我們相信，知識(shí)共享是推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的重要力量。芯技科技定期通過(guò)官方網(wǎng)站、技術(shù)論壇和線下研討會(huì)等形式，發(fā)布關(guān)于MOSFET技術(shù)、應(yīng)用筆記和市場(chǎng)趨勢(shì)的白皮書與文章。我們樂(lè)于將我們?cè)谛炯糓OSFET設(shè)計(jì)和應(yīng)用中積累的經(jīng)驗(yàn)與廣大工程師群體分享，共同構(gòu)建一個(gè)開(kāi)放、合作、進(jìn)步的功率電子技術(shù)生態(tài)。通過(guò)持續(xù)的知識(shí)輸出，我們旨在提升行業(yè)整體設(shè)計(jì)水平，同時(shí)讓更多工程師了解并信任芯技MOSFET的品牌與實(shí)力。我們致力于成為中國(guó)工程師可信賴的功率器件伙伴，用本土化的服務(wù)和全球化的品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)，支持中國(guó)智造。您需要了解MOS管在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)嗎？安徽低溫漂 MOSFET定制

隨著汽車電動(dòng)化、智能化浪潮的推進(jìn)，車載系統(tǒng)對(duì)功率MOSFET的需求呈爆發(fā)式增長(zhǎng)。芯技MOSFET正積極布局AEC-Q101認(rèn)證體系，我們的產(chǎn)品旨在滿足發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)、電動(dòng)水泵、燃油泵、LED車燈驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等各類12V/24V平臺(tái)應(yīng)用。我們嚴(yán)格遵循汽車電子的開(kāi)發(fā)流程，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行零缺陷管理，確保其在-40℃至150℃的極端溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定。針對(duì)新能源汽車的部件，如OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，我們正在開(kāi)發(fā)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)級(jí)芯技MOSFET，以迎接未來(lái)的市場(chǎng)挑戰(zhàn)。江蘇高頻MOSFET防反接從理念到實(shí)物，我們致力于將每一顆MOS管打造成精品。

盡管我們致力于提供比較高可靠性的產(chǎn)品，但理解潛在的失效模式并進(jìn)行預(yù)防性設(shè)計(jì)是工程師的必備素養(yǎng)。芯技MOSFET常見(jiàn)的失效模式包括過(guò)壓擊穿、過(guò)流燒毀、靜電損傷和柵極氧化層損壞等。我們的數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了比較大額定值和安全工作區(qū)的明確指引，嚴(yán)格遵守這些限制是保證器件長(zhǎng)久運(yùn)行的基礎(chǔ)。此外，我們建議在設(shè)計(jì)中充分考慮各種瞬態(tài)過(guò)壓和過(guò)流場(chǎng)景，并利用RCD吸收電路、保險(xiǎn)絲、TVS管等保護(hù)器件為芯技MOSFET構(gòu)筑多重防護(hù)。芯技科技的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)亦可為您提供失效分析服務(wù)，幫助您定位問(wèn)題根源，持續(xù)改進(jìn)設(shè)計(jì)。

便攜式和電池供電設(shè)備對(duì)能效有著嚴(yán)格的要求。我們?yōu)榇祟惖凸膽?yīng)用優(yōu)化的MOS管系列，其特點(diǎn)在于具有較低的柵極電荷和靜態(tài)工作電流。較低的柵極電荷意味著驅(qū)動(dòng)電路在開(kāi)關(guān)過(guò)程中消耗的能量更少，而較低的靜態(tài)電流則有助于延長(zhǎng)設(shè)備在待機(jī)模式下的續(xù)航時(shí)間。此外，其較低的導(dǎo)通電阻確保了在負(fù)載工作時(shí)，電源路徑上的功率損耗保持在較低水平。這些特性的結(jié)合，對(duì)于提升電池供電設(shè)備的整體能效表現(xiàn)是一個(gè)積極的貢獻(xiàn)。便攜式和電池供電設(shè)備對(duì)能效有著嚴(yán)格的要求。這款產(chǎn)品在振動(dòng)測(cè)試中表現(xiàn)合格。

再的MOSFET也需要一個(gè)合適的驅(qū)動(dòng)器來(lái)喚醒其潛能。芯技MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中明確給出了建議的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍和比較大驅(qū)動(dòng)電流能力。一個(gè)設(shè)計(jì)良好的驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的瞬間電流，以快速對(duì)柵極電容進(jìn)行充放電，縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間。我們建議根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率和所選芯技MOSFET的Qg總值來(lái)核算驅(qū)動(dòng)芯片的峰值驅(qū)動(dòng)能力。此外，合理的柵極電阻值選擇至關(guān)重要：過(guò)小會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)振鈴加劇，EMI變差；過(guò)大則會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于半橋等拓?fù)洌桌招?yīng)是導(dǎo)致誤導(dǎo)通的元兇，采用負(fù)壓關(guān)斷或引入有源米勒鉗位功能的驅(qū)動(dòng)器，能有效保護(hù)芯技MOSFET的安全運(yùn)行。車規(guī)級(jí)MOS管產(chǎn)品，通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，滿足汽車電子嚴(yán)苛要求。江蘇低柵極電荷MOSFET

這款MOS管特別優(yōu)化了EMI性能，助您輕松通過(guò)認(rèn)證。安徽低溫漂 MOSFET定制

電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用對(duì)功率器件的穩(wěn)健性有著特殊要求。考慮到電機(jī)作為感性負(fù)載在工作過(guò)程中可能產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)和電流沖擊，我們?yōu)榇祟悜?yīng)用準(zhǔn)備的MOS管在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段就進(jìn)行了針對(duì)性優(yōu)化。產(chǎn)品規(guī)格書提供了完整的耐久性參數(shù)，包括在特定測(cè)試條件下獲得的雪崩能量指標(biāo)。同時(shí)，器件導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)特性有助于實(shí)現(xiàn)多管并聯(lián)時(shí)的電流自動(dòng)均衡。選擇適合的MOS管型號(hào)，對(duì)于確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行并延長(zhǎng)使用壽命具有實(shí)際意義。電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用對(duì)功率器件的穩(wěn)健性有著特殊要求。安徽低溫漂 MOSFET定制