針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領域實現(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。微流體3D成型：復雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。陜西德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

在微流體研究領域，德國 Polos 光刻機系列憑借獨特優(yōu)勢脫穎而出。其無掩模激光光刻技術，打破傳統(tǒng)光刻的局限，無需掩模就能實現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構建微通道網絡時，可根據(jù)實驗需求自由設計，快速完成從圖紙到實體的轉化。?以藥物傳輸研究為例，利用 Polos 光刻機，能制造出尺寸precise、結構復雜的微通道，模擬人體環(huán)境，讓藥物在微小空間內可控流動，much提升藥物傳輸效率研究的準確性。同時，在細胞培養(yǎng)實驗中，該光刻機制作的微流體芯片，為細胞提供穩(wěn)定且適宜的生長環(huán)境，助力細胞生物學研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機，正推動微流體研究不斷向前。江蘇光刻機分辨率1.5微米實時觀測系統(tǒng)：120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡，實現(xiàn)加工過程動態(tài)監(jiān)控。

針對植入式醫(yī)療設備的長期安全性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器，在體內降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩(wěn)定性較同類產品提升 50%，相關技術已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復制。某光電實驗室使用該設備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%?；诖四０迳a的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應用于下一代折疊屏手機，相關技術已授權給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。生物界面創(chuàng)新：微納結構可控加工，為組織工程提供新型仿生材料解決方案。

超表面通過納米結構調控光場，傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術在石英基底上實現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長范圍內成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結構參數(shù)，使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時，推動超表面技術從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。成本效益：單次曝光成本低于傳統(tǒng)光刻 1/3，小批量研發(fā)更經濟。陜西德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

德國技術基因：融合精密光學與自動化控制，確保設備高穩(wěn)定性與長壽命。陜西德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

無掩模激光光刻技術為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創(chuàng)建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設計。經濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復雜的基礎設施和設備即可使用光刻技術。應用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學設備和微電子器件的設計和制造，例如以下領域：醫(yī)療（包括微流體）、半導體、電子、生物技術和生命科學、先進材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網以及半導體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長，預計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。陜西德國PSP-POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸