MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測：

光電導(dǎo)取樣光電導(dǎo)取樣是基于光導(dǎo)天線(photoconductiveantenna,PCA)發(fā)射機理的逆過程發(fā)展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術(shù)。如要對THz脈沖信號進行探測，首先，需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中，以便于一個光學(xué)門控脈沖(探測脈沖)對其門控。其中，這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調(diào)節(jié)的時間延遲關(guān)系，而這個關(guān)系可利用一個延遲線來加以實現(xiàn)，爾后，用一束探測脈沖打到光電導(dǎo)介質(zhì)上，這時在介質(zhì)中能夠產(chǎn)生出電子-空穴對(自由載流子)，而此時同步到達的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場，以此來驅(qū)動那些載流子運動，從而在PCA中形成光電流。用一個與PCA相連的電流表來探測這個電流即可， MEMS常見的產(chǎn)品-聲學(xué)傳感器。山西MEMS微納米加工方法

MEMS制作工藝柔性電子的定義：

柔性電子可概括為是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術(shù)，以其獨特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫(yī)療等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景，如柔性電子顯示器、有機發(fā)光二極管OLED、印刷RFID、薄膜太陽能電池板、電子用表面粘貼(SkinPatches)等。與傳統(tǒng)IC技術(shù)一樣，制造工藝和裝備也是柔性電子技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。柔性電子制造技術(shù)水平指標(biāo)包括芯片特征尺寸和基板面積大小，其關(guān)鍵是如何在更大幅面的基板上以更低的成本制造出特征尺寸更小的柔性電子器件。 本地MEMS微納米加工之PI柔性器件MEMS的主要材料是什么？

加速度傳感器是很早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS，作為一個機械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù)，可以通過設(shè)計使一個部件(圖中橙色部件)相對底座substrate產(chǎn)生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個部件稱為質(zhì)量塊（proofmass）。質(zhì)量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當(dāng)感應(yīng)到加速度時，質(zhì)量塊相對底座產(chǎn)生位移。通過一些換能技術(shù)可以將位移轉(zhuǎn)換為電能，如果采用電容式傳感結(jié)構(gòu)（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產(chǎn)生電流信號供其信號處理單元采樣。通過梳齒結(jié)構(gòu)可以極大地擴大傳感面積，提高測量精度，降低信號處理難度。加速度計還可以通過壓阻式、力平衡式和諧振式等方式實現(xiàn)。

微針器件的干濕法刻蝕與集成傳感：基于MEMS干濕法混合刻蝕工藝，公司開發(fā)出多尺度微針器件。通過光刻膠模板與各向異性刻蝕，制備前列曲率半徑<100nm、高度500微米的中空微針陣列，可無創(chuàng)穿透表皮提取組織間液。結(jié)合微注塑工藝，在微針內(nèi)部集成直徑10微米的流體通道，實現(xiàn)5分鐘內(nèi)采集3μL樣本，用于連續(xù)血糖監(jiān)測（誤差±0.2mmol/L）。在透皮給藥領(lǐng)域，載藥微針采用可降解PLGA涂層，載藥率超90%，釋放動力學(xué)可控至24小時線性釋放。同時，微針表面通過濺射工藝沉積金納米層，集成阻抗傳感模塊，可實時檢測炎癥因子（如CRP），檢測限低至0.1pg/mL。此類器件與微流控芯片聯(lián)用，可在15分鐘內(nèi)完成“采樣-分析-反饋”閉環(huán)，為慢性病管理提供便攜式解決方案。MEMS是一種現(xiàn)代化的制造技術(shù)。

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應(yīng)用創(chuàng)新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術(shù)，公司在0.18μm節(jié)點實現(xiàn)了發(fā)射與開關(guān)電路的集成創(chuàng)新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經(jīng)電刺激、超聲驅(qū)動等高壓場景。在神經(jīng)電子芯片中，高壓SOI工藝實現(xiàn)了128通道**驅(qū)動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調(diào)，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經(jīng)信號調(diào)制。與傳統(tǒng)體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節(jié)省30%，芯片面積縮小50%。公司優(yōu)化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝，將襯底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封裝。該技術(shù)突破了高壓器件與低壓電路的集成瓶頸，推動MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向發(fā)展，在植入式醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制傳感器等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。MEMS技術(shù)常用工藝技術(shù)組合有：紫外光刻、電子束光刻EBL、PVD磁控濺射、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕。現(xiàn)代MEMS微納米加工的生物傳感器

超聲影像 SoC 芯片采用 0.18mm 高壓 SOI 工藝，發(fā)射與開關(guān)復(fù)用設(shè)計節(jié)省面積并提升性能。山西MEMS微納米加工方法

新材料或?qū)⒊蔀閲a(chǎn)MEMS發(fā)展的新機會。截止到目前，硅基MEMS發(fā)展已經(jīng)有40多年的發(fā)展歷程，如何提高產(chǎn)品性能、降低成本是全球企業(yè)都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進行中，搶先一步投入應(yīng)用，將是國產(chǎn)MEMS彎道超車的好時機。另外，將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組，再進行集成一體化，也是MEMS產(chǎn)業(yè)新機會。提高自主創(chuàng)新意識，加強創(chuàng)新能力，也不是那么的遙遠。山西MEMS微納米加工方法