MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測：光電導取樣光電導取樣是基于光導天線(photoconductiveantenna,PCA)發射機理的逆過程發展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術。如要對THz脈沖信號進行探測，首先，需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中，以便于一個光學門控脈沖(探測脈沖)對其門控。其中，這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調節的時間延遲關系，而這個關系可利用一個延遲線來加以實現，爾后，用一束探測脈沖打到光電導介質上，這時在介質中能夠產生出電子-空穴對(自由載流子)，而此時同步到達的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場，以此來驅動那些載流子運動，從而在PCA中形成光電流。用一個與PCA相連的電流表來探測這個電流即可，MEMS 微納米加工技術是現代制造業中的關鍵領域，它能夠在微觀尺度上制造出高精度的器件。云南MEMS微納米加工技術指導

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝光顯影，形成電極圖案；再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層，***通過**剝離得到完整電極結構。電極線條寬度可控制在10-500μm，邊緣粗糙度＜5μm，接觸電阻＜1Ω?cm2。針對植入式醫療器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂層處理，通過硅烷偶聯劑共價鍵合，涂層厚度5-10nm，可將蛋白吸附量降低90%以上，炎癥反應發生率下降60%。該技術應用于神經電極時，16通道電極陣列的信號噪聲比＞20dB，可穩定記錄單個神經元放電信號達3個月以上。在傳感器領域，硅基金電極對葡萄糖的檢測靈敏度達100μA?mM?1?cm?2，線性范圍0.01-10mM，適用于血糖監測芯片。公司支持多種金屬材料（如鈦、鉑、銥）與基板的組合加工，滿足不同應用場景對電極導電性、耐腐蝕性的需求。甘肅MEMS微納米加工風格MEMS的光學超表面是什么？

MEMS特點：1.微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低、慣性小、諧振頻率高、響應時間短。2.以硅為主要材料，機械電器性能優良：硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當，密度類似鋁，熱傳導率接近鉬和鎢。3.批量生產：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。批量生產可降低生產成本。4.集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統。微傳感器、微執行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩定性很高的MEMS。5.多學科交叉：MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動控制、物理、化學和生物等多種學科，并集約了當今科學技術發展的許多成果。

金屬流道PDMS芯片與PET基板的鍵合工藝：金屬流道PDMS芯片通過與帶有金屬結構的PET基板鍵合，實現柔性微流控芯片與剛性電路的集成，兼具流體處理與電信號控制功能。鍵合前，PDMS流道采用氧等離子體活化處理（功率100W，時間30秒），使表面羥基化；PET基板通過電暈處理提升表面能，濺射1μm厚度的銅層并蝕刻形成電極圖案。鍵合過程在真空環境下進行，施加0.5MPa壓力并保持30分鐘，形成化學共價鍵，剝離強度＞5N/cm。金屬流道內的電解液與外部電路通過鍵合區的Pad連接，接觸電阻＜100mΩ，確保信號穩定傳輸。該技術應用于微流控電化學檢測芯片時，可在10μL的反應體系內實現多參數同步檢測，如pH、離子濃度與氧化還原電位，檢測精度均優于±1%。公司優化了鍵合設備的溫度與壓力控制算法，將鍵合缺陷率（如氣泡、邊緣溢膠）降至0.5%以下，支持大規模量產。此外，PET基板的可裁剪性與低成本特性，使得該芯片適用于一次性檢測試劑盒，單芯片成本較玻璃/硅基方案降低60%，為POCT設備廠商提供了高性價比的集成方案。自研超聲收發芯片輸出電壓達 ±100V、電流 1A，部分性能指標超越國際品牌 TI。

MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕：

在半導體制程中，單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優劣，各有特點。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學反應來去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達到刻蝕的目的。因為濕法刻蝕是利用化學反應來進行薄膜的去除，而化學反應本身不具方向性，因此濕法刻蝕過程為等向性。

濕法刻蝕過程可分為三個步驟:

1)化學刻蝕液擴散至待刻蝕材料之表面;

2)刻蝕液與待刻蝕材料發生化學反應;3)反應后之產物從刻蝕材料之表面擴散至溶液中，并隨溶液排出。濕法刻蝕之所以在微電子制作過程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產能及優越的刻蝕選擇比等優點。

但相對于干法刻蝕，除了無法定義較細的線寬外，濕法刻蝕仍有以下的缺點:

1)需花費較高成本的反應溶液及去離子水；

2)化學藥品處理時人員所遭遇的安全問題；

3)光刻膠掩膜附著性問題;

4)氣泡形成及化學腐蝕液無法完全與晶片表面接觸所造成的不完全及不均勻的刻蝕 熱壓印技術支持 PMMA/COC 等材料微結構快速成型，較注塑工藝縮短工期并降低成本。甘肅MEMS微納米加工銷售

可降解聚合物加工工藝儲備，為體內短期植入檢測芯片提供生物相容性材料解決方案。云南MEMS微納米加工技術指導

物聯網普及極大拓展MEMS應用場景。物聯網的產業架構可以分為四層：感知層、傳輸層、平臺層和應用層，MEMS器件是物聯網感知層重要組成部分。物聯網的發展帶動智能終端設備普及，推動MEMS需求放量，據全球移動通信系統協會GSMA統計，全球物聯網設備數量已從2010年的20億臺，增長到2019年的120億臺，未來受益于5G商用化和WiFi 6的發展，物聯網市場潛力巨大，GSMA預測，到2025年全球物聯網設備將達到246億臺，2019到2025年將保持12.7%的復合增長率。云南MEMS微納米加工技術指導