半導體晶圓是一種薄而平的半導體材料圓片，組成通常為硅，主要用于制造集成電路（IC）和其他電子器件的基板。晶圓是構(gòu)建單個電子組件和電路的基礎(chǔ)，各種材料和圖案層在晶圓上逐層堆疊形成。由于優(yōu)異的電子特性，硅成為了常用的半導體晶圓材料。根據(jù)摻雜物的添加，硅可以作為良好的絕緣體或?qū)w。此外，硅的儲量也十分豐富，上述這些特性都使其成為半導體行業(yè)的成本效益選擇。其他材料如鍺、氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和碳化硅（SiC）也具有一定的適用場景，但它們的市場份額遠小于硅。晶圓切割后分選設(shè)備中清航科集成方案，效率達6000片/小時。浙江晶圓切割測試

中清航科設(shè)備搭載AI參數(shù)推薦引擎，通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進給量及冷卻流量。機器學習模型基于10萬+案例庫持續(xù)優(yōu)化，將工藝調(diào)試時間從48小時縮短至2小時，快速響應客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大，傳統(tǒng)切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導劈裂技術(shù)（LIPS），通過精確控制激光熱影響區(qū)引發(fā)材料沿晶向解理，切割速度達200mm/s，崩邊<10μm，滿足新能源汽車功率器件嚴苛標準。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機械手聯(lián)動精度±5μm，兼容SECS/GEM協(xié)議實現(xiàn)MES系統(tǒng)對接。模塊化設(shè)計支持產(chǎn)能彈性擴展，單線UPH（每小時產(chǎn)能）提升至120片，人力成本降低70%。泰州碳化硅晶圓切割測試中清航科推出切割機租賃服務，降低客戶初期投入成本。

大規(guī)模量產(chǎn)場景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動切割生產(chǎn)線，集成自動上下料、在線檢測與NG品分揀功能，單臺設(shè)備每小時可處理30片12英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺實現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預帶來的質(zhì)量波動。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過局部深冷處理增強晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進封裝工藝提供可靠的晶圓預處理保障。

為滿足半導體行業(yè)的快速交付需求，中清航科建立了高效的設(shè)備生產(chǎn)與交付體系。采用柔性化生產(chǎn)模式，標準型號切割設(shè)備可實現(xiàn)7天內(nèi)快速發(fā)貨，定制化設(shè)備交付周期控制在30天以內(nèi)。同時提供門到門安裝調(diào)試服務，配備專業(yè)技術(shù)團隊全程跟進，確保設(shè)備快速投產(chǎn)。在晶圓切割的工藝參數(shù)優(yōu)化方面，中清航科引入實驗設(shè)計（DOE）方法。通過多因素正交試驗，系統(tǒng)分析激光功率、切割速度、焦點位置等參數(shù)對切割質(zhì)量的影響，建立參數(shù)優(yōu)化模型，可在20組實驗內(nèi)找到比較好工藝組合，較傳統(tǒng)試錯法減少60%的實驗次數(shù)，加速新工藝開發(fā)進程。中清航科切割液回收系統(tǒng)降低耗材成本35%，符合綠色制造。

對于高價值的晶圓產(chǎn)品，切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置二維碼追溯系統(tǒng)，每片晶圓進入設(shè)備后都會生成單獨的二維碼標識，全程記錄切割時間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測結(jié)果等信息，可通過掃碼快速查詢?nèi)鞒虜?shù)據(jù)，為質(zhì)量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面，中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制，開發(fā)出激光倒角技術(shù)。可在切割的同時完成晶圓邊緣的圓弧處理，倒角半徑可精確控制在5-50μm范圍內(nèi)，有效減少邊緣應力集中，提高晶圓的機械強度。該技術(shù)特別適用于需要多次搬運與清洗的晶圓加工流程。5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線偏移量＜0.8μm。常州碳化硅晶圓切割測試

切割機預測性維護平臺中清航科上線，關(guān)鍵部件壽命預警準確率99%。浙江晶圓切割測試

晶圓切割作為半導體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響芯片的良率與性能。中清航科憑借多年行業(yè)積淀，研發(fā)出高精度激光切割設(shè)備，可實現(xiàn)小切割道寬達20μm，滿足5G芯片、車規(guī)級半導體等領(lǐng)域的加工需求。其搭載的智能視覺定位系統(tǒng)，能實時校準晶圓位置偏差，將切割精度控制在±1μm以內(nèi)，為客戶提升30%以上的生產(chǎn)效率。在半導體產(chǎn)業(yè)快速迭代的當下，晶圓材料呈現(xiàn)多元化趨勢，從傳統(tǒng)硅基到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體，切割工藝面臨更大挑戰(zhàn)。中清航科針對性開發(fā)多材料適配切割方案，通過可調(diào)諧激光波長與動態(tài)功率控制技術(shù)，完美解決硬脆材料切割時的崩邊問題，崩邊尺寸可控制在5μm以下，助力第三代半導體器件的規(guī)模化生產(chǎn)。浙江晶圓切割測試