DDR測試

DDRDIMM內存條測試處理內存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩地插入待測內存條的插槽；一旦測試完成，內存條又可以平穩地從插槽中拔出。

克勞德高速數字信號測試實驗室

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DDR測試

什么是DDR？

DDR是雙倍數據速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機內存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節省輸入管腳，采用了復用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。同步動態隨機內存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結合，RAS、CAS、數據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數據和其它信號的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由于數據有效窗口的可預計性，所以可將內存劃分成4個組進行內部單元的預充電和預獲取。通過突發模式，可進行連續地址獲取而不必重復RAS選通。連續CAS選通可對來自相同行的數據進行讀取。 電氣性能測試DDR測試檢查一種DDR4內存信號測試方法；

    對于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號與DQ數據信號有一定建立時間tDS和保持時間tDH要求，否則會導致接收鎖存信號錯誤，DDR4信號速率達到了，單一比特位寬為，時序裕度也變得越來越小，傳統的測量時序的方式在短時間內的采集并找到tDS/tDH差值，無法大概率體現由于ISI等確定性抖動帶來的對時序惡化的貢獻，也很難準確反映隨機抖動Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動因素，基于雙狄拉克模型分解抖動和噪聲的隨機性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協會在規范中明確了在DDR4中測試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內模板內禁入的要求。

   克勞德高速數字信號測試實驗室致敬信息論創始人克勞德·艾爾伍德·香農，以成為高數信號傳輸測試界的帶頭者為奮斗目標。

   克勞德高速數字信號測試實驗室重心團隊成員從業測試領域10年以上。實驗室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器、誤碼儀、協議分析儀、矢量網絡分析儀及附件，使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業指定品牌夾具。堅持以專業的技術人員，嚴格按照行業測試規范，配備高性能的權能測試設備，提供給客戶更精細更權能的全方面的專業服務。     克勞德高速數字信號測試實驗室提供具深度的專業知識及一系列認證測試、預認證測試及錯誤排除信號完整性測試、多端口矩陣測試、HDMI測試、USB測試等方面測試服務。 DDR壓力測試的內容有那些；

trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因，所以，在實際的設計時，要借助于CAD工具進行嚴格的計算，從而控制走線的時延匹配。考慮到在圖2中6層板上的過孔的因素，當一個地過孔靠近信號過孔放置時，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子，在TOP層的微帶線長度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils，且過孔的參數為：barreldiameter=”8mils”，paddiameter=”18mils”，anti-paddiameter=”26mils”。協助DDR有那些工具測試；多端口矩陣測試DDR測試HDMI測試

DDR關于信號建立保持是的定義；電氣性能測試DDR測試檢查

9.DIMM之前介紹的大部分規則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM，獨有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區別。在DIMM組里，對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓撲結構里，帶有少的短線菊花鏈拓撲結構和樹形拓撲結構是適用的。

10.案例上面所介紹的相關規則，在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里，都已經得到普遍的應用。在下面的案例中，我們采用MOSAID公司的控制器，它提供了對DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了IBIS模型，其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy，Inc。對于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里，數據是操作是在1600Mbps下的。對于不帶緩存（unbufferedDIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是來自MicronTechnology，下面所有的波形都是采用通常的測試方法，且是在SDRAMdie級進行計算和仿真的。 電氣性能測試DDR測試檢查