隨著Chiplet技術的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續的異構集成。中清航科開發的納米級定位切割系統，采用氣浮導軌與光柵尺閉環控制，定位精度達到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進行實時校準，確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過0.5μm，為Chiplet的高精度互聯奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規格、材料特性與產能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形Die的切割路徑優化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導體企業完成定制化項目交付。采用中清航科激光隱形切割技術，晶圓分片效率提升40%以上。鹽城半導體晶圓切割寬度

針對小批量多品種的研發型生產需求，中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設計的切割設備可在30分鐘內完成不同規格晶圓的換型調整，配合云端工藝數據庫，存儲超過1000種標準工藝參數，工程師可快速調用并微調，大幅縮短新產品導入周期，為科研機構與初創企業提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測環節直接關系到后續封裝的質量。中清航科將AI視覺檢測技術與切割設備深度融合，通過深度學習算法自動識別切割面的微裂紋、缺口等缺陷，檢測精度達0.5μm，檢測速度提升至每秒300個Die，實現切割與檢測的一體化流程，避免不良品流入下道工序造成的浪費。徐州碳化硅線晶圓切割劃片廠中清航科切割道檢測儀實時反饋數據，動態調整切割參數。

在晶圓切割設備的自動化升級浪潮中，中清航科走在行業前列。其新推出的智能切割單元，可與前端光刻設備、后端封裝設備實現無縫對接，通過SECS/GEM協議完成數據交互，實現半導體生產全流程的自動化閉環。該單元還具備自我診斷功能，能提前預警潛在故障，將非計劃停機時間減少60%，為大規模生產提供堅實保障。對于小尺寸晶圓的切割，傳統設備往往面臨定位難、效率低的問題。中清航科專門設計了針對2-6英寸小晶圓的切割工作站，采用多工位旋轉工作臺，可同時處理8片小晶圓，切割效率較單工位設備提升4倍。配合特制的彈性吸盤，能有效避免小晶圓吸附時的損傷，特別適合MEMS傳感器、射頻芯片等小批量高精度產品的生產。

晶圓切割是半導體封裝的中心環節，傳統刀片切割通過金剛石砂輪實現材料分離。中清航科研發的超薄刀片（厚度15-20μm）結合主動冷卻系統，將切割道寬度壓縮至30μm以內，崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術可適配8/12英寸晶圓，切割速度提升40%，為LED、MEMS器件提供經濟高效的解決方案。針對超薄晶圓（<50μm）易碎裂難題，中清航科激光隱形切割系統采用紅外脈沖激光在晶圓內部形成改性層，通過擴張膜實現無應力分離。該技術消除機械切割導致的微裂紋，良率提升至99.3%，尤其適用于存儲芯片、CIS等器件，助力客戶降低材料損耗成本。中清航科切割機節能模式降低功耗40%，年省電費超15萬元。

中清航科原子層精切技術：采用氬離子束定位轟擊（束斑直徑2nm），實現石墨烯晶圓無損傷分離。邊緣鋸齒度<5nm，電導率波動控制在±0.5%，滿足量子芯片基材需求。中清航科SmartCool系統通過在線粘度計與pH傳感器，實時調整冷卻液濃度（精度±0.1%）。延長刀具壽命40%，減少化學品消耗30%，單線年省成本$12萬。中清航科開發振動指紋庫：采集設備運行特征頻譜，AI定位振動源（如電機偏心/軸承磨損）。主動抑制系統將振動能量降低20dB，切割線寬波動<±0.5μm。中清航科切割液回收系統降低耗材成本35%，符合綠色制造。嘉興碳化硅線晶圓切割劃片

5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線偏移量＜0.8μm。鹽城半導體晶圓切割寬度

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設備采用漸進式壓力控制技術，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩定，延長刀片壽命200小時以上呢。鹽城半導體晶圓切割寬度