DDR測試

主要的DDR相關規(guī)范，對發(fā)布時間、工作頻率、數據 位寬、工作電壓、參考電壓、內存容量、預取長度、端接、接收機均衡等參數做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細對比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進，同時也在逐漸采用更先進的工藝和更復雜的技術來實現這些目標。以DDR5為例，相 對于之前的技術做了一系列的技術改進，比如在接收機內部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數據訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調測等。 什麼是DDR內存？如何測試？DDR測試DDR測試USB測試

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測試軟件運行后，示波器會自動設置時基、垂直增益、觸發(fā)等參數進行測量并匯總成一個測試報告，測試報告中列出了測試的項目、是否通過、spec的要求、實測值、margin等。圖5.17是自動測試軟件進行DDR4眼圖睜開度測量的一個例子。信號質量的測試還可以輔助用戶進行內存參數的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內存芯片中的匹配電阻，并分析對信號質量的影響。除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調試功能。比如在某個關鍵參數測試失敗后，可以針對這個參數進行Debug。此時，測試軟件會捕獲、存儲一段時間的波形并進行參數統(tǒng)計，根據統(tǒng)計結果可以查找到參數違規(guī)時對應的波形位置， PCI-E測試DDR測試方案商DDR3信號質量自動測試軟件報告；

5.串擾在設計微帶線時，串擾是產生時延的一個相當重要的因素。通常，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串擾的相互影響，然而，在合理利用走線空間上這是一個很大的弊端，所以，應該控制在一個合理的范圍里面。典型的一個規(guī)則是，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外，地過孔也起到一個相當重要的作用，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度，在有多個地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB?？紤]到互聯(lián)通路的成本預算，對于兩邊進行適當的仿真是必須的，當在所有的網線上加一個周期性的激勵，將會由串擾產生的信號抖動，通過仿真，可以在時域觀察信號的抖動，從而通過合理的設計，綜合考慮空間和信號完整性，選擇比較好的走線間距。

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數據抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調節(jié)模塊里的大電容可以很好的進行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。DDR的規(guī)范要求進行需求；

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什么是DDR？

DDR是雙倍數據速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態(tài)隨機內存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。同步動態(tài)隨機內存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結合，RAS、CAS、數據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數據和其它信號的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由于數據有效窗口的可預計性，所以可將內存劃分成4個組進行內部單元的預充電和預獲取。通過突發(fā)模式，可進行連續(xù)地址獲取而不必重復RAS選通。連續(xù)CAS選通可對來自相同行的數據進行讀取。 DDR4信號質量自動測試軟件；DDR測試DDR測試USB測試

解決DDR內存系統(tǒng)測試難題？DDR測試DDR測試USB測試

這里有三種方案進行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達362mils的微帶線；第三種是，在一個信號線的四周有四個地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當今的高速系統(tǒng)里，在時延方面顯得尤為重要。 DDR測試DDR測試USB測試