并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。可關(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn)，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)。公司實(shí)力雄厚，產(chǎn)品質(zhì)量可靠。青島MTDC200晶閘管智能模塊

    2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見(jiàn)圖2。由圖顯見(jiàn)，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標(biāo)位置不同）。追問(wèn)：兄弟圖呢？回答：變頻器的基本工作原理是，首先將三相/單相交流電通過(guò)整流，使之變成直流電壓，為了保證直流電壓的穩(wěn)定，在正負(fù)兩端連接電解電容；為了提高輸入測(cè)的功率因數(shù)及減少電容的紋波電流，很多變頻器都配置直流再經(jīng)過(guò)逆變模塊的作用。青島MTDC200晶閘管智能模塊正高電氣是多層次的模式與管理模式。

    [1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見(jiàn)的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號(hào)為“VT”，圖形符號(hào)如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開(kāi)始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個(gè)管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時(shí)，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測(cè)單結(jié)晶體管時(shí)，萬(wàn)用表置于“R×1k”擋。

    引理**近有朋友說(shuō)關(guān)于加熱爐出現(xiàn)燒毀晶閘管的問(wèn)題，事情起源為公司設(shè)計(jì)了一個(gè)加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設(shè)計(jì)連接方式為星形連接，其中一臺(tái)設(shè)備采用了三角形連接方式，結(jié)果晶閘管經(jīng)常被燒毀，問(wèn)這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個(gè)問(wèn)題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個(gè)方面進(jìn)行分析。本文分析采用理論與實(shí)際相結(jié)合形式，讀者根據(jù)需求選擇部分章節(jié)進(jìn)行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導(dǎo)通控制電阻絲功率的調(diào)功器。調(diào)功器的控制方式：晶閘管零電壓開(kāi)關(guān)，在時(shí)間周期T內(nèi)，晶閘管全導(dǎo)通周波數(shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間Tm，晶閘管關(guān)閉時(shí)間T-Tm，采用控制方式通常為PID控制，根據(jù)當(dāng)前溫度與目標(biāo)控制溫度差值，PID調(diào)節(jié)器輸出值決定導(dǎo)通周波數(shù)時(shí)間，在晶閘管導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載電壓等于相電壓，在晶閘管關(guān)段時(shí)，負(fù)載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯(lián)星接每個(gè)控制周期T的平均電壓為：每個(gè)控制周期T的電阻加熱量為：可見(jiàn)電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大，加熱量越大。而電爐子的傳遞函數(shù)仍然可用《自動(dòng)控制原理》一文中的公式進(jìn)行計(jì)算。正高電氣擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)力量。

    調(diào)試告結(jié)束。13、注意事項(xiàng)，請(qǐng)取下控制板，否則可能造成控制板長(zhǎng)久性損壞。，恕不另行通知。，本公司概不負(fù)責(zé)。MPU器件是一種CMOS器件，使用時(shí)應(yīng)注意，器件的兩個(gè)引腳之間嚴(yán)禁短路，否則將損壞芯片，為保護(hù)器件的安全，因此忌用萬(wàn)用表直接測(cè)量器件的引腳。，控制板上有高壓電，請(qǐng)注意，以免觸電。14.問(wèn)題討論控制電路上已經(jīng)把過(guò)壓保護(hù)電平固定在額定輸出電壓的，當(dāng)進(jìn)行定額電壓整定時(shí)，過(guò)壓保護(hù)就自動(dòng)整定好了。若覺(jué)得，可改變控制板上的R28電阻值，減小R28，過(guò)壓保護(hù)電平增高；反之減小。控制電路上已經(jīng)把過(guò)流保護(hù)電平固定在額定直流電流的，當(dāng)進(jìn)行額定電流的整定時(shí)，過(guò)流保護(hù)就自動(dòng)設(shè)定好。若覺(jué)得，增大R27，過(guò)流保護(hù)電平增高，反之減小。當(dāng)，可在系統(tǒng)運(yùn)行于重負(fù)荷下，逆時(shí)針調(diào)節(jié)控制板上的W1電流反饋微調(diào)電位器，使直流表達(dá)到額定值。這與一般的中頻電源的電源整定是一樣的。一定要使它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率，否則，系統(tǒng)由于它激頻率的“拽著”而不能正常運(yùn)行。它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率。對(duì)熔煉負(fù)載來(lái)說(shuō)，恒功率輸出是很重要的，要想使恒功率的范圍大，就要使逆變引前角從**小變到比較大的范圍盡可能的大，同時(shí)負(fù)載阻抗的匹配也很重要。正高電氣不懈追求產(chǎn)品質(zhì)量，精益求精不斷升級(jí)。青島MTDC200晶閘管智能模塊

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    直流電壓波形應(yīng)該幾乎全放開(kāi)（A≈0°），6個(gè)波頭都全在，若中頻電源為380V輸入，此時(shí)的直流電壓表應(yīng)為指示在520V左右。再把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至**小，直流電壓波形幾乎全關(guān)閉，此時(shí)的α角約為120度。輸出直流波形在整個(gè)移相范圍內(nèi)應(yīng)該是連續(xù)平滑的。若在調(diào)試中，發(fā)現(xiàn)不出來(lái)6個(gè)整流波頭，則應(yīng)檢查6只整流晶閘管的序號(hào)是否接對(duì)，晶閘管的門級(jí)線是否接反或短路。在此過(guò)程調(diào)試中也檢查了面板上的“給定”電位器是否接反，接反了則會(huì)出現(xiàn)直流電壓幾乎為比較大，只有把“給定”電位器順時(shí)針旋到頭時(shí)，直流電壓才會(huì)減小的現(xiàn)象。在停電狀態(tài)下，把逆變橋接入，使逆變觸發(fā)脈沖投入，去掉整流橋口的電阻性負(fù)載。把電路板上的VF微調(diào)電位器W2順時(shí)針旋至比較**，（調(diào)試過(guò)程發(fā)生逆變過(guò)壓時(shí)，可以提供過(guò)壓保護(hù)）。主控板上的DIP-1開(kāi)關(guān)撥在ON位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)旋至**小。上電數(shù)秒鐘后，把面板上的“給定”電位器順時(shí)針慢慢地旋大，這時(shí)逆變橋會(huì)出現(xiàn)兩種工作狀態(tài)，一種是逆變橋起振，另一種是逆變橋直通。此時(shí)需要的是逆變橋直通，若逆變橋?yàn)槠鹫駹顟B(tài)，可在停電的狀態(tài)下，調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下，就不會(huì)起振了。青島MTDC200晶閘管智能模塊

淄博正高電氣有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫(huà)新藍(lán)圖，在山東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)淄博正高電氣供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！