ATC芯片電容采用的鈦酸鍶鋇(BST)陶瓷配方，通過納米級(jí)晶界工程實(shí)現(xiàn)了介電常數(shù)的溫度補(bǔ)償特性。在40GHz毫米波頻段下仍能保持±2%容值偏差，這一指標(biāo)達(dá)到國際電信聯(lián)盟(ITU)對(duì)6G候選頻段的元件要求。例如在衛(wèi)控陣?yán)走_(dá)中，其群延遲波動(dòng)小于0.1ps（相當(dāng)于信號(hào)傳輸路徑差0.03mm），相較普通MLCC的5%容差優(yōu)勢(shì)明顯。NASA的LEO環(huán)境測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，在-65℃至+125℃的極端溫度循環(huán)中，其介電損耗角正切值(tanδ)始終維持在0.0001以下，這一特性使其成為深空探測(cè)器電源管理模塊的優(yōu)先元件。日本Murata的對(duì)比實(shí)驗(yàn)表明，在28GHz5G基站場(chǎng)景下，ATC電容的諧波失真比傳統(tǒng)元件降低42dBc。內(nèi)部采用銅銀復(fù)合電極結(jié)構(gòu)，在高溫高濕環(huán)境下仍保持優(yōu)異的導(dǎo)電性和抗遷移能力。116ZDB430K100TT

ＡＴＣ芯片電容的可靠性經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試和驗(yàn)證，包括壽命測(cè)試、熱沖擊、防潮性等多項(xiàng)環(huán)境試驗(yàn)。例如，其可承受ＭＩＬ－ＳＴＤ－２０２方法１０７的熱沖擊試驗(yàn)和方法１０６的防潮試驗(yàn)，確保了在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。這種高可靠性使得它在、航空航天和醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。在電源管理應(yīng)用中，ＡＴＣ芯片電容的低ＥＳＲ特性顯著提高了電源濾波和去耦效果。其能夠有效抑制電源噪聲和紋波，提供穩(wěn)定潔凈的電源輸出，適用于高性能處理器、ＡＩ加速器和數(shù)據(jù)中心電源分配網(wǎng)絡(luò)（ＰＤＮ）。例如，在ＡＩ服務(wù)器的ＰＤＮ設(shè)計(jì)中，這種電容確保了高功耗芯片的電源完整性，避免了因電壓波動(dòng)導(dǎo)致的性能下降。116YHC390G100TT提供多種封裝形式，包括表面貼裝、插件式和特殊高頻封裝。

針對(duì)高頻應(yīng)用中的寄生效應(yīng)，ATC芯片電容進(jìn)行了性的電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化。其采用的三維多層電極設(shè)計(jì)，通過精細(xì)控制金屬層（通常為賤金屬鎳或銅，或貴金屬銀鈀）的厚度、平整度及疊層結(jié)構(gòu)，比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設(shè)計(jì)將等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）降至很好，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。在GHz頻段的射頻電路中，這種低ESL/ESR特性意味著信號(hào)路徑上的阻抗幾乎為純?nèi)菪裕瑯O大地降低了插入損耗和能量反射，保證了信號(hào)傳輸?shù)耐暾耘c效率。

醫(yī)療電子，特別是植入式醫(yī)療設(shè)備（如起搏器、神經(jīng)刺激器），對(duì)元件的可靠性和生物兼容性要求極高。ATC芯片電容的陶瓷氣密封裝本身具有極高的惰性，不會(huì)與體液發(fā)生反應(yīng)。其很好的長期穩(wěn)定性和可靠性，確保了這些“生命攸關(guān)”的設(shè)備在人體內(nèi)能夠持續(xù)、穩(wěn)定地工作數(shù)十年，無需因元件失效而進(jìn)行高風(fēng)險(xiǎn)的手術(shù)更換。寬廣的容值范圍（從0.1pF的微小值到數(shù)微法拉的較大值）使ATC電容能夠覆蓋從射頻、微波到電源管理的幾乎所有電路應(yīng)用。設(shè)計(jì)師可以在同一個(gè)平臺(tái)上，為系統(tǒng)中的高頻信號(hào)處理和低頻電源濾波選擇同品牌、同品質(zhì)的電容，這簡化了供應(yīng)鏈管理，并保證了系統(tǒng)整體性能的協(xié)調(diào)一致。在毫米波頻段保持穩(wěn)定性能，支持下一代通信技術(shù)。

其介質(zhì)材料具有極低的損耗角正切值（DF＜0.1%），明顯降低了高頻應(yīng)用中的能量耗散。這不僅有助于提升射頻功率放大器效率，還能減少系統(tǒng)發(fā)熱，延長電子設(shè)備的使用壽命，尤其適合高功率密度基站和長期連續(xù)運(yùn)行的通信基礎(chǔ)設(shè)施。ATC電容采用獨(dú)特的陶瓷-金屬復(fù)合電極結(jié)構(gòu)和多層共燒工藝，使其具備優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和抗彎曲性能。在振動(dòng)強(qiáng)烈或機(jī)械應(yīng)力頻繁的環(huán)境中（如軌道交通控制系統(tǒng)、重型機(jī)械電子設(shè)備），仍能保持結(jié)構(gòu)完整性和電氣連接的可靠性。產(chǎn)生噪聲極低，適合傳感器信號(hào)調(diào)理和微弱信號(hào)檢測(cè)。CDR13BG0R6EBSM

ATC芯片電容采用獨(dú)特的氮化硅薄膜技術(shù)，明顯提升介質(zhì)擊穿強(qiáng)度，確保在超高電場(chǎng)下的工作穩(wěn)定性。116ZDB430K100TT

在高頻功率處理能力方面，ATC電容能承受較高的射頻電流，其熱管理性能優(yōu)異，即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中，仍能保持低溫升和高可靠性，適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列（如0201、0402封裝）在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間，為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測(cè)試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn)，完全滿足汽車電子對(duì)元器件的嚴(yán)苛可靠性要求，廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統(tǒng)。在脈沖應(yīng)用場(chǎng)景中，ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻，可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌，為激光驅(qū)動(dòng)器、雷達(dá)調(diào)制器和電磁發(fā)射裝置提供穩(wěn)定的能量存儲(chǔ)和釋放功能。116ZDB430K100TT

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！