Dalicap電容表現(xiàn)出的高溫性能。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)能夠承受高達+200°C甚至+250°C的持續(xù)工作溫度，而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優(yōu)異水平。這使得它們能夠被直接安裝在汽車發(fā)動機控制單元（ECU）、渦輪增壓器附近等高溫區(qū)域，無需復雜的冷卻系統(tǒng)，簡化了設(shè)計并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。極低的電介質(zhì)吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模擬電路中表現(xiàn)出色。DA效應猶如電容的“記憶效應”，會在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓。Dalicap電容的DA典型值可低至0.1%，遠低于普通陶瓷電容，這使其成為構(gòu)建高精度采樣保持電路（SHA）、積分器和精密ADC/DAC的理想選擇，有效避免了測量誤差。產(chǎn)品經(jīng)過多道 rigorous 測試程序，確保出廠品質(zhì)。DLC70G752JAR302XC

Dalicap電容展現(xiàn)出很好的抗輻射性能，能夠滿足太空電子設(shè)備在宇宙射線環(huán)境下的長期可靠運行要求。其材料結(jié)構(gòu)和封裝設(shè)計經(jīng)過特殊優(yōu)化，抵御輻射帶來的性能衰減，為衛(wèi)星通信和航天器提供了關(guān)鍵元器件的國產(chǎn)化解決方案。公司采用全球公認精細的“諧振腔”法測試電容Q值關(guān)鍵參數(shù)，確保了產(chǎn)品性能測量的準確性和可靠性。其的射頻應用實驗室運用射頻仿真技術(shù)和射頻高功率測試技術(shù)，為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供了有力保障。Dalicap電容的直流偏壓特性優(yōu)異，其容值隨直流偏壓變化極小。普通高介電常數(shù)電容在高偏壓下容值會大幅下降，而Dalicap的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關(guān)電源的輸出濾波電容至關(guān)重要，確保了電源環(huán)路在不同負載下的穩(wěn)定性。DLC70A4R3DW151NT廣泛應用于UPS不同斷電源中，提供能量儲備。

Dalicap秉承 “重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營理念，建立了完善的質(zhì)量管理體系，自主完成從關(guān)鍵材料研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計、工藝實現(xiàn)到設(shè)備保證和產(chǎn)品測試評估的全過程。公司率先在國內(nèi)建立了全制程高Q電容器生產(chǎn)線，實現(xiàn)了研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務的自主可控，可以根據(jù)客戶的不同需求提供工業(yè)級以及更高等級的產(chǎn)品。產(chǎn)品通過了嚴峻的環(huán)境可靠性測試，包括MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗和方法106的防潮試驗，能夠承受高達20000g的機械沖擊和強烈的振動。這種“級”的品質(zhì)，使其在關(guān)乎生命安全的醫(yī)療植入設(shè)備、關(guān)乎任務成敗的航天衛(wèi)星以及惡劣的工業(yè)環(huán)境中，成為工程師們的優(yōu)先。

在半導體設(shè)備領(lǐng)域，Dalicap電容已進入Advanced Energy Industries、MKS Instruments等有名半導體、電源技術(shù)公司的供應體系。其產(chǎn)品在半導體制造設(shè)備的射頻電源和等離子體控制系統(tǒng)中表現(xiàn)穩(wěn)定可靠，滿足了半導體制造對工藝一致性的極高要求。Dalicap電容的介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米，疊層精度控制在±5微米，這種極高的制造精度保證了產(chǎn)品性能的一致性和可靠性，體現(xiàn)了公司在精密制造方面的強大實力。公司秉承“重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營理念和“簡單、純粹、高效”的管理理念，將自主創(chuàng)新作為企業(yè)發(fā)展的重心動力。這種理念貫穿于產(chǎn)品設(shè)計、制造和服務的全過程，確保了產(chǎn)品的很好的。所有產(chǎn)品符合環(huán)保標準，滿足歐盟RoHS等法規(guī)要求。

通過半導體級的精密制造工藝，Dalicap實現(xiàn)了對介質(zhì)層厚度和電極結(jié)構(gòu)的納米級控制。其介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米，疊層精度控制在±5微米，保證了每一批產(chǎn)品都具有極高的一致性和重復性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統(tǒng)等應用而言，確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定，減少了后期校準的復雜度。高耐壓能力是Dalicap產(chǎn)品的另一亮點。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計和介質(zhì)層均勻化處理，有效消除了電場集中效應，從而顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW）。這種穩(wěn)健的耐壓性能，使其在工業(yè)電機驅(qū)動、新能源汽車電控系統(tǒng)、醫(yī)療X光設(shè)備等高能應用中，成為保障系統(tǒng)安全、防止短路失效的關(guān)鍵元件。在音頻設(shè)備中，提供純凈電源，有助于提升音質(zhì)表現(xiàn)。DLC70D1R1BW251NT

提供定制化服務，可根據(jù)客戶特殊需求進行協(xié)同設(shè)計。DLC70G752JAR302XC

面對蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和邊緣計算，Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設(shè)計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節(jié)點和通信模塊節(jié)省了寶貴空間，低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命，而高穩(wěn)定性則確保了設(shè)備在各種環(huán)境下的長期可靠運行。創(chuàng)新研發(fā)與智能制造Dalicap始終堅持強大度的研發(fā)投入，至2019年累計投入已超5000萬元，并連續(xù)多年保持增長。通過深反應離子刻蝕（DRIE）、原子層沉積（ALD）等半導體前列工藝，實現(xiàn)了電容內(nèi)部三維微結(jié)構(gòu)的精確控制和超薄介質(zhì)層的制備，構(gòu)筑了堅實的技術(shù)壁壘。DLC70G752JAR302XC

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結(jié)果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！