5. ih：**小維持電流在室溫下，控制極開路、晶閘管被觸發導通后，維持導通狀態所必須的**小電流。一般為幾十到一百多毫安。  6. ug、ig：控制極觸發電壓和電流  在室溫下， 陽極電壓為直流 6v 時，使晶閘管完全導通所必須的**小控制極直流電壓、電流 。一般ug為 1~5v，ig 為幾十到幾百毫安。普通晶閘管的主要缺點：過流、過壓能力很差。普通晶閘管的熱容量很小：一旦過流，溫度急劇上升，器件被燒壞。  普通晶閘管承受過電壓的能力極差：電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。正向電壓超過轉折電壓時，會產生誤導通，導通后的電流較大，使器件受損。  在使用晶閘管模塊時，需要注意其工作環境、散熱設計以及觸發電路的設計，以確保其正常運行和延長使用壽命。吳江區使用晶閘管模塊現價

一、結構與工作原理結構：晶閘管是由四層半導體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當陽極接正向電壓，而控制極無觸發電壓或觸發電壓不足以使內部的三極管導通時，晶閘管處于阻斷狀態，電流不能流過。當控制極加上適當的正向觸發電壓時，內部的三極管導通，使得中間的N型層上的電荷被移除，晶閘管迅速從阻斷狀態轉變到導通狀態。一旦晶閘管導通，即使撤去控制極的觸發電壓，晶閘管仍能保持導通狀態，因為此時陽極和陰極之間的電壓為正，足以維持晶閘管的導通。姑蘇區新型晶閘管模塊私人定做普通晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，普通晶閘管都處于關斷狀態。

同時，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢也日益明顯。通過集成先進的控制算法和通信技術，晶閘管模塊能夠實現更復雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來的智能電網和分布式能源系統提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊作為現代電力電子技術中的重要器件，以其獨特的性能和廣闊的應用領域，在推動各行業技術進步和產業升級方面發揮著重要作用。隨著科技的不斷發展，晶閘管模塊的性能和應用領域還將不斷拓展，為未來的電力電子系統提供更加高效、可靠和智能的解決方案。

2. urrm：反向重復峰值電壓  控制極斷路時，可以重復作用在晶閘管上的反向重復電壓。普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v3. itav：通態平均電流  環境溫度為40℃時，在電阻性負載、單相工頻正弦半波、導電角不小于170°的電路中，晶閘管允許的比較大通態平均電流。普通晶閘管 itav 為1a---1000a。  4. utav ：通態平均電壓  管壓降。在規定的條件下，通過正弦半波平均電流時，晶閘管陽極和陰極間的電壓平均值。一般為1v左右。  普通晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，普通晶閘管關斷。

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設備。定義：應用PNPN四層半導體結構和三極（陰極，陽極，門極）實現可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。平板式特點:全擴散工藝平板陶瓷封裝中心放大門極結構雙面冷卻螺旋式特點：螺柱型1：全封閉陶瓷-金屬螺柱型結構2：全封閉玻璃-金屬螺柱柱形結構晶閘管模塊用于控制X射線機、CT掃描儀等設備中的高壓電源，確保設備的安全和精確操作。吳江區使用晶閘管模塊現價

逆變器：在太陽能和風能系統中，將直流電轉換為交流電。吳江區使用晶閘管模塊現價

阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下（100度以上）工作。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±0.5V；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1A；吳江區使用晶閘管模塊現價

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