MEMS 微納米加工是實現微型化、高集成度器件的關鍵技術，通過光刻、刻蝕、鍍膜等精密工藝，將功能結構加工至微米甚至納米級別，為生物醫療、科研、工業檢測提供器件支撐。深圳市勃望初芯半導體科技有限公司憑借深厚技術積淀，成為該領域的專業服務商 —— 其團隊源自中科先見醫療半導體團隊，自 2013 年起深耕生物醫療傳感芯片，將半導體工藝與 MEMS 技術深度融合，形成從設計到加工的全流程能力。在基礎工藝環節，公司能精細把控光刻分辨率（小線寬可達 50nm）、刻蝕深度（誤差 ±0.1μm），例如在硅基 MEMS 傳感器加工中，通過干法刻蝕工藝制作微型懸臂梁結構，梁厚控制在 2μm 以內，確保傳感器對微小振動或壓力的高靈敏度響應；同時，依托標準化潔凈車間（萬級潔凈度），避免加工過程中粉塵、雜質對納米結構的影響，保障器件一致性。這種技術實力讓勃望初芯的 MEMS 微納米加工既能滿足科研領域的定制化需求，也能適配醫療器件的規模化生產，成為客戶信賴的技術伙伴。硅片、LN 等基板金屬電極加工工藝，通過濺射沉積與剝離技術實現微米級電極圖案化。河北個性化MEMS微納米加工

MEMS傳感器的主要應用領域有哪些？

消費電子產品在MEMSDrive出現之前，手機攝像頭主要由音圈馬達移動鏡頭組的方式實現防抖(簡稱鏡頭防抖技術)，受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防抖技術：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補償抖動，但由于這個技術體積龐大、耗電量超出手機載荷，一直無法在手機上應用。憑著微機電在體積和功耗上的突破，新的技術MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達，帶動圖像傳感器在三個旋轉軸移動。MEMSDrive的防抖技術是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計算出馬達應做的移動幅度并做出快速補償。這一系列動作都要在百分之一秒內做完，你得到的圖像才不會因為抖動模糊掉。 北京MEMS微納米加工的生物傳感器超薄 PDMS（100μm 以上）與光學玻璃鍵合工藝，兼顧柔性流道與高透光性檢測需求。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。2.由于聲表面波系沿固體表面傳播，加上傳播速度極慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現在晶體基片表面上。于是當信號在器件的輸入和輸出端之間行進時，就容易對信號進行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去。完成其它技術難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術，實現的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝光顯影，形成電極圖案；再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層，***通過**剝離得到完整電極結構。電極線條寬度可控制在10-500μm，邊緣粗糙度＜5μm，接觸電阻＜1Ω?cm2。針對植入式醫療器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂層處理，通過硅烷偶聯劑共價鍵合，涂層厚度5-10nm，可將蛋白吸附量降低90%以上，炎癥反應發生率下降60%。該技術應用于神經電極時，16通道電極陣列的信號噪聲比＞20dB，可穩定記錄單個神經元放電信號達3個月以上。在傳感器領域，硅基金電極對葡萄糖的檢測靈敏度達100μA?mM?1?cm?2，線性范圍0.01-10mM，適用于血糖監測芯片。公司支持多種金屬材料（如鈦、鉑、銥）與基板的組合加工，滿足不同應用場景對電極導電性、耐腐蝕性的需求。MEMS是一種現代化的制造技術。

高精度姿態/軌道測量新方法并研制了MEMS磁敏感器、MIMU慣性微系統、MEMS太陽敏感器、納\皮型星敏感器等空間微系統，相關成果填補了多項國內空白，已在探月工程、高分專項等國家重大工程以及國內外百余顆型號衛星中得到應用推廣，并實現了出口歐、美、日等國。在我國率先開展了微納航天器的技術創新與工程實踐，將三軸穩定方式用于25kg以下的微小衛星，成功研制并運行了國內納型衛星NS-1衛星，也是當時世界上在軌飛行的“輪控三軸穩定衛星”（2004年）。2015年研制并發射了NS-2（10公斤量級）MEMS技術試驗衛星，成功開展了基于MEMS的空間微型化器組件試驗研究。NS-2衛星的有效載荷包括納型星敏感器、低功耗MEMS太陽敏感器、硅基MEMS陀螺、MEMS石英音叉陀螺、MEMS磁強計、北斗-II/GPS接收機等自主研發的MEMS器件及微系統。同時還成功研制并發射皮型ZJ-1（100克量級）MEMS技術試驗衛星，采用單板集成的綜合電子系統，搭載試驗商用微型CMOS相機，MEMS磁強計、新型商用電子元器件。MEMS微流控芯片是什么？遼寧MEMS微納米加工特征

MEMS傳感器基本構成是什么？河北個性化MEMS微納米加工

    高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝，將襯底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封裝。該技術突破了高壓器件與低壓電路的集成瓶頸，推動MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向發展，在植入式醫療設備、工業控制傳感器等領域具有廣闊應用前景。 河北個性化MEMS微納米加工