極大規模集成電路（ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration）邏輯門10,001~1M個或 晶體管100,001~10M個。GLSI（英文全名為Giga Scale Integration）邏輯門1,000,001個以上或晶體管10,000,001個以上。二、按功能結構分類：集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路和數字集成電路兩大類。三、按制作工藝分類：集成電路按制作工藝可分為單片集成電路和混合集成電路，混合集成電路有分為厚膜集成電路和薄膜集成電路。四、按導電類型不同分類：集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路。雙極型集成電路的制作工藝復雜，功耗較大，**集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡單，功耗也較低，易于制成大規模集成電路，**集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC；靜安區質量電阻芯片怎么樣

IC由很多重疊的層組成，每層由視頻技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。在一個自排列（CMOS）過程中，所有門層（多晶硅或金屬）穿過擴散層的地方形成晶體管。電阻結構，電阻結構的長寬比，結合表面電阻系數，決定電阻。電容結構，由于尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。普陀區加工電阻芯片性價比更為少見的電感結構，可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。

集成電路芯片的硬件缺陷通常是指芯片在物理上所表現出來的不完善性。集成電路故障（Fault）是指由集成電路缺陷而導致的電路邏輯功能錯誤或電路異常操作。導致集成電路芯片出現故障的常見因素有元器件參數發生改變致使性能極速下降、元器件接觸不良、信號線發生故障、設備工作環境惡劣導致設備無法工作等等。電路故障可以分為硬故障和軟故障。軟故障是暫時的，并不會對芯片電路造成長久性的損壞。它通常隨機出現，致使芯片時而正常工作時而出現異常。在處理這類故障時，只需要在故障出現時用相同的配置參數對系統進行重新配置，就可以使設備恢復正常。而硬故障給電路帶來的損壞如果不經維修便是長久性且不可自行恢復的。

1998年，華晶與上華合作生產MOS 圓片合約簽定，開始了中國大陸的Foundry時代；由北京有色金屬研究總院半導體材料國家工程研究中心承擔的我國***條8英寸硅單晶拋光生產線建成投產。1999年，上海華虹NEC的***條8英寸生產線正式建成投產。 [5]2000-2011年 發展加速期2000年，中芯國際在上海成立，***18號文件加大對集成電路的扶持力度。2002年，**款批量投產的通用CPU芯片“龍芯一號”研制成功。2003年，臺積電（上海）有限公司落戶上海。2004年，中國大陸***條12英寸線在北京投入生產。中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integration）邏輯門11~100個或 晶體管101~1k個。

2014年，《國家集成電路產業發展推進綱要》正式發布實施；“國家集成電路產業發展投資基金”（大基金）成立。2015年，長電科技以7.8億美元收購星科金朋公司；中芯國際28納米產品實現量產。2016年，大基金、紫光投資長江儲存；***臺全部采用國產處理器構建的超級計算機“神威太湖之光”獲世界超算***。2017年，長江存儲一期項目封頂；存儲器產線建設***開啟；全球**AI芯片獨角獸初創公司成立；華為發布全球***款人工智能芯片麒麟970。2018年，紫光量產32層3D NAND（零突破）。電容結構，由于尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。閔行區個性化電阻芯片批量定制

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集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC；或稱微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在電子學中是一種將電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，并時常制造在半導體晶圓表面上。2023年4月，國際科研團隊***將能發射糾纏光子的量子光源完全集成在一塊芯片上 [15]。電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybrid integrated circuit）是由**半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。靜安區質量電阻芯片怎么樣

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