DDR測試

DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉接板的方式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號質量，一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數模型文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數，來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數測量和統計。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號質量測試環境，以及在示波器中進行去嵌入操作的界面。 DDR3信號質量自動測試軟件；PCI-E測試DDR測試多端口矩陣測試

現做一個測試電路，類似于圖5，驅動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電源平面的，這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以，在4層的PCB設計時，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對其耦合程度的控制是相當重要的。PCI-E測試DDR測試多端口矩陣測試DDR的信號測試和協議測試；

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制定DDR內存規范的標準按照JEDEC組織的定義，DDR4的比較高數據速率已經達到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數據速率則達到了6400MT/s以上。在2016年之前，LPDDR的速率發展一直比同一代的DDR要慢一點。但是從LPDDR4開始，由于高性能移動終端的發展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在2019年完成標準制定，并于2020年在的移動終端上開始使用。DDR5的規范(JESD79-5)于2020年發布，并在2021年開始配合Intel等公司的新一代服務器平臺走向商

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DDR的信號仿真驗證由于DDR芯片都是采用BGA封裝，密度很高，且分叉、反射非常嚴重，因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真軟件中專門針對DDR的仿真模型庫仿真出的通道損耗以及信號波形。仿真出信號波形以后，許多用戶需要快速驗證仿真出來的波形是否符合DDR相關規范要求。這時，可以把軟件仿真出的DDR的時域波形導入到示波器中的DDR測試軟件中,并生成相應的一致性測試報告，這樣可以保證仿真和測試分析方法的一致，并且便于在仿真階段就發現可能的信號違規。 解決DDR內存系統測試難題？

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DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內存，DDR內存的發展已經經歷了五代，目前DDR4已經成為市場的主流，DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的速率是指其數據線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應的工作時鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數據線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態轉換時間、高阻態時間、總線刷新時間等，因此其實際的總線傳輸速率達不到這個理想值。

克勞德高速數字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR信號的眼圖模板要求那些定義；PCI-E測試DDR測試多端口矩陣測試

DDR的信號探測技術方法；PCI-E測試DDR測試多端口矩陣測試

DDR5發送端測試隨著信號速率的提升，SerDes技術開始在DDR5中采用，如會采用DFE均衡器改善接收誤碼率，另外DDR總線在發展過程中引入訓練機制，不再是簡單的要求信號間的建立保持時間，在DDR4的時始使用眼圖的概念，在DDR5時代，引入抖動成分概念，從成因上區分解Rj，Dj等，對芯片或系統設計提供更具體的依據；在抖動的參數分析上，也增加了一些新的抖動定義參數，并有嚴苛的測量指標。針對這些要求，提供了完整的解決方案。UXR示波器，配合D9050DDRC發射機一致性軟件，及高阻RC探頭MX0023A，及Interposer，可以實現對DDR信號的精確表征。PCI-E測試DDR測試多端口矩陣測試