產品具備較廣的適用性，適用于III/V、II/VI族元素以及其他異質結構的生長，無論是常見的半導體材料，還是新型的功能材料，都能通過該設備進行高質量的薄膜沉積。并且，基板支架尺寸范圍從10×10毫米到4英寸，可滿足不同尺寸樣品的實驗需求，無論是小型的基礎研究樣品，還是較大尺寸的應用研究樣品，都能在設備上進行處理，極大地拓展了設備在科研中的應用范圍。

公司產品在科研領域擁有眾多突出優勢，助力科研工作高效開展。超高真空是一大明顯優勢，其基本壓力能從 5×10?1?至 5×10?11mbar ，在這樣的環境下，薄膜沉積過程中幾乎不會受到雜質干擾，保證了薄膜的高純度和高質量。例如在半導體材料外延生長時，高真空環境可避免氣體分子與生長原子碰撞，減少缺陷產生，為制造高性能半導體器件奠定基礎。 系統支持高分子材料輔助脈沖激光沉積工藝。氧化物外延系統工藝室

薄膜生長監控系統中的掃描型差分反射高能電子衍射（RHEED）是進行原子級外延生長的“眼睛”。它通過一束高能電子以掠射角轟擊基板表面，通過觀察衍射圖案的變化，可以實時、原位地監測薄膜表面的晶體結構、平整度以及生長模式。RHEED強度的振蕩直接對應著原子層的逐層生長，研究人員可以通過觀察振蕩周期來精確控制薄膜的厚度，實現單原子層的精度控制。掃描型設計進一步提升了該技術的空間分辨率，使其能夠監測更大面積范圍內的薄膜均勻性，是MBE和PLD-MBE技術中不可或缺的原位分析手段。氧化物外延系統工藝室磁力傳輸桿使用后，需清潔表面，避免雜質影響真空環境。

公司設備在氧化物薄膜制備方面表現優異，在功能材料研究中應用較廣。對于高溫超導材料，如釔鋇銅氧（YBCO）薄膜的制備，設備能精確控制各元素的比例和沉積速率，在高真空環境下，避免雜質干擾，生長出高質量的超導薄膜。這種高質量的超導薄膜在超導電子器件、超導電纜等方面有著重要應用，可大幅降低電能傳輸損耗，提高電力系統的效率。在鐵電材料研究中，如制備鋯鈦酸鉛（PZT）薄膜，設備可精確控制薄膜的結晶取向和微觀結構，使其具有優異的鐵電性能。PZT薄膜在壓電傳感器、隨機存取存儲器等領域應用得心應手，其優異的鐵電性能可提高傳感器的靈敏度和存儲器的存儲密度。設備在氧化物薄膜制備方面的出色表現，為功能材料研究提供了有力支持，推動了相關領域的技術進步。

在寬禁帶半導體材料研究領域，我們的PLD與MBE系統發揮著舉足輕重的作用。以氧化鋅（ZnO）為例，它是一種具有優異壓電、光電特性的III-VI族半導體。利用PLD技術，通過精確控制激光能量、沉積氣壓（尤其是氧氣分壓）和基板溫度，可以在藍寶石、硅等多種襯底上外延生長出高質量的c軸擇優取向的ZnO薄膜。這種薄膜是制造紫外光電探測器、透明電極、壓電傳感器和聲表面波器件的理想材料。系統的RHEED監控能力可以實時優化生長條件，確保獲得表面光滑、晶體質量高的外延層。針對高揮發性材料可選用閥控裂解源設計。

利用監測數據進行反饋控制，能夠實現精確的薄膜生長。例如，當 RHEED 監測到薄膜生長出現異常時，可以及時調整分子束的流量、基板溫度等參數，以糾正生長過程；通過 QCM 監測到薄膜沉積速率過快或過慢時，可自動調節蒸發源的溫度或分子束的通量，使沉積速率保持在設定的范圍內。通過這種實時監測和反饋控制機制，能夠在薄膜生長過程中及時發現問題并進行調整，確保薄膜的生長質量和性能符合預期，為制備高質量的薄膜材料提供了有力保障。小型研究開發場景中，此 PLD 系統體積適中，節省實驗室空間。氧化物外延系統工藝室

本系統專為半導體材料與氧化物外延生長研究設計。氧化物外延系統工藝室

薄膜質量與多個工藝參數密切相關。溫度對薄膜質量影響明顯，在生長高溫超導薄膜時，精確控制基板溫度在合適范圍內，能促進薄膜的結晶過程，提高超導性能。壓力同樣重要，低壓環境有利于原子在基板表面的擴散和遷移，形成高質量的晶體結構，但壓力過低可能導致原子蒸發速率過快，難以控制薄膜生長；高壓環境則可能使薄膜內應力增大，影響薄膜的穩定性。

設備的自動化控制功能為科研工作帶來了極大的便利和高效性。以自動生長程序編寫為例，科研人員可通過PLC單元和軟件，根據實驗需求精確設定各項參數，如分子束的流量、基板的加熱溫度、沉積時間等，將這些參數按照特定的順序和邏輯編寫成自動生長程序。在運行程序時，設備能嚴格按照預設步驟自動執行，無需人工實時干預，較大節省了人力和時間成本。 氧化物外延系統工藝室

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