文中設(shè)計的電路利用RC充放電電路來實現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動電路框圖。維持電流補償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補償電路的電流。當輸入電流較小時，維持電流補償電路上流過較大的電流;當輸入電流較大時，維持電流補償電路關(guān)斷，維持電流補償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實驗中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器，其**小導(dǎo)通角約為30°。BJT驅(qū)動電路：使用雙極型晶體管（BJT）來驅(qū)動負載，適合低頻應(yīng)用。靜安區(qū)制造驅(qū)動電路專賣店

推挽驅(qū)動是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負責正負半周的波形放大任務(wù),電路工作時，兩只對稱的功率開關(guān)管每次只有一個導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。如果輸出級的有兩個三極管，始終處于一個導(dǎo)通、一個截止的狀態(tài)，也就是兩個三級管推挽相連，這樣的電路結(jié)構(gòu)稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當輸出低電平時，也就是下級負載門輸入低電平時，輸出端的電流將是下級門灌入T4；當輸出高電平時，也就是下級負載門輸入高電平時，輸出端的電流將是下級門從本級電源經(jīng) T3、D1 拉出。黃浦區(qū)本地驅(qū)動電路量大從優(yōu)IGBT的驅(qū)動電路一般采用驅(qū)動芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。

門極驅(qū)動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅(qū)動器總功率 P = PG + PS（驅(qū)動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關(guān)頻率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值電流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)沒有給出，門極電壓在上升過程中的充電過程也沒有描述。這時候比較好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -

根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過增益電路后可得電流參考為：式中k為增益，VC為RC充放電電路的輸入電壓，τ為RC的時間系數(shù)，θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對應(yīng)的輸出為零，即電路輸出的**大值對應(yīng)電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達式如式(3)所示。在斬波角為θ時，電路對應(yīng)的輸入功率為：式中Vp為輸入電壓峰值，Rin為等效輸入阻抗。假設(shè)電路的變換效率為η，且電路的輸出功率為PO=IO·UO，則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數(shù)如式(6)所示。由單個電子元器件連接起來組成的驅(qū)動電路，多用于功能簡單的小功率驅(qū)動場合。

在需要使用比較多的led產(chǎn)品時，如果將所有的LED串聯(lián)，將需要LED驅(qū)動器輸出較高的電壓：如果將所有的LED并聯(lián)，則需要LED驅(qū)動器輸出較大的電流。將所有的LED串聯(lián)或并聯(lián)，不但限制著LED的嚴使用量，而且并聯(lián)LED負載電流較大，驅(qū)動器的成本也會增加，解決辦法是采用混聯(lián)方式。串、并聯(lián)的LED數(shù)量平均分配，這樣，分配在一個LED串聯(lián)支路上的電壓相同，同一個串聯(lián)支路中每個LED上的電流也基本相同，亮度一致，同時通過每個串聯(lián)支路的電流也相近。 [1]驅(qū)動電路是用于控制和驅(qū)動其他電路或設(shè)備的電路。靜安區(qū)制造驅(qū)動電路專賣店

根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求，還有推挽驅(qū)動、隔離驅(qū)動、加速關(guān)斷驅(qū)動等多種設(shè)計方案。靜安區(qū)制造驅(qū)動電路專賣店

驅(qū)動電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅(qū)動電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強的抗干擾能力，避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅(qū)動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現(xiàn)電路的電磁隔離，是一種電路簡單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過寬，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過窄，為驅(qū)動?xùn)艠O關(guān)斷所存儲的能量可能不夠。靜安區(qū)制造驅(qū)動電路專賣店

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