臺積電2月宣布將在日本成立研發中心時，日本芯片相關產業感振奮；日經好聞報導，說服臺積電赴日投資的過程相當曲折，也凸顯日本半導體產業的困境。1980和1990年代，NEC、東芝和日立一度全球芯片業，但局勢在2000年代出現變化；隨著芯片的設計和制造分家，臺積電等晶圓代工業者開始崛起。高通等型芯片把資源傾注在研發領域，把制造的部分委外代工，日本的瑞薩（Renesas）等業者也跟隨這個趨勢；十年前，日本的晶圓廠已從22座減少至九座；這樣的轉變，讓日本失去進步制程的優勢，且難以扭轉局勢。現在半導體國產化高速發展中，用芯盒子就是可以查詢國產替代的網站。使用電子元器件貨源充足
彭博資訊報導，受到情況影響，有數百萬計的人在家工作，但寬頻網通設備受到芯片缺貨影響，從下單到到貨的交貨期將長達60周；目前博通（Broadcom）供應的芯片等路由器所需零組件，「前置時間」已拉長一倍到一年以上。博通執行長陳福陽上個月已曾表示，今年90%的供應都已被訂走。路由器廠、合勤控旗下合勤科技的歐洲地區主管葛威克（KarstenGewecke）表示，從今年1月起，已經通知寬頻網路業者商等客戶要提前一年下單采購。外電也報導，美國電信設供應商ADTRAN因應供應鏈風險跟交貨期拉長，向客戶發出警告，同時也提升庫存及物流能力。四川高通電子元器件用芯盒子的目標是助力國產化進程發展。
傳出德州停電將對NANDFlash供給產生影響，不過，法人機構表示，事實上內存為戰略投資產品，三星在海外投資很謹慎，據三星生產基地分布來看，SamsungDRAM全部在韓國本土生產，NANDFlash則有70%在韓國生產，25%以上在中國生產，其中華城Fab13、Fab15為DRAM生產工廠，華城Fab12和中國西安一期生產NANDFlash，華城Fab16、Fab17、平澤P1以及正在好建的P2為NANDFlash和DRAM混合工廠，因此德州奧斯汀停電對三星內存供給的影響是有限。另一個值得注意的有趣點是IP業務與半導體業務（減去內存業務，DRAM和閃存）相比所占的百分比。當半導體（較少內存）市場從3020億美元增長到3220美元時，即提升了6.8％后，IP市場增長了16.7％，幾乎比半導體市場多10％。
美光近的技術成就是杰出的。該公司于2021年1月完成了世界上之一個1αnmDRAM的開發。它還在2020年11月推出了世界上之一個176層3DNAND。與過去相比，美光曾經在DRAM和NAND市場上排名第二或第三，這與過去形成了鮮明的對比。這與近擁有佳技術的家用存儲器半導體廠商的研發能力下降相反。就該行業的相對回報而言，美光有望在未來發揮領導作用。該公司的技術成就之所以得以實現，有以下幾個原因：如果我們認為IoT或MCU是真實的，但由于過于分散而無法帶來同樣的巨大機遇，那么我們認為ARM的下一個目標市場將是汽車，數據中心或AI。ARM管理層花了一些時間才得出這個結論，這也許就是他們將IoTARM轉移到Softbank的原因。為此他推出了全新的基于Arm架構打造的CPUGrace，希望借助這個新處理器以及自有的NVlink來解決這個數據瓶頸問題。關注用芯盒子，關注國產半導體。
第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與之一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優勢，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。據集邦咨詢（TrendForce）指出，因情況趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領域營收可達6.8億美元，年增32%。各大半導體行業都想要入駐用芯盒子，早入駐早享受。四川高通電子元器件
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得益于2015年以3.5億美元收購了AnnapurnaLabs，亞馬遜云服務公司（AWS）可以借助基于Arm的CPU和相關的DPU來開拓自己的道路。但是在可預見的將來，它必須提供基于X86處理器（可能同時來自Intel和AMD），因為這是世界上多數IT商店運行其多數應用程序的芯片。對于云客戶而言，他們在交換機或路由ASIC上并沒有像CPU那樣明確的支持，這就是為什么我們認為，正如傳聞中的那樣，AWS可能實際上正在考慮制造自己的交換機ASIC新華三半導體在多核處理器、高性能片上網絡、高速以太網接口、高速網絡處理、高速Memory控制器等領域擁有豐富的研發經驗，在網絡處理器芯片、交換網芯片、多核CPU芯片等領域具備自主研發能力，能夠為我國各通信設備企業提供富有競爭力的網絡通信芯片解決方案，為5G網絡發展提供高效、安全、可靠的承載網骨干設備。存內計算就是為了解決內存墻問題而提出的方案。如前所述，馮諾依曼架構的計算機系統把存儲器和處理器分割成了兩個部分，而處理器頻繁訪問存儲器的開銷就形成了內存墻。存內計算的基本思路就是把計算和存儲合二為一。使用電子元器件貨源充足