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MEMS制作工藝-光學超表面meta-surface：超表面是指一種厚度小于波長的人工層狀材料。超表面可實現對電磁波偏振、振幅、相位、極化方式、傳播模式等特性的靈活有效調控。超表面可視為超材料的二維對應。根據面內的結構形式，超表面可以分為兩種：一種具有橫向亞波長的微細結構，一種為均勻膜層。根據調控的波的種類，超表面可分為光學超表面、聲學超表面、機械超表面等。光學超表面是最常見的一種類型，它可以通過亞波長的微結構來調控電磁波的偏振、相位、振幅、頻率等特性，是一種結合了光學與納米科技的新興技術。其超表面的制作方式，一般會用到電子束光刻技術EBL，通過納米級的直寫，將圖形曝光到各種襯底上，然后經過鍍...

MEMS全稱MicroElectromechanicalSystem，微機電系統。是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內部結構一般在微米甚至納米量級，是一個單獨的智能系統。主要由傳感器、作動器（執行器）和微能源三大部分組成。微機電系統涉及物理學、半導體、光學、電子工程、化學、材料工程、機械工程、生物醫學、信息工程及生物工程等多種學科和工程技術，為智能系統、消費電子、可穿戴設備、智能家居、系統生物技術的合成生物學與微流控技術等領域開拓了廣闊的用途。常見的產品包括MEMS生物微流控芯片、MEMS壓電換能器、PMUT、CMUT、MEMS加速度計、MEMS麥克風、微馬達、微泵、微振子、MEMS壓力...

MEMS具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產。MEMS技術的目標是通過系統的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統。MEMS技術是一種典型的多學科交叉的前沿性研究領域，幾乎涉及到自然及工程科學的所有領域，如電子技術、機械技術、物理學、化學、生物醫學、材料科學、能源科學等。MEMS是一個單獨的智能系統，可大批量生產，其系統尺寸在幾毫米乃至更小，其內部結構一般在微米甚至納米量級。例如，常見的MEMS產品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm，甚至更小。微機電系統在國民經濟和更高級別的系統方面將有著廣泛的應用前景。主要民用領域是電子、醫學、工業、汽車和航...

MEMS全稱MicroElectromechanicalSystem，微機電系統。是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內部結構一般在微米甚至納米量級，是一個單獨的智能系統。主要由傳感器、作動器（執行器）和微能源三大部分組成。微機電系統涉及物理學、半導體、光學、電子工程、化學、材料工程、機械工程、生物醫學、信息工程及生物工程等多種學科和工程技術，為智能系統、消費電子、可穿戴設備、智能家居、系統生物技術的合成生物學與微流控技術等領域開拓了廣闊的用途。常見的產品包括MEMS生物微流控芯片、MEMS壓電換能器、PMUT、CMUT、MEMS加速度計、MEMS麥克風、微馬達、微泵、微振子、MEMS壓力...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項特點，當要維持一個近乎于垂直且平滑的側壁輪廓時，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產生具有輕微傾斜角度的側壁輪廓。不過當采用這類塊體蝕刻時，工藝中很少需要垂直的側壁。 2.準確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側壁輪廓平滑性上升為關鍵因素的組...

PDMS金屬流道芯片的復合加工工藝： PDMS金屬流道芯片通過在柔性PDMS流道內集成金屬鍍層，實現流體控制與電信號檢測的一體化設計。加工流程包括：首先利用軟光刻技術在硅模上制備50-200μm寬度的流道結構，澆筑PDMS預聚體并固化成型；然后通過氧等離子體處理流道表面，使其親水化以促進金屬前驅體吸附；采用磁控濺射技術沉積50-200nm厚度的金/鉑金屬層，經化學鍍增厚至1-5μm，形成連續導電流道；與PET基板通過等離子體鍵合密封，確保流體無泄漏。金屬流道的表面粗糙度＜50nm，電阻＜10Ω/cm，適用于電化學檢測、電滲泵驅動等場景。典型應用如微流控電化學傳感器，在10μL/min...

MEMS制作工藝-微流控芯片： 微流控芯片技術(Microfluidics)是把生物、化學、醫學分析過程的樣品制備、反應、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上，自動完成分析全過程。微流控芯片（microfluidicchip）是當前微全分析系統（MiniaturizedTotalAnalysisSystems）發展的熱點領域。 微流控芯片分析以芯片為操作平臺,同時以分析化學為基礎,以微機電加工技術為依托,以微管道網絡為結構特征,以生命科學為目前主要應用對象，是當前微全分析系統領域發展的重點。它的目標是把整個化驗室的功能,包括采樣、稀釋、加試劑、反應、分離、檢測等集...

太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水...

MEA柔性電極的MEMS制造工藝：公司開發的腦機接口用MEA（微電極陣列）柔性電極，采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底，通過光刻、金屬蒸鍍與電化學沉積工藝，構建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮至20微米，間距50微米，表面修飾PEDOT:PSS導電聚合物，電荷注入容量（CIC）達2mC/cm2，信噪比（SNR）提升至25dB以上。制造過程中，通過激光切割與等離子體鍵合技術，實現電極與柔性電路的可靠封裝。該工藝支持定制化設計，例如針對癲癇監測的16通道電極，植入后機械應力降低70%，使用壽命延長至3年。此外，電極陣列可集成于類***培養芯片，實時監測神經元放電頻率與網絡同步性，為神經退行...

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產。因為沒有適用的國產5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負責接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉換，將不受歡迎的頻率信號濾除。MEMS傳感...

微機電系統是指集微型傳感器、執行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統，是一個智能系統。主要由傳感器、作動器和微能源三大部分組成。微機電系統具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度。微機電系統。它是通過系統的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統微機電系統。微機電系統涉及航空航天、信息通信、生物化學、醫療、自動控制、消費電子以及兵器等應用領域。微機電系統的制造工藝主要有集成電路工藝、微米/納米制造工藝、小機械工藝和其他特種加工工種。微機電系統技術基礎主要包括設計與仿真技術、材料與加工技術、封裝與裝配技術、測量與測試技術、集成與系統技術等。M...

基于MEMS技術的SAW器件：聲表面波(SAW)傳感器是近年來發展起來的一種新型微聲傳感器，是種用聲表面波器件作為傳感元件，將被測量的信息通過聲表面波器件中聲表面波的速度或頻率的變化反映出來，并轉換成電信號輸出的傳感器。聲表面波傳感器能夠精確測量物理、化學等信息(如溫度、應力、氣體密度)。由于體積小，聲表面波器件被譽為開創了無線、小型傳感器的新紀元，同時，其與集成電路兼容性強，在模擬數字通信及傳感領域獲得了廣泛的應用。聲表面波傳感器能將信號集中于基片表面、工作頻率高，具有極高的信息敏感精度，能迅速地將檢測到的信息轉換為電信號輸出，具有實時信息檢測的特性，另外，聲表面波傳感器還具有微型化、集成化...

高精度姿態/軌道測量新方法并研制了MEMS磁敏感器、MIMU慣性微系統、MEMS太陽敏感器、納\皮型星敏感器等空間微系統，相關成果填補了多項國內空白，已在探月工程、高分專項等國家重大工程以及國內外百余顆型號衛星中得到應用推廣，并實現了出口歐、美、日等國。在我國率先開展了微納航天器的技術創新與工程實踐，將三軸穩定方式用于25kg以下的微小衛星，成功研制并運行了國內納型衛星NS-1衛星，也是當時世界上在軌飛行的“輪控三軸穩定衛星”（2004年）。2015年研制并發射了NS-2（10公斤量級）MEMS技術試驗衛星，成功開展了基于MEMS的空間微型化器組件試驗研究。NS-2衛星的有效載荷包括納型星敏感...

三維微納結構的跨尺度加工技術：跨尺度加工技術實現了從納米級到毫米級結構的一體化制造，滿足復雜微流控系統對多尺度功能單元的需求。公司結合電子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）與機械加工（精度10μm），在單一基板上構建跨3個數量級的微結構。例如，在類培養芯片中，納米級表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進細胞黏附，微米級流道（寬度50μm）控制營養物質輸送，毫米級進樣口（直徑1mm）兼容外部管路。加工過程中，通過工藝分層設計，先進行納米結構制備（如EBL定義細胞外基質蛋白圖案），再通過紫外光刻形成中層流道，機械加工完成宏觀接口，各層結構對準誤差＜±2μm。該技術突破了單一工...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄...

金屬流道PDMS芯片與PET基板的鍵合工藝：金屬流道PDMS芯片通過與帶有金屬結構的PET基板鍵合，實現柔性微流控芯片與剛性電路的集成，兼具流體處理與電信號控制功能。鍵合前，PDMS流道采用氧等離子體活化處理（功率100W，時間30秒），使表面羥基化；PET基板通過電暈處理提升表面能，濺射1μm厚度的銅層并蝕刻形成電極圖案。鍵合過程在真空環境下進行，施加0.5MPa壓力并保持30分鐘，形成化學共價鍵，剝離強度＞5N/cm。金屬流道內的電解液與外部電路通過鍵合區的Pad連接，接觸電阻＜100mΩ，確保信號穩定傳輸。該技術應用于微流控電化學檢測芯片時，可在10μL的反應體系內實現多參數同步檢測，如...

MEMS研究內容一般可以歸納為以下三個基本方面：1．理論基礎：在當前MEMS所能達到的尺度下，宏觀世界基本的物理規律仍然起作用，但由于尺寸縮小帶來的影響（ScalingEffects），許多物理現象與宏觀世界有很大區別，因此許多原來的理論基礎都會發生變化，如力的尺寸效應、微結構的表面效應、微觀摩擦機理等，因此有必要對微動力學、微流體力學、微熱力學、微摩擦學、微光學和微結構學進行深入的研究。這一方面的研究雖然受到重視，但難度較大，往往需要多學科的學者進行基礎研究。2.技術基礎研究：主要包括微機械設計、微機械材料、微細加工、微裝配與封裝、集成技術、微測量等技術基礎研究。3.微機械在各學科領域的應用...

柔性 MEMS 器件因可彎曲、生物兼容的特性，在植入式醫療、可穿戴設備中極具潛力，深圳市勃望初芯半導體科技有限公司通過定制化 MEMS 微納米加工工藝，攻克柔性材料加工難題。公司以 PI 為柔性基底，開發 “光刻 - 干法刻蝕 - 金屬化 - 封裝” 的全流程加工方案：首先通過光刻定義電極與結構圖案，采用氧等離子體干法刻蝕實現 PI 薄膜的高精度圖形化（線寬誤差 ±2μm）；然后通過磁控濺射沉積金或鉑金屬層（厚度 50-100nm），制作柔性電極，確保電極在彎曲時的導電性穩定；采用生物兼容封裝材料（如 PDMS）保護結構，避免體液腐蝕。這種工藝制作的柔性 MEMS 電極，可用于植入式生物電刺激...

微機電系統是微米大小的機械系統，其中也包括不同形狀的三維平板印刷產生的系統。這些系統的大小一般在微米到毫米之間。在這個大小范圍中日常的物理經驗往往不適用。比如由于微機電系統的面積對體積比比一般日常生活中的機械系統要大得多，其表面現象如靜電、潤濕等比體積現象如慣性或熱容量等要重要。它們一般是由類似于生產半導體的技術如表面微加工、體型微加工等技術制造的。其中包括更改的硅加工方法如光刻、磁控濺射PVD、氣相沉積CVD、電鍍、濕蝕刻、ICP干蝕刻、電火花加工等等。跨尺度加工技術結合 EBL 與紫外光刻，在單一基板構建納米至毫米級復合微納結構。云南MEMS微納米加工參考價MEMS制作工藝柔性電子的定義：...

柔性電極的生物相容性表面改性技術：柔性電極的長期植入性能依賴于表面生物相容性改性，公司采用多層涂層工藝解決蛋白吸附與炎癥反應問題。以PI基柔性電極為基底，首先通過等離子體處理引入羥基基團，然后接枝硅烷偶聯劑（如APTES）形成活性界面，再通過層層自組裝技術沉積PEG（聚乙二醇）與殼聚糖復合層，**終涂層厚度5-15nm。該涂層可使水接觸角從85°降至50°，蛋白吸附量從100ng/cm2降至＜10ng/cm2，中性粒細胞黏附率下降80%。在動物植入實驗中，改性后的電極在體內留置3個月，周圍組織纖維化程度較未處理組減輕60%，信號衰減＜15%，而對照組衰減達40%。該技術適用于神經電極、心臟起搏...

MEMS制作工藝-太赫茲特性：1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數等。2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質，適合于生物大分子與活性物質結構的研究。3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強的穿透能力，在環境控制與安全方面能有效發揮作用4.吸收性:大多數極性分子對THz有強烈的吸收作用，可以用來進行醫療診斷與產品質量監控5.瞬態性:相比于...

太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水...

MEMS 微納米加工的高精度特性，對質量管控提出嚴苛要求，深圳市勃望初芯半導體科技有限公司建立全流程質量管控體系，確保每一件器件的性能穩定。原材料檢測環節，對采購的硅片、PI 薄膜、金屬靶材等進行嚴格篩選，如硅片的平整度誤差需小于 1μm，PI 薄膜的厚度均勻性誤差控制在 ±5%；加工過程管控，通過實時監控光刻曝光劑量、刻蝕時間等關鍵參數，每批次抽取 10% 樣品進行尺寸檢測（使用掃描電子顯微鏡，精度 0.1nm），確保結構尺寸符合設計要求；成品測試環節，針對不同器件類型制定專項測試標準 —— 生物醫療器件需通過生物兼容性測試（如細胞毒性、溶血率），光學器件需檢測透光率與波長調控精度，工業傳感...

超薄石英玻璃雙面套刻加工技術解析：在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進行雙面套刻加工，是實現高集成度微流控芯片與光學器件的關鍵技術。公司采用激光微加工與紫外光刻結合工藝，首先通過CO?激光切割實現玻璃基板的高精度成型（邊緣誤差＜±5μm），然后利用雙面光刻對準系統（精度±1μm）進行微結構加工。正面通過干法刻蝕制備5-50μm深度的微流道，背面采用離子束濺射沉積100nm厚度的金屬電極層，經光刻剝離形成微米級電極陣列。針對玻璃材質的脆性特點，開發了低溫鍵合技術（150-200℃），使用硅基粘合劑實現雙面結構的密封，鍵合強度＞3MPa，耐水壓＞50kPa。該技術應用于光聲成像芯...

微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝技術：微流控與金屬片電極的鑲嵌工藝實現了流體通道與固態電極的無縫集成，適用于電化學檢測、電滲流驅動等場景。加工過程中，首先在硅片或玻璃基板上制備微流道（深度50-200μm，寬度100-500μm），然后將預加工的金屬片電極（如不銹鋼、金箔）嵌入流道側壁，通過導電膠（銀膠或碳膠）固定，確保電極與流道內壁齊平，間隙＜5μm。鍵合采用熱壓或紫外固化膠密封，耐壓＞100kPa，漏電流＜1nA。金屬片電極的表面積可根據需求設計，如5mm×5mm的金電極，電化學活性面積達20mm2，適用于痕量物質檢測。在水質監測芯片中，鑲嵌的鉑電極可實時檢測溶解氧濃度，響應時間＜10秒，檢測...

MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測：光電導取樣光電導取樣是基于光導天線(photoconductiveantenna,PCA)發射機理的逆過程發展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術。如要對THz脈沖信號進行探測，首先，需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中，以便于一個光學門控脈沖(探測脈沖)對其門控。其中，這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調節的時間延遲關系，而這個關系可利用一個延遲線來加以實現，爾后，用一束探測脈沖打到光電導介質上，這時在介質中能夠產生出電子-空穴對(自由載流子)，而此時同步到達的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場，以此來驅動那些載流子運動，從而在PCA中形成光電...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄...

MEMS 微納米加工的高精度特性，對質量管控提出嚴苛要求，深圳市勃望初芯半導體科技有限公司建立全流程質量管控體系，確保每一件器件的性能穩定。原材料檢測環節，對采購的硅片、PI 薄膜、金屬靶材等進行嚴格篩選，如硅片的平整度誤差需小于 1μm，PI 薄膜的厚度均勻性誤差控制在 ±5%；加工過程管控，通過實時監控光刻曝光劑量、刻蝕時間等關鍵參數，每批次抽取 10% 樣品進行尺寸檢測（使用掃描電子顯微鏡，精度 0.1nm），確保結構尺寸符合設計要求；成品測試環節，針對不同器件類型制定專項測試標準 —— 生物醫療器件需通過生物兼容性測試（如細胞毒性、溶血率），光學器件需檢測透光率與波長調控精度，工業傳感...

MEMS 微納米加工是實現微型化、高集成度器件的關鍵技術，通過光刻、刻蝕、鍍膜等精密工藝，將功能結構加工至微米甚至納米級別，為生物醫療、科研、工業檢測提供器件支撐。深圳市勃望初芯半導體科技有限公司憑借深厚技術積淀，成為該領域的專業服務商 —— 其團隊源自中科先見醫療半導體團隊，自 2013 年起深耕生物醫療傳感芯片，將半導體工藝與 MEMS 技術深度融合，形成從設計到加工的全流程能力。在基礎工藝環節，公司能精細把控光刻分辨率（小線寬可達 50nm）、刻蝕深度（誤差 ±0.1μm），例如在硅基 MEMS 傳感器加工中，通過干法刻蝕工藝制作微型懸臂梁結構，梁厚控制在 2μm 以內，確保傳感器對微小...

超薄PDMS與光學玻璃的鍵合工藝優化：超薄PDMS（100μm以上）與光學玻璃的鍵合技術實現了柔性微流控芯片與高透光基板的集成，適用于熒光顯微成像、單細胞觀測等場景。鍵合前，PDMS基板經氧等離子體處理（功率50W，時間20秒）實現表面羥基化，光學玻璃通過UV-Ozone清洗去除有機物污染；然后在潔凈環境下對準貼合，施加0.2MPa壓力并室溫固化2小時，形成不可逆共價鍵，透光率＞95%@400-800nm，鍵合界面缺陷率＜1%。超薄PDMS的柔韌性（彈性模量1-3MPa）可減少玻璃基板的應力集中，耐彎曲半徑＞10mm，適用于動態培養環境下的細胞觀測。在單分子檢測芯片中，鍵合后的玻璃表面可直接進...