MEMS超表面對光電特性的調控：1.超表面meta-surface對相位的調控：相位是電磁波的一個重要屬性，等相位面決定了電磁波的傳播方向，一副圖像的相位則包含了其立體信息。通過控制電磁波的相位，可以實現光束偏轉、超透鏡、超全息、渦旋光產生、編碼、隱身、幻像等功能。2.超表面meta-surface對電磁波多個自由度的聯合調控：超表面可以實現對電磁波相位、振幅、偏振等自由度的同時調控。比如，通過對電磁波的相位和振幅的聯合調控，可以實現立體超全息，通過對電磁波的相位和偏振的聯合調控，可以實現矢量渦旋光；通過對電磁波的相位和頻率的聯合調控，可以實現非線性超透鏡等功能。3.超表面meta-surface對波導模式的調控：可將“超構光學”的概念與各類光波導平臺相結合，將超構表面或超構材料集成在各類光波導結構上，則可以在亞波長尺度下對波導中的光信號進行靈活自由的調控。利用上表面集成了超構表面的介質光波導結構，可以實現多功能的光耦合、光探測、偏振/波長解復用、結構光激發、波導模式轉化、片上光信號變換、光學神經網絡、光路由等應用。金屬流道 PDMS 芯片與 PET 基板鍵合，實現柔性微流控芯片與剛性電路的高效集成。河北MEMS微納米加工組成

柔性 MEMS 器件因可彎曲、生物兼容的特性，在植入式醫療、可穿戴設備中極具潛力，深圳市勃望初芯半導體科技有限公司通過定制化 MEMS 微納米加工工藝，攻克柔性材料加工難題。公司以 PI 為柔性基底，開發 “光刻 - 干法刻蝕 - 金屬化 - 封裝” 的全流程加工方案：首先通過光刻定義電極與結構圖案，采用氧等離子體干法刻蝕實現 PI 薄膜的高精度圖形化（線寬誤差 ±2μm）；然后通過磁控濺射沉積金或鉑金屬層（厚度 50-100nm），制作柔性電極，確保電極在彎曲時的導電性穩定；采用生物兼容封裝材料（如 PDMS）保護結構，避免體液腐蝕。這種工藝制作的柔性 MEMS 電極，可用于植入式生物電刺激 —— 在動物實驗中，將電極植入大鼠腦內，可連續 14 天穩定記錄腦電信號，且對腦組織的損傷率低于 5%；同時，依托 PI 材料的太赫茲波透過性，加工的柔性太赫茲調制器，可貼合皮膚表面，用于皮膚的太赫茲成像檢測，通過微納米結構調控太赫茲波相位，提升成像對比度。某可穿戴設備公司借助該工藝，開發出柔性心率監測貼片，電極通過 MEMS 加工實現微型化（面積 2mm×2mm），佩戴舒適度大幅提升，體現了柔性 MEMS 加工的創新價值。湖北MEMS微納米加工按需定制MEMS器件制造工藝更偏定制化。

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW：聲表面波是一種沿物體表面傳播的彈性波，它能夠在兼作傳聲介質和電聲換能材料的壓電基底材料表面進行傳播。它是聲學和電子學相結合的一門邊緣學科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣和進行處理。因此，用聲表面波去模擬電子學的各種功能，能使電子器件實現超小型化和多功能化。隨著微機電系統（MEMS）技術的發展進步，聲表面波研究向諸多領域進行延伸研究。上世紀90年代，已經實現了利用聲表面波驅動固體。進入二十一世紀，聲表面波SAW在微流體應用研究取得了巨大的發展。應用聲表面波器件可以實現固體驅動、液滴驅動、微加熱、微粒集聚\混合、霧化。

MEMS多重轉印工藝與硬質塑料芯片快速成型：針對硬質塑料芯片的快速開發需求，公司**MEMS多重轉印工藝。通過紫外光固化膠將硅母模上的微結構（精度±1μm）轉印至PMMA、COC等工程塑料，10個工作日內即可完成從設計到成品的全流程交付。以器官芯片為例，該工藝制造的多層PMMA芯片集成血管網絡與組織隔室，可模擬肺部的氣體交換功能，用于藥物毒性測試時，數據重復性較傳統方法提升80%。此外，COP材質芯片憑借**蛋白吸附性（<3ng/cm2），成為抗體篩選與蛋白質結晶的**載體。該技術還支持復雜三維結構加工，例如仿生肝小葉芯片中的正弦狀微流道，可精細調控細胞剪切力，提升原代肝細胞活性至95%以上。MEMS的深硅刻蝕是什么？

MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝：硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應氣體生成反應活性高的離子和電子，對硅片進行物理轟擊及化學反應，以選擇性的去除我們需要去除的區域。被刻蝕的物質變成揮發性的氣體，經抽氣系統抽離，然后按照設計圖形要求刻蝕出我們需要實現的深度。干法刻蝕可以實現各向異性，垂直方向的刻蝕速率遠大于側向的。其原理如圖所示，生成CF基的聚合物以進行側壁掩護，以實現各向異性刻蝕刻蝕過程一般來說包含物理濺射性刻蝕和化學反應性刻蝕。對于物理濺射性刻蝕就是利用輝光放電，將氣體解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被蝕刻物的表面，而將被蝕刻物質原子擊出(各向異性)。對于化學反應性刻蝕則是產生化學活性極強的原(分)子團，此原(分)子團擴散至待刻蝕物質的表面，并與待刻蝕物質反應產生揮發性的反應生成物(各向同性)，并被真空設備抽離反應腔電子束光刻是 MEMS 微納米加工中一種高分辨率的加工方法，能制造出極其微小的結構。中國臺灣MEMS微納米加工模型設計

弧形柱子點陣加工技術通過激光直寫與刻蝕實現仿生結構，優化細胞黏附與流體動力學特性。河北MEMS微納米加工組成

SU8微流控模具加工技術與精度控制：SU8作為負性光刻膠，廣泛應用于6英寸以下硅片、石英片的單套或套刻微流控模具加工，可實現5-500μm高度的三維結構制造。加工流程包括：基板清洗→底涂處理→SU8涂膠（轉速500-5000rpm，控制厚度1-500μm）→前烘→曝光（紫外光強度50-200mJ/cm2）→后烘→顯影（PGMEA溶液，時間1-10分鐘）。通過優化曝光劑量與顯影時間，可實現側壁垂直度＞88°，**小線寬10μm，高度誤差＜±2%。在多層套刻加工中，采用對準標記視覺識別系統（精度±1μm），確保上下層結構偏差＜5μm，適用于復雜三維流道模具制備。該模具可用于PDMS模塑成型，復制精度達95%以上，流道表面粗糙度Ra＜100nm。典型應用如細胞培養芯片模具，其微柱陣列（直徑50μm，高度200μm，間距100μm）可模擬細胞外基質環境，促進干細胞定向分化，細胞黏附率提升40%。公司具備從模具設計、加工到復制成型的全鏈條能力，支持SU8與硅、玻璃等多種基板的復合加工，為微流控芯片開發者提供了高精度、高性價比的模具解決方案。河北MEMS微納米加工組成