針對等離子體刻蝕環境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍寶石覆層與氮化鋁基底的復合結構，表面硬度達莫氏9級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落！加熱盤內部嵌入鉬制加熱絲，經后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至500℃，控溫精度±1℃！底部設計環形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調節系統，快速響應刻蝕過程中的溫度波動！設備采用全密封結構，電氣強度達2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環境中絕緣性能穩定，適配中微半導體刻蝕機等主流設備，為圖形轉移工藝提供可靠溫控！遠程監控功能可選，實時掌握設備狀態，智能便捷管理。甘肅高精度均溫加熱盤定制

在半導體離子注入工藝中，國瑞熱控配套加熱盤以穩定溫控助力摻雜濃度精細控制！其采用耐高溫合金基材，經真空退火處理消除內部應力，可在400℃高溫下長期穩定運行而不變形！加熱盤表面噴涂絕緣耐離子轟擊涂層，避免電荷積累對注入精度的干擾，同時具備優良的導熱性能，能快速將晶圓預熱至設定溫度并保持恒定！設備配備雙路溫度監測系統，分別監控加熱元件與晶圓表面溫度，當出現偏差時自動啟動調節機制，溫度控制精度達±1℃！適配不同型號離子注入機，通過標準化接口實現快速安裝，為半導體摻雜工藝的穩定性與重復性提供有力支持！徐州半導體加熱盤結構緊湊安裝便捷，多重安全保護，使用安心無顧慮。

國瑞熱控針對半導體量子點制備需求，開發**加熱盤適配膠體化學合成工藝。采用聚四氟乙烯密封腔體與不銹鋼加熱基體復合結構，耐有機溶劑腐蝕，且無金屬離子溶出污染量子點溶液。內置高精度溫度傳感器，測溫精度達 ±0.1℃，溫度調節范圍 25℃-300℃，支持 0.1℃/ 分鐘的慢速升溫，為量子點成核、生長提供精細熱環境。配備磁力攪拌協同系統，使溶液溫度與攪拌速率同步可控，確保量子點尺寸均一性（粒徑偏差小于 5%）。與中科院化學所等科研團隊合作，成功制備 CdSe、PbS 等多種量子點，其熒光量子產率達 80% 以上，為量子點顯示、生物成像等領域提供**制備設備。

借鑒晶圓鍵合工藝的技術需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創新采用真空吸附與彈簧壓塊復合結構，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復合基材，兼具低熱膨脹系數與高導熱性，溫度均勻性達 ±1.5℃，適配室溫至 450℃的鍵合溫度需求。底部設計雙層隔熱結構，***層阻隔熱量向下傳導，第二層快速散熱避免設備腔體溫升過高。配備精細壓力控制模塊，可根據鍵合類型調整吸附力，在硅 - 硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率。嚴格老化測試性能檢驗，確保產品零缺陷，品質有保障。

國瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導體刻蝕環節的精細溫控設計，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題。產品采用藍寶石覆層與鋁合金基體復合結構，表面經拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷。加熱盤與靜電卡盤協同適配，通過底部導熱紋路優化，使熱量快速傳導至晶圓背面，溫度響應時間縮短至 10 秒以內。支持溫度階梯式調節功能，可根據刻蝕深度需求設定多段溫度曲線，適配硅刻蝕、金屬刻蝕等不同工藝場景。設備整體符合半導體潔凈車間 Class 1 標準，拆卸維護無需特殊工具，大幅降低生產線停機時間。寬泛工作溫度范圍，滿足低溫烘烤到高溫燒結不同需求。普陀區晶圓級陶瓷加熱盤非標定制

持續改進服務理念，聽取客戶反饋，不斷提升產品性能。甘肅高精度均溫加熱盤定制

借鑒晶圓鍵合工藝的技術需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創新采用真空吸附與彈簧壓塊復合結構，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在0.02mm以內！加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復合基材，兼具低熱膨脹系數與高導熱性，溫度均勻性達±1.5℃，適配室溫至450℃的鍵合溫度需求！底部設計雙層隔熱結構，***層阻隔熱量向下傳導，第二層快速散熱避免設備腔體溫升過高！配備精細壓力控制模塊，可根據鍵合類型調整吸附力，在硅-硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率！甘肅高精度均溫加熱盤定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司在同行業領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創新的市場高度，多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準，在江蘇省等地區的電工電氣中始終保持良好的商業口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環境，富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新，勇于進取的無限潛力，無錫市國瑞熱控科技供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！