1.目前，比較普遍使用中的DDR2的速度已經高達800Mbps，甚至更高的速度，如1066Mbps，而DDR3的速度已經高達1600Mbps。對于如此高的速度，從PCB的設計角度來幫大家分析，要做到嚴格的時序匹配，以滿足信號的完整性，這里有很多的因素需要考慮，所有的這些因素都有可能相互影響。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗、互聯拓撲、時延匹配、串擾、信號及電源完整性和時序，目前，有很多EDA工具可以對它們進行很好的計算和仿真，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術要求和專有的技術要求DDR測試眼圖測試時序測試抖動測試；DDR測試DDR測試推薦貨源

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數據抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調節模塊里的大電容可以很好的進行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。福建通信DDR測試一種DDR4內存信號測試方法；

9.DIMM之前介紹的大部分規則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM，獨有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區別。在DIMM組里，對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓撲結構里，帶有少的短線菊花鏈拓撲結構和樹形拓撲結構是適用的。

10.案例上面所介紹的相關規則，在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里，都已經得到普遍的應用。在下面的案例中，我們采用MOSAID公司的控制器，它提供了對DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了IBIS模型，其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy，Inc。對于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里，數據是操作是在1600Mbps下的。對于不帶緩存（unbufferedDIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是來自MicronTechnology，下面所有的波形都是采用通常的測試方法，且是在SDRAMdie級進行計算和仿真的。

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DDR4/5的協議測試除了信號質量測試以外，有些用戶還會關心DDR總線上真實讀/寫的數據是否正確，以及總線上是否有協議的違規等，這時就需要進行相關的協議測試。DDR的總線寬度很寬，即使數據線只有16位，加上地址、時鐘、控制信號等也有30多根線，更寬位數的總線甚至會用到上百根線。為了能夠對這么多根線上的數據進行同時捕獲并進行協議分析，適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協議測試的基本方法是通過相應的探頭把被測信號引到邏輯分析儀，在邏輯分析儀中運行解碼軟件進行協議驗證和分析。 DDR3總線的解碼方法；

    對于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號與DQ數據信號有一定建立時間tDS和保持時間tDH要求，否則會導致接收鎖存信號錯誤，DDR4信號速率達到了，單一比特位寬為，時序裕度也變得越來越小，傳統的測量時序的方式在短時間內的采集并找到tDS/tDH差值，無法大概率體現由于ISI等確定性抖動帶來的對時序惡化的貢獻，也很難準確反映隨機抖動Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動因素，基于雙狄拉克模型分解抖動和噪聲的隨機性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協會在規范中明確了在DDR4中測試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內模板內禁入的要求。 DDR4物理層一致性測試；信息化DDR測試多端口矩陣測試

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7.時序對于時序的計算和分析在一些相關文獻里有詳細的介紹，下面列出需要設置和分析的8個方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數據需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數據是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項都是需要分析的，而對于DDR3，5項和6項不需要考慮。在PCB設計時，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 DDR測試DDR測試推薦貨源