太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現(xiàn)太赫茲波發(fā)射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統(tǒng)剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現(xiàn)對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態(tài)下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫(yī)學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水分含量，分辨率達0.1%，檢測時間＜1秒，較傳統(tǒng)電阻法精度提升5倍。公司開發(fā)的納米壓印技術實現(xiàn)了天線陣列的低成本復制，單晶圓（4英寸）產(chǎn)能達1000片以上，良率＞85%，推動太赫茲技術從實驗室走向便攜式設備，為無損檢測與生物傳感提供了全新維度的解決方案。MEMS聲表面波（即SAW）器件是什么？云南MEMS微納米加工廠家現(xiàn)貨

MEMS超表面對特性的調控：

1.超表面meta-surface對偏振的調控：在偏振方面，超表面可實現(xiàn)偏振轉換、旋光、矢量光束產(chǎn)生等功能。

2.超表面meta-surface對振幅的調控。超表面可以實現(xiàn)光的非對稱透過、消反射、增透射、磁鏡、類EIT效應等。

3.超表面meta-surface對頻率的調控。超表面的微結構在共振情況下可實現(xiàn)較強的局域場增強，利用這些局域場增大效應，可以實現(xiàn)非線性信號或熒光信號的增強。在可見光波段，不同頻率的光對應不同的顏色，超表面的頻率選擇特性可以用于實現(xiàn)結構色。

我們在自然界中看到的顏色從產(chǎn)生原理上可以分為兩大類，一類是由材料的反射、吸收、散射等特性決定的顏色，比如常見的顏料、塑料袋的顏色等；另一類是由物質的結構，而不是其所用材料來決定的顏色，即所謂的結構色，比如蝴蝶的顏色、某些魚類的顏色等。人們利用超表面，可以通過改變其結構單元的尺寸、形狀等幾何參數(shù)來實現(xiàn)對超表面的顏色的自由調控，可用于高像素成像、可視化生物傳感Bio-sensor等領域。 吉林什么是MEMS微納米加工超薄 PDMS（100μm 以上）與光學玻璃鍵合工藝，兼顧柔性流道與高透光性檢測需求。

MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝：硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應氣體生成反應活性高的離子和電子，對硅片進行物理轟擊及化學反應，以選擇性的去除我們需要去除的區(qū)域。被刻蝕的物質變成揮發(fā)性的氣體，經(jīng)抽氣系統(tǒng)抽離，然后按照設計圖形要求刻蝕出我們需要實現(xiàn)的深度。干法刻蝕可以實現(xiàn)各向異性，垂直方向的刻蝕速率遠大于側向的。其原理如圖所示，生成CF基的聚合物以進行側壁掩護，以實現(xiàn)各向異性刻蝕刻蝕過程一般來說包含物理濺射性刻蝕和化學反應性刻蝕。對于物理濺射性刻蝕就是利用輝光放電，將氣體解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被蝕刻物的表面，而將被蝕刻物質原子擊出(各向異性)。對于化學反應性刻蝕則是產(chǎn)生化學活性極強的原(分)子團，此原(分)子團擴散至待刻蝕物質的表面，并與待刻蝕物質反應產(chǎn)生揮發(fā)性的反應生成物(各向同性)，并被真空設備抽離反應腔

MEMS具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)。MEMS技術的目標是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。MEMS技術是一種典型的多學科交叉的前沿性研究領域，幾乎涉及到自然及工程科學的所有領域，如電子技術、機械技術、物理學、化學、生物醫(yī)學、材料科學、能源科學等。MEMS是一個單獨的智能系統(tǒng)，可大批量生產(chǎn)，其系統(tǒng)尺寸在幾毫米乃至更小，其內部結構一般在微米甚至納米量級。例如，常見的MEMS產(chǎn)品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm，甚至更小。微機電系統(tǒng)在國民經(jīng)濟和更高級別的系統(tǒng)方面將有著廣泛的應用前景。主要民用領域是電子、醫(yī)學、工業(yè)、汽車和航空航天系統(tǒng)。以PI為特色的柔性電子在太赫茲超表面器件上的應用很廣。

MEMS技術的主要分類：光學方面相關的資料與技術。光學隨著信息技術、光通信技術的迅猛發(fā)展，MEMS發(fā)展的又一領域是與光學相結合，即綜合微電子、微機械、光電子技術等基礎技術，開發(fā)新型光器件，稱為微光機電系統(tǒng)(MOEMS)。微光機電系統(tǒng)(MOEMS)能把各種MEMS結構件與微光學器件、光波導器件、半導體激光器件、光電檢測器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統(tǒng)。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產(chǎn)、可精確驅動和控制等特點。MEMS技術常用工藝技術組合有：紫外光刻、電子束光刻EBL、PVD磁控濺射、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕。云南MEMS微納米加工材料

MEMS 微納米加工技術是現(xiàn)代制造業(yè)中的關鍵領域，它能夠在微觀尺度上制造出高精度的器件。云南MEMS微納米加工廠家現(xiàn)貨

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：高深寬比：硅蝕刻工藝通常需要處理高深寬比的問題，如應用在回轉儀(gyroscopes)及硬盤機的讀取頭等微機電組件即為此例。另外，此高深寬比的特性也是發(fā)展下一代晶圓級的高密度構造連接上的解決方案。考慮到有關高深寬比的主要問題，是等離子進出蝕刻反應區(qū)的狀況：包括蝕刻劑進入蝕刻接口的困難程度(可借助離子擊穿高分子蔽覆層實現(xiàn))，以及反應副產(chǎn)品受制于孔洞中無法脫離。在一般的等離子壓力條件下，離子的準直性(loncollimation)運動本身就會將高深寬比限制在約50:1。另外，隨著具線寬深度特征離子的大量轉移，這些細微變化可能會改變蝕刻過程中的輪廓。一般說來，隨著蝕刻深度加深，蝕刻劑成分會減少。導致過多的高分子聚合反應，和蝕刻出漸窄的線寬。針對上述問題，設備制造商已發(fā)展出隨著蝕刻深度加深，在工藝條件下逐漸加強的硬件及工藝，這樣即可補償蝕刻劑在大量離子遷徙的變化所造成的影響。云南MEMS微納米加工廠家現(xiàn)貨