DDR測試

什么是DDR？

DDR是雙倍數據速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機內存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節省輸入管腳，采用了復用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。同步動態隨機內存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結合，RAS、CAS、數據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數據和其它信號的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由于數據有效窗口的可預計性，所以可將內存劃分成4個組進行內部單元的預充電和預獲取。通過突發模式，可進行連續地址獲取而不必重復RAS選通。連續CAS選通可對來自相同行的數據進行讀取。 DDR信號質量的測試方法、測試裝置與測試設備與流程；廣東DDR測試信號完整性測試

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由于DDR4的數據速率會達到3.2GT/s以上，DDR5的數據速率更高，所以對邏輯分析儀的要求也很高，需要狀態采樣時鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps以上的數據速率。圖5.22是基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協議測試系統。圖中是通過DIMM條的適配器夾具把上百路信號引到邏輯分析儀，相應的適配器要經過嚴格測試，確保在其標稱的速率下不會因為信號質量問題對協議測試結果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號的采集和分析。 自動化DDR測試價目表DDR關于信號建立保持是的定義；

對于DDR2和DDR3，時鐘信號是以差分的形式傳輸的，而在DDR2里，DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時延是小于單端線的。根據時序仿真的結果，時鐘信號和DQS也許需要比相應的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外，必須確保時鐘線和DQS布在其相關的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個字節里，它們要有嚴格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時優先考慮布時鐘線和DQS。

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主要的DDR相關規范，對發布時間、工作頻率、數據 位寬、工作電壓、參考電壓、內存容量、預取長度、端接、接收機均衡等參數做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細對比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進，同時也在逐漸采用更先進的工藝和更復雜的技術來實現這些目標。以DDR5為例，相 對于之前的技術做了一系列的技術改進，比如在接收機內部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓練優化信號時序、支持總線反轉和鏡像引腳優化布線、支持片上 ECC/CRC提高數據訪問可靠性、支持Loopback(環回)便于IC調測等。 DDR的信號探測技術方法；

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數據抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調節模塊里的大電容可以很好的進行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。DDR的信號測試和協議測試；北京DDR測試保養

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4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠的一個SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設計中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會垂直于電容布線。5）當切換平面層時，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔，這些事先應該在EDA工具里進行很好的仿真。通常，在時域分析來看，差分線的正負兩根線要做到延時匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號要做到+/-10ps。廣東DDR測試信號完整性測試