玻璃與硅片微流道精密加工：深圳市勃望初芯半導體科技有限公司依托深硅反應離子刻蝕（DRIE）技術，實現玻璃與硅片基材的高精度微流道加工。針對玻璃芯片，通過光刻掩膜與氫氟酸濕法刻蝕工藝，可制備深寬比達10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道網絡，適用于高通量單細胞操控與生化反應腔構建。硅片加工則采用干法刻蝕結合等離子體表面改性技術，形成親疏水交替的微流道結構，提升毛細力驅動效率。例如，在核酸檢測芯片中，硅基微流道通過自驅動流體設計，無需外接泵閥即可完成樣本裂解、擴增與檢測全流程，檢測時間縮短至1小時以內，靈敏度達1拷貝/μL。此類芯片還可集成微加熱元件，實現PCR溫控精度±0.1℃，為分子診斷提供高效硬件平臺。MEMS是一種現代化的制造技術。貴州MEMS微納米加工之PI柔性器件

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面傳播，加上傳播速度極慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現在晶體基片表面上。于是當信號在器件的輸入和輸出端之間行進時，就容易對信號進行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去。完成其它技術難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術，實現的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。 發展MEMS微納米加工常見問題柔性電極表面改性技術通過 PEG 復合涂層，降低蛋白吸附 90% 并提升體內植入生物相容性。

MEMS制作工藝-太赫茲特性：

1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數等。

2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質，適合于生物大分子與活性物質結構的研究。

3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強的穿透能力，在環境控制與安全方面能有效發揮作用

4.吸收性:大多數極性分子對THz有強烈的吸收作用，可以用來進行醫療診斷與產品質量監控

5.瞬態性:相比于傳統電磁波與光波，THz典型脈寬在皮秒量級，通過光電取樣測量技術，能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾，在小于3THz時信噪比達10人4:1。

6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個周期的電磁振蕩，!單個脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍，便于在大的范圍內分析物質的光譜信息。

微針器件與生物傳感集成：公司采用干濕法混合刻蝕工藝制備的微針陣列，兼具納米級前列銳度（曲率半徑<100 nm）與微米級結構強度（抗彎剛度≥1 GPa），可穿透角質層無創提取組織間液或實現透皮給藥。在藥物遞送領域，載藥微針通過可降解高分子涂層（如PLGA）實現藥物的緩釋控制。例如，胰島素微針貼片可在30分鐘內完成藥物釋放，生物利用度較皮下注射提升40%。此外，微針表面可修飾金納米顆粒或導電聚合物，集成阻抗/伏安傳感模塊，實時檢測炎癥因子（如IL-6）或病原體抗原，檢測限低至1 pg/mL。在電化學檢測場景中，微針陣列與微流控芯片聯用，可同步完成樣本提取、預處理與信號分析，將皮膚間質液檢測的全程時間縮短至15分鐘，為POCT設備的小型化奠定基礎。汽車上的MEMS傳感器有哪些？

MEMS制作工藝-太赫茲超導混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術：

太赫茲波是天文探測領域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統的關鍵組件。當前，太赫茲超導接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規模太赫茲陣列接收機發展很大程度受到天線及芯片封裝技術的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術的適合大規模太赫茲超導接收陣列應用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數值建模與仿真、低溫超導實驗驗證等手段， MEMS 微納米加工的成本效益隨著技術的成熟逐漸提高，為其大規模商業化應用奠定了基礎。甘肅MEMS微納米加工哪里買

金屬流道 PDMS 芯片與 PET 基板鍵合，實現柔性微流控芯片與剛性電路的高效集成。貴州MEMS微納米加工之PI柔性器件

微納結構的多圖拼接測量技術：針對大尺寸微納結構的完整表征，公司開發了多圖拼接測量技術，結合SEM與圖像算法實現亞微米級精度的全景成像。首先通過自動平移臺對樣品進行網格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點匹配算法（如SIFT/SURF）進行圖像配準，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區域。該技術應用于微流控芯片的流道檢測時，可快速識別全長10cm流道內的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍。在納米壓印模具檢測中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內的結構一致性，特征尺寸偏差＜±1%。公司自主開發的拼接軟件支持實時預覽與缺陷標記，輸出包含尺寸標注、粗糙度分析的檢測報告，為微納加工的質量控制提供了高效工具，尤其適用于復雜三維結構與大面積陣列的計量需求。貴州MEMS微納米加工之PI柔性器件