三維微納結構的跨尺度加工技術：跨尺度加工技術實現了從納米級到毫米級結構的一體化制造，滿足復雜微流控系統對多尺度功能單元的需求。公司結合電子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）與機械加工（精度10μm），在單一基板上構建跨3個數量級的微結構。例如，在類***培養芯片中，納米級表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進細胞黏附，微米級流道（寬度50μm）控制營養物質輸送，毫米級進樣口（直徑1mm）兼容外部管路。加工過程中，通過工藝分層設計，先進行納米結構制備（如EBL定義細胞外基質蛋白圖案），再通過紫外光刻形成中層流道，***機械加工完成宏觀接口，各層結構對準誤差＜±2μm。該技術突破了單一工藝的尺度限制，實現了功能的跨尺度集成，在芯片實驗室（Lab-on-a-Chip）中具有重要應用。公司已成功制備包含10nm電極間隙、1μm流道與1mm閥門的復合芯片，用于單分子電信號檢測，信號分辨率提升至10fA，為納米生物技術與微流控工程的交叉融合提供了關鍵制造能力。MEMS被認為是21世紀很有前途的技術之一。福建MEMS微納米加工工程測量

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產。因為沒有適用的國產5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負責接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉換，將不受歡迎的頻率信號濾除。福建MEMS微納米加工一體化自研超聲收發芯片輸出電壓達 ±100V、電流 1A，部分性能指標超越國際品牌 TI。

微納結構的臺階儀與SEM測量技術：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關鍵的計量手段，確保結構尺寸與表面形貌符合設計要求。臺階儀采用觸針式或光學式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內的輪廓信息，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結構觀測，配備二次電子探測器，可實現5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復制過程中，SEM檢測模具結構的完整性，避免因缺陷導致的芯片流道堵塞。公司建立了標準化測量流程，針對不同材料與結構選擇合適的測量方法，如柔性PDMS芯片采用光學臺階儀非接觸測量，硬質芯片結合SEM與臺階儀進行三維尺寸分析。通過大數據統計過程控制（SPC），將關鍵尺寸的CPK值提升至1.67以上，確保加工精度滿足需求，為客戶提供可追溯的質量保障。

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 微納加工產業化能力覆蓋設計、工藝、量產全鏈條，月產能達 50,000 片并持續技術創新。

玻璃與硅片微流道精密加工：深圳市勃望初芯半導體科技有限公司依托深硅反應離子刻蝕（DRIE）技術，實現玻璃與硅片基材的高精度微流道加工。針對玻璃芯片，通過光刻掩膜與氫氟酸濕法刻蝕工藝，可制備深寬比達10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道網絡，適用于高通量單細胞操控與生化反應腔構建。硅片加工則采用干法刻蝕結合等離子體表面改性技術，形成親疏水交替的微流道結構，提升毛細力驅動效率。例如，在核酸檢測芯片中，硅基微流道通過自驅動流體設計，無需外接泵閥即可完成樣本裂解、擴增與檢測全流程，檢測時間縮短至1小時以內，靈敏度達1拷貝/μL。此類芯片還可集成微加熱元件，實現PCR溫控精度±0.1℃，為分子診斷提供高效硬件平臺。MEMS四種ICP-RIE刻蝕工藝的不同需求。福建MEMS微納米加工結構

MEMS傳感器基本構成是什么？福建MEMS微納米加工工程測量

MEMS特點：

1.微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低、慣性小、諧振頻率高、響應時間短。

2.以硅為主要材料，機械電器性能優良：硅的強度、硬度和楊氏模量與鐵相當，密度類似鋁，熱傳導率接近鉬和鎢。

3.批量生產：用硅微加工工藝在一片硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。批量生產可降低生產成本。

4.集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致動方向的多個傳感器或執行器集成于一體，或形成微傳感器陣列、微執行器陣列，甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統。微傳感器、微執行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩定性很高的MEMS。

5.多學科交叉：MEMS涉及電子、機械、材料、制造、信息與自動控制、物理、化學和生物等多種學科，并集約了當今科學技術發展的許多成果。 福建MEMS微納米加工工程測量