從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數據率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏。總的來說，隨著數據傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內存子系統對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統設計帶來了更多、更大的挑戰。

Bank> Rank及內存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內部的一種結構，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應Bank信號為BA[2:0],在DDR4內存顆粒內部有8個或16個Bank，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。 在DDR3一致性測試期間能否繼續進行其他任務？測量DDR3測試檢查

DDR3拓撲結構規劃：Fly?by拓撲還是T拓撲

DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個負載時，T拓撲信號質量較差，因此DDR3的控制命令和時鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過前仿真比較2片負載和4片負載時，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質量的影響，仿真驅動芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。

分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時，Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負載時很多 設計人員還是習慣使用T拓撲結構。 測量DDR3測試檢查什么是DDR3內存的一致性問題？

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口，I/O 口工作電壓為 1.2V；時 鐘信號頻率為166?533MHz；數據和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣；控制信號速率為166?533Mbps,通過時鐘信號上升沿 采樣；一般用于板載(Memory?down)設計，信號通常為點對點或樹形拓撲，沒有ODT功能。

LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口，I/O 口工作電壓為1.2V； 時鐘信號頻率為667?1066MHz；數據和命令地址(CA)信號速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣；控制信號速率為667?1066Mbps,通過時鐘上升 沿釆樣；一般用于板載設計，數據信號一般為點對點拓撲，命令地址和控制信號一般也釆用 Fly-by走線，有些情況下可以使用樹形走線；數據和選通信號支持ODT功能；也支持使用 Write Leveling功能調整時鐘和選通信號間的延時偏移。

每個 DDR 芯片獨享 DQS，DM 信號；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號。·DDR 工作頻率為 133MHz。·DDR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設計需求之后，我們首先要進行器件選型，然后根據所選的器件，準備相關的設計資料。一般來講，對于經過選型的器件，為了使用這個器件進行相關設計，需要有如下資料。

· 器件數據手冊 Datasheet：這個是必須要有的。如果沒有器件手冊，是沒有辦法進行設計的（一般經過選型的器件，設計工程師一定會有數據手冊）。 DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區別？

單擊NetCouplingSummary,出現耦合總結表格，包括網絡序號、網絡名稱、比較大干擾源網絡、比較大耦合系數、比較大耦合系數所占走線長度百分比、耦合系數大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網絡的走線阻抗彩圖。注意，在彩圖 上方有一排工具欄，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網絡組，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段，對應的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 DDR3一致性測試是否適用于雙通道或四通道內存配置？甘肅智能化多端口矩陣測試DDR3測試

如何執行DDR3的一致性測試？測量DDR3測試檢查

常見的信號質量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質量的每個參數JEDEC都給出了明確的規范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應該在-0.4-1.9V,但在實際應用中由于不適合信號 端接使DDR信號質量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質量滿足JEDEC規范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個實際案例說明DDR3信號質量仿真。

在本案例中客戶反映實測CLK信號質量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差，系統工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后，可以正常工作。 測量DDR3測試檢查