半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物***相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門10個以下或晶體管100個以下。黃浦區本地電阻芯片銷售廠

1965-1978年 創業期1965年，***批國內研制的晶體管和數字電路在河北半導體研究所鑒定成功。1968年，上海無線電十四廠**制成PMOS（P型金屬-氧化物-半導體）集成電路。1970年，北京878廠、上海無線電十九廠建成投產。 [17]1972年，**塊PMOS型LSI電路在四川永川一四二四研究所制。1976年，中科院計算所采用中科院109廠（現中科院微電子研究所）研制的ECL（發射極耦合邏輯電路），研制成功1000萬次大型電子計算機。 [5]1978-1989年 探索前進期1980年，**條3英寸線在878廠投入運行。黃浦區本地電阻芯片銷售廠這些數字IC，以微處理器、數字信號處理器和微控制器，工作中使用二進制，處理1和0信號。

2019年，華為旗下海思發布全球***5G SoC芯片海思麒麟990，采用了全球先進的7納米工藝；64層3D NAND閃存芯片實現量產；中芯國際14納米工藝量產。 [5]2021年7月，***采用自主指令系統LoongArch設計的處理器芯片，龍芯3A5000正式發布 [12]挑戰2020年8月7日，華為常務董事、華為消費者業務CEO余承東在中國信息化百人會2020年峰會上的演講中說，受管制影響，下半年發售的Mate 40所搭載的麒麟9000芯片，或將是華為自研的麒麟芯片的***一代。以制造為主的芯片下游，是我國集成電路產業**薄弱的環節。由于工藝復雜，芯片制造涉及到從學界到產業界在材料、工程、物理、化學、光學等方面的長期積累，這些短板短期內難以補足。 [6]

集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC；或稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在電子學中是一種將電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，并時常制造在半導體晶圓表面上。2023年4月，國際科研團隊***將能發射糾纏光子的量子光源完全集成在一塊芯片上 [15]。電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybrid integrated circuit）是由**半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。這種電路提供更小的尺寸和更低的成本，但是對于信號必須小心。

制造過程芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節，其中晶片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計，根據設計的需求，生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄，生產的成本越低，但對工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。模擬集成電路有，例如傳感器、電源控制電路和運放，處理模擬信號。浦東新區加工電阻芯片性價比

經過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。黃浦區本地電阻芯片銷售廠

封裝----指出產品的封裝和管腳數有些IC型號還會有其它內容:速率----如memory，MCU，DSP，FPGA 等產品都有速率區別，如-5，-6之類數字表示。工藝結構----如通用數字IC有COMS和TL兩種，常用字母C，T來表示。是否環保-----一般在型號的末尾會有一個字母來表示是否環保，如z，R，+等。包裝-----顯示該物料是以何種包裝運輸的，如tube，T/R，rail，tray等。版本號----顯示該產品修改的次數，一般以M為***版本。IC命名、封裝常識與命名規則溫度范圍：黃浦區本地電阻芯片銷售廠

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