻膠膜厚...

國瑞熱控封裝測試**加熱盤聚焦半導體后道工藝需求，采用輕量化鋁合金材質，通過精密加工確保加熱面平整度誤差小于0.05mm，適配不同尺寸封裝器件的測試需求！加熱元件采用片狀分布設計，熱響應速度快，可在5分鐘內將測試溫度穩定在-40℃至150℃之間，滿足高低溫循環...

針對碳化硅襯底生長的高溫需求，國瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區布局技術，**溫度梯度可控性差的行業難題！加熱盤主體選用耐高溫石墨基材，表面噴涂碳化硅涂層，在2200℃高溫下仍保持結構穩定，熱導率達180W/mK，適配PVT法、TSSG法等主流生長工藝！內部劃...

國瑞熱控依托 10 余年半導體加熱盤研發經驗，提供全流程定制化研發服務，滿足客戶特殊工藝需求。服務流程涵蓋需求分析、方案設計、原型制作、性能測試、批量生產五大環節，可根據客戶提供的工藝參數（溫度范圍、控溫精度、尺寸規格、環境要求等），定制特殊材質（如高純石墨、...

國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術壁壘，實現復雜結構產品量產能力！采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯動機床制造螺紋斜孔等復雜結構，加熱面粗糙度Ra小于0.1μm！內置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經真空焊接工藝與基體緊密結合，熱效率達90%，升溫速率25℃/分鐘，工...

針對半導體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質，經電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長期浸泡無腐蝕！加熱盤內置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風險，同時具備1500V/1min的電氣強度，使用安全可靠！通過底部加熱與側...

國瑞熱控半導體封裝加熱盤，聚焦芯片封裝環節的加熱需求，為鍵合、塑封等工藝提供穩定熱源。采用鋁合金與云母復合結構，兼具輕質特性與優良絕緣性能，加熱面功率密度可根據封裝規格調整，比較高達 2W/CM2。通過優化加熱元件排布，使封裝區域溫度均勻性達 95% 以上，確...

國瑞熱控建立半導體加熱盤全生命周期服務體系，為客戶提供從選型咨詢到報廢回收的全流程支持！售前提供工藝適配咨詢，結合客戶制程需求推薦合適型號或定制方案；售中提供安裝調試指導，確保加熱盤與設備精細對接，且提供操作培訓服務；售后提供7×24小時技術支持，設備故障響應...

國瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導體刻蝕環節的精細溫控設計，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題。產品采用藍寶石覆層與鋁合金基體復合結構，表面經拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷。加熱盤與靜電卡盤協同適配，通過底部導熱紋路優化，使熱量...

國瑞熱控封裝測試**加熱盤聚焦半導體后道工藝需求，采用輕量化鋁合金材質，通過精密加工確保加熱面平整度誤差小于0.05mm，適配不同尺寸封裝器件的測試需求！加熱元件采用片狀分布設計，熱響應速度快，可在5分鐘內將測試溫度穩定在-40℃至150℃之間，滿足高低溫循環...

針對等離子體刻蝕環境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍寶石覆層與氮化鋁基底的復合結構，表面硬度達莫氏 9 級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落。加熱盤內部嵌入鉬制加熱絲，經后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至 500℃，控溫精...

國瑞熱控潔凈型陶瓷加熱板專為半導體潔凈室環境設計，采用無顆粒脫落的陶瓷材質與密封工藝，表面潔凈度達 Class 1 級，符合半導體行業的嚴格潔凈要求。其工作原理是厚膜發熱層通電后均勻發熱，陶瓷基體具備良好的化學穩定性，不產生揮發物，避免污染晶圓與設備。產品比較高...

國瑞熱控 12 英寸半導體加熱盤專為先進制程量產需求設計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內部采用分區式加熱元件布局，劃分 8 個**溫控區域，配合高精度鉑...

借鑒空間站 “雙波長激光加熱” 原理，國瑞熱控開發半導體激光加熱盤，適配極端高溫材料制備。采用氮化鋁陶瓷基體嵌入激光吸收層，表面可承受 3000℃以上局部高溫，配合半導體激光與二氧化碳激光協同加熱，實現 “表面強攻 + 內部滲透” 的加熱效果。加熱區域直徑可在...

針對12英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導體加熱盤以創新結構設計實現高效溫控！產品采用多模塊拼接式結構，單模塊加熱面積可達1500cm2，通過標準化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統，適配不同產能的生產線需求！每個模塊配備**溫控單元，通過**控...

針對碳化硅襯底生長的高溫需求，國瑞熱控**加熱盤采用多加熱器分區布局技術，**溫度梯度可控性差的行業難題。加熱盤主體選用耐高溫石墨基材，表面噴涂碳化硅涂層，在 2200℃高溫下仍保持結構穩定，熱導率達 180W/mK，適配 PVT 法、TSSG 法等主流生長工...

針對車載半導體高可靠性需求，國瑞熱控測試加熱盤適配AEC-Q100標準！采用**級鋁合金基材，通過-55℃至150℃高低溫循環測試5000次無變形，加熱面平整度誤差小于0.03mm！溫度調節范圍覆蓋-40℃至200℃，升降溫速率達30℃/分鐘，可模擬車載芯片在...

借鑒晶圓鍵合工藝的技術需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創新采用真空吸附與彈簧壓塊復合結構，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在0.02mm以內！加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復合基材，兼具低熱膨脹系數與高導熱性，溫度均勻性達±1.5℃，適配...

國瑞熱控清洗槽**加熱盤以全密封結構設計適配高潔凈需求，采用 316L 不銹鋼經電解拋光處理，表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，無顆粒脫落風險。加熱元件采用氟塑料密封封裝，與清洗液完全隔離，耐受酸堿濃度達 90% 的腐蝕環境，電氣強度達 2000V/1mi...

針對車載半導體高可靠性需求，國瑞熱控測試加熱盤適配 AEC-Q100 標準。采用**級鋁合金基材，通過 - 55℃至 150℃高低溫循環測試 5000 次無變形，加熱面平整度誤差小于 0.03mm。溫度調節范圍覆蓋 - 40℃至 200℃，升降溫速率達 30℃...

國瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導體刻蝕環節的精細溫控設計，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題。產品采用藍寶石覆層與鋁合金基體復合結構，表面經拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷。加熱盤與靜電卡盤協同適配，通過底部導熱紋路優化，使熱量...

國瑞熱控推出加熱盤節能改造方案，針對存量設備能耗高問題提供系統升級！采用石墨烯導熱涂層技術提升熱傳導效率，配合智能溫控算法優化加熱功率輸出，使單臺設備能耗降低20%以上！改造內容包括加熱元件更換、隔熱層升級與控制系統迭代，保留原有設備主體結構，改造成本*為新設...

國瑞熱控開發加熱盤智能診斷系統，通過多維度數據監測實現故障預判！系統集成溫度波動分析、絕緣性能檢測、功率曲線對比三大模塊，可識別加熱元件老化、密封失效等12類常見故障，提**0天發出預警！采用邊緣計算芯片實時處理數據，延遲小于100ms，通過以太網上傳至云平臺...

針對半導體退火工藝中對溫度穩定性的高要求，國瑞熱控退火**加熱盤采用紅外加熱與電阻加熱協同技術，實現均勻且快速的溫度傳遞！加熱盤主體選用低熱慣性的氮化硅陶瓷材質，熱導率達30W/mK，可在30秒內將晶圓溫度提升至900℃，且降溫過程平穩可控，避免因溫度驟變導致...

國瑞熱控高真空半導體加熱盤，專為半導體精密制造的真空環境設計，實現無污染加熱解決方案！產品采用特殊密封結構與高純材質制造，所有部件均經過真空除氣處理，在10??Pa高真空環境下無揮發性物質釋放，避免污染晶圓表面！加熱元件采用嵌入式設計，與基材緊密結合，熱量傳遞...

針對車載半導體高可靠性需求，國瑞熱控測試加熱盤適配AEC-Q100標準！采用**級鋁合金基材，通過-55℃至150℃高低溫循環測試5000次無變形，加熱面平整度誤差小于0.03mm！溫度調節范圍覆蓋-40℃至200℃，升降溫速率達30℃/分鐘，可模擬車載芯片在...

面向先進封裝 Chiplet 技術需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯工藝。采用鋁合金與陶瓷復合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時受熱均勻。內部采用微米級加熱絲布線，實現 1mm×1mm 精細溫控分區，溫度調節范圍覆蓋室溫至...

國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術壁壘，實現復雜結構產品量產能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯動機床制造螺紋斜孔等復雜結構，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經真空焊接工藝與基體緊密結合，熱效率達 90%，升溫速率 25℃...

國瑞熱控推出半導體加熱盤**溫度監控軟件，實現加熱過程的數字化管理與精細控制！軟件具備實時溫度顯示功能，可通過圖表直觀呈現加熱盤各區域溫度變化曲線，支持多臺加熱盤同時監控，方便生產線集中管理！內置溫度數據存儲與導出功能，可自動記錄加熱過程中的溫度參數，存儲時間...