太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水分含量，分辨率達0.1%，檢測時間＜1秒，較傳統電阻法精度提升5倍。公司開發的納米壓印技術實現了天線陣列的低成本復制，單晶圓（4英寸）產能達1000片以上，良率＞85%，推動太赫茲技術從實驗室走向便攜式設備，為無損檢測與生物傳感提供了全新維度的解決方案。PVD磁控濺射、PECVD氣相沉積、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕是構成MEMS技術的必備工藝。有什么MEMS微納米加工圖片

在腦科學與精細醫療領域，公司開發的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導電性，可定制化設計“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機接口的手術創傷，同時提升神經信號采集的信噪比。針對藥物遞送與檢測需求，通過干濕結合刻蝕技術制備的微針器件，既可實現組織間液的無痛提取，又能集成電化學傳感功能，為糖尿病動態監測、透皮給藥系統提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉印工藝，可將光刻硅片模板快速轉化為PMMA、COC等硬質塑料芯片，支持10個工作日內完成從設計圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產品的研發驗證周期。四川本地MEMS微納米加工可降解聚合物加工工藝儲備，為體內短期植入檢測芯片提供生物相容性材料解決方案。

微納結構的臺階儀與SEM測量技術：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關鍵的計量手段，確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內的輪廓信息，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結構觀測，配備二次電子探測器，可實現5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復制過程中，SEM檢測模具結構的完整性，避免因缺陷導致的芯片流道堵塞。公司建立了標準化測量流程，針對不同材料與結構選擇合適的測量方法，如柔性PDMS芯片采用光學臺階儀非接觸測量，硬質芯片結合SEM與臺階儀進行三維尺寸分析。通過大數據統計過程控制（SPC），將關鍵尺寸的CPK值提升至1.67以上，確保加工精度滿足需求，為客戶提供可追溯的質量保障。

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應用前景：

在通信系統、雷達屏蔽、空間勘測等領域都有著重要的應用前景，近年來受到學術界的關注。基于微米納米技術設計的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現出優異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設計，獲得更優的頻譜調制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成，通過理論研究、軟件仿真、流片測試實現了石墨烯太赫茲調制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器，通過測試驗證了理論和仿真的正確性，將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調制器可對太赫茲波進行調制。 基于MEMS技術的RF射頻器件是什么？

加速度傳感器是很早廣泛應用的MEMS之一。MEMS，作為一個機械結構為主的技術，可以通過設計使一個部件(圖中橙色部件)相對底座substrate產生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個部件稱為質量塊（proofmass）。質量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當感應到加速度時，質量塊相對底座產生位移。通過一些換能技術可以將位移轉換為電能，如果采用電容式傳感結構（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產生電流信號供其信號處理單元采樣。通過梳齒結構可以極大地擴大傳感面積，提高測量精度，降低信號處理難度。加速度計還可以通過壓阻式、力平衡式和諧振式等方式實現。MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測。浙江MEMS微納米加工技術規范

超透鏡的電子束直寫和刻蝕工藝其實并不復雜。有什么MEMS微納米加工圖片

智能手機迎5G換機潮，傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速滲透，拉動智能手機市場恢復增長：今年10月份國內5G手機出貨量占比已達64%；智能手機整體出貨量方面，在5G的帶動下，根據IDC今年的預測，2021年智能手機出貨量相比2020年將增長11.6%，2020-2024年CAGR達5.2%。另一方面，單機傳感器和RFMEMS用量不斷提升，以iPhone為例，2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12，手機智能化程度不斷升，功能不斷豐富，指紋識別、3Dtouch、ToF、麥克風組合、深度感知（LiDAR）等功能的加入，使得傳感器數量（包含非MEMS傳感器）由當初的5個增加為原來的4倍至20個以上；5G升級帶來的頻段增加也有望明顯提升單機RF MEMS價值量。有什么MEMS微納米加工圖片