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實際的電源完整性是相當復雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網絡。對于PCB設計來說，目標阻抗的去耦設計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案。在DDR的設計上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個去耦電容就可以...

1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經高達800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經高達1600Mbps。對于如此高的速度，從PCB的設計角度來幫大家分析，要做到嚴格的時序匹配，以滿足信號的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯拓撲、時延匹配、串擾、信號及電源完整性和時序，目前，有很多EDA工具可以對它們進行很好的計算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術要求和專有的技術要求DDR測試眼圖測試時序測試...

14.在本發明的一個實施例中，所述相關信號包括dqs信號、clk信號和dq信號，所述標志信號為dqs信號。15.在本發明的一個實施例中，所述根據標志信號對示波器進行相關參數配置，具體包括：16.利用示波器分別采集標志信號在數據讀取和數據寫入過程中的電平幅值；17.對標志信號在數據讀取和數據寫入過程中的電平幅值進行比較，確定標志信號的電平閾值；18.在示波器中配置標志信號的電平閾值。19.在本發明的一個實施例中，所述利用示波器的觸發功能將ddr4內存的讀寫信號進行信號分離，具體包括：20.將標志信號的實時電平幅值與標志信號的電平閾值進行比較；21.將大于電平閾值的標志信號和小于電平閾值的標志信號...

trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因，所以，在實際的設計時，要借助于CAD工具進行嚴格的計算，從而控制走線的時延匹配。考慮到在圖2中6層板上的過孔的因素，當一個地過孔靠近信號過孔放置時，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子，在TOP層的微帶線長度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數為：barreldiamet...

DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機主板和各種嵌入式的應用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數據，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數據信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數據，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機存儲器),這種存儲器運行速度較快，主要用于程序運行時的程序或者數據緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分DDR4信號完整性測試案例；江蘇DDR測試商家 這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯的這個...

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠的一個SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設計中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當切換平面層時，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應該在EDA工具里進行很好的仿真。通常，在時域分析來看，差分線的正負兩根線要做到延時匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。什麼是DDR內存？如何測試？智能化多端口矩陣測試DDR測試方案商 4...

一種ddr4內存信號測試方法、裝置及存儲介質技術領域1.本發明涉及計算機測試技術領域，尤其是指一種ddr4內存信號測試方法、裝置及存儲介質。背景技術：2.為保證服務器的平穩運行以及服務器ddr4內存的完好使用，測量服務器內存的信號完整性是否符合標準已經成了服務器研發過程中必不可少的重要流程。目前服務器主流都是適用ddr4內存，為了保證數據的安全性和可靠性，ddr4鏈路的測試對服務器存儲性能評估有著至關重要的影響。3.目前服務器ddr4信號的測試無法進行正常工作狀態的讀寫分離，只能利用主控芯片進行讀寫命令來進行相應讀或寫的測試，效率較低且不能完全反映正常工作狀態下的波形，在信號完整性測試上有比較...

現做一個測試電路，類似于圖5，驅動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電...

trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因，所以，在實際的設計時，要借助于CAD工具進行嚴格的計算，從而控制走線的時延匹配。考慮到在圖2中6層板上的過孔的因素，當一個地過孔靠近信號過孔放置時，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子，在TOP層的微帶線長度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數為：barreldiamet...

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數據存儲需要多個晶體管，不容易實現大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數據存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經成為大容量RAM的主流，典型的如現在的PC、服務器、嵌入式系統上用的大容量內存都是DRAM。...

DDR測試 測試軟件運行后，示波器會自動設置時基、垂直增益、觸發等參數進行測量并匯總成一個測試報告，測試報告中列出了測試的項目、是否通過、spec的要求、實測值、margin等。圖5.17是自動測試軟件進行DDR4眼圖睜開度測量的一個例子。信號質量的測試還可以輔助用戶進行內存參數的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調試功能。比如在某個關鍵參數測試失敗后，可以針對這個參數進行Debug。此時，測試軟件會捕獲、存儲一段時間的波...

DDR5具備如下幾個特點：·更高的數據速率·DDR5比較大數據速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍。·更低的能耗·DDR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上·更高的密度·DDR5將突發長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數據總線效率。相同的讀取或寫入事務現在提供數據總線上兩倍的數據，同時限制同一存儲庫內輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外，DDR5使存儲組數量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統效率的關鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內...

什麼是DDR內存？如何測試？ 近幾年來，CPU的速度呈指數倍增長。然而，計算機內存的速度增長確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內存作為PC工業的內存解決方案。在內存技術不斷發展的時代，每一種新技術的出現，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優越的性能。內存峰值帶寬定義為：內存總線寬度/8位X數據速率。該參數的提高會在實際使用過程中得到充分體現：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運動圖像質量更好。今年，一種新型內存：DDR內存面世了。對大多數人來說，DDR仍然是一個陌生的名詞，然而，它確是數以百計前列內存和系...

DDR測試 要注意的是，由于DDR的總線上存在內存控制器和內存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號質量測試理論上也應該同時涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規定了對于內存顆粒這一側的信號質量的要求，因此DDR的自動測試軟件也只對這一側的信號質量進行測試。對于內存控制器一側的信號質量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統一的規范，因此其信號質量的測試還只能使用手動的方法。這時用戶可以在內存控制器一側選擇測試點，并借助合適的信號讀/寫分離手段來進行手動測試。 DDR的信號探測技術方法；設備DDR測試方案 如何測試DDR？ DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級...

這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續的微帶線，從而提高了S21特性。 由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當今的高速系統里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR的信號測試和協議測試；解決方案DDR測試方案DDR5具備如...

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠的一個SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設計中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當切換平面層時，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應該在EDA工具里進行很好的仿真。通常，在時域分析來看，差分線的正負兩根線要做到延時匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。DDR3總線的解碼方法；自動化DDR測試眼圖測試實際的電源完整性是相當...

DDR測試 大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數據讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據時鐘采樣方式的不同，又分為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數據采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數據采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數據信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數據信號是一樣的...

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數據存儲需要多個晶體管，不容易實現大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數據存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經成為大容量RAM的主流，典型的如現在的PC、服務器、嵌入式系統上用的大容量內存都是DRAM。...

DDR測試 DDRDIMM內存條測試處理內存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩地插入待測內存條的插槽；一旦測試完成，內存條又可以平穩地從插槽中拔出。 克勞德高速數字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR測試USB眼圖測試設備？USB測試DDR測試檢查8.PCBLayout在實際的PCB設計時，考慮到SI的要求，往往...

DDR測試 DDR總線上需要測試的參數高達上百個，而且還需要根據信號斜率進行復雜的查表修正。為了提高DDR信號質量測試的效率，比較好使用的測試軟件進行測試。使用自動測試軟件的優點是：自動化的設置向導避免連接和設置錯誤；優化的算法可以減少測試時間；可以測試JEDEC規定的速率，也可以測試用戶自定義的數據速率；自動讀/寫分離技術簡化了測試操作；能夠多次測量并給出一個統計的結果；能夠根據信號斜率自動計算建立/保持時間的修正值。由于DDR5工作時鐘比較高到3.2GHz,系統裕量很小，因此信號的隨機和確定性抖動對于數據的正確傳輸至關重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損...

DDR測試 DDR5的接收端容限測試 前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進行接收容限的測試以驗證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現。對于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單，只是做一些匹配、時延、閾值的調整。但到了DDR5時代(圖5.19),由于信號速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調整以及均衡器技術，這也使得DDR5測試中必須關注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 用DDR的BGA探頭引出測試信號；解決方案DDR測試系列一種ddr4內...

DDR測試 DDRDIMM內存條測試處理內存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩地插入待測內存條的插槽；一旦測試完成，內存條又可以平穩地從插槽中拔出。 克勞德高速數字信號測試實驗室 地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR測試USB眼圖測試設備？電氣性能測試DDR測試檢查 DDR測試 什么是DDR？ DDR是雙倍數據速率...

8.PCBLayout在實際的PCB設計時，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時，當考慮以下的一些相關因素，那么對于設計PCB來說可靠性就會更高。1）首先，要在相關的EDA工具里設置好拓撲結構和相關約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號交叉，一些的管腳也許會被交換到其它區域布線。3）由串擾仿真的結果可知，盡量減少短線（stubs）長度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲器焊盤...

DDR測試 內存條測試對內存條測試的要求是千差萬別的。DDR內存條的制造商假定已經進行過芯片級半導體故障的測試，因而他們的測試也就集中在功能執行和組裝錯誤方面。通過采用DDR雙列直插內存條和小型雙列直插內存條，可以有三種不同內存條測試儀方案：雙循環DDR讀取測試。這恐怕是簡單的測試儀方案。大多數的測試儀公司一般對他們現有的SDR測試儀作一些很小的改動就將它們作為DDR測試儀推出。SDR測試儀的寫方式是將同一數據寫在連續排列的二個位上。在讀取過程中，SDR測試儀能首先讀DDR內存條的奇數位數據。然后，通過將數據鎖存平移半個時鐘周期，由第二循環讀偶數位。這使得測試儀能完全訪問DDR內存單...

DDR測試 由于DDR4的數據速率會達到3.2GT/s以上，DDR5的數據速率更高，所以對邏輯分析儀的要求也很高，需要狀態采樣時鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps以上的數據速率。圖5.22是基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協議測試系統。圖中是通過DIMM條的適配器夾具把上百路信號引到邏輯分析儀，相應的適配器要經過嚴格測試，確保在其標稱的速率下不會因為信號質量問題對協議測試結果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號的采集和分析。 DDR測試技術介紹與工具分析；河北數字信號DDR測試對于DDR2-800，這所有的拓撲結構都適用，只是有少許的差別。然而，...

DDR測試 除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發展，由DDR技術演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應用場景，相對于同一代技術的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內存技術，比如三星公司推出的LPDDR4x技術，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪聲會更敏感，其電路設計的挑戰性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采...

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數據抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在...

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設計一種拓撲結構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯通道的另一參數阻抗，在DDR2的設計時必須是恒定連續的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所...

DDR5具備如下幾個特點：·更高的數據速率·DDR5比較大數據速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍。·更低的能耗·DDR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上·更高的密度·DDR5將突發長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數據總線效率。相同的讀取或寫入事務現在提供數據總線上兩倍的數據，同時限制同一存儲庫內輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外，DDR5使存儲組數量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統效率的關鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內...

DDR5具備如下幾個特點：·更高的數據速率·DDR5比較大數據速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍。·更低的能耗·DDR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上·更高的密度·DDR5將突發長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數據總線效率。相同的讀取或寫入事務現在提供數據總線上兩倍的數據，同時限制同一存儲庫內輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外，DDR5使存儲組數量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統效率的關鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內...