知情人士表示，美國科技巨頭英特爾執行長PatGelsinger將出席4月12日由美國總統拜登(JoeBiden)所舉辦的在線會議，以討論對美國汽車廠造成沖擊的半導體供應鏈問題。報導指出，參與此次會議的人士也將包括拜登的顧問蘇利文(JakeSullivan)、白宮高級經濟顧問BrianDeese以及芯片制造商和汽車制造商。Gelsinger在上個月曾表示，英特爾將斥資200億美元在亞利桑那州Ocotillo園區建立兩家好的晶圓廠，預計2024年投產，好廠將有能力生產7奈米以上制程的芯片。除了芯片以外，NVIDIA還帶來了各種軟硬件的更新，例如用于仿真、協作、和自助機器訓練的NVIDIAOmniverse，專為工作組打造的便攜式AI數據中心NVIDIADGXStation，面向企業級的NVDIAEGX，用于訓練Transformer框架的NVIDIAMegatron，用于計算藥物研發加速庫ClaraDiscovery的一些模型，能夠為量子電路模擬器提供加速的cuQuantum。用芯盒子，提供一站式替代查詢，助力國產化進程。浙江品質電子元器件聯系方式

日本經濟好聞3月11日獲悉，半導體制造設備的重要的型廠商荷蘭ASML將于2021年內在好招600名員工。目前該公司在擁有2800名員工。幅增員兩成多以后，員工人數將達到3400人。在全球性半導體不足成為問題的背景下，半導體設備需求也迅速增加。ASML打算在相關企業聚集的加強體制。目前ASML的員工總數約為2萬8000人。其中荷蘭占一半以上，在的人數次于美國。該公司總銷售額的4成左右依賴于，在各地區中占比。根據公開資料顯示，從微處理器和個人電腦開始廣泛應用和普及的八十年代開始，頗爾就已經在致力于半導體解決芯片制造過程中的雜質和污染物問題。在此期間，頗爾專門成立了微電子事業部來助力這塊業務的發展。從此之后，頗爾的微電子事業部一直都伴隨著半導體產業不斷成長。山東挑選電子元器件國產半導體替代方案你可以在用芯盒子上找到很多。

第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與之一、二代半導體材料相比，第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優勢，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。據集邦咨詢（TrendForce）指出，因情況趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升，預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領域營收可達6.8億美元，年增32%。

4月3日，美日韓將召開國安高層會談，白宮官員在記者會上表示，三方除了將討論朝鮮議題，還將觸及半導體芯片短缺的問題。美國國安顧問蘇利文(JakeSullivan)周六將在馬里蘭州，和日本國安秘書處秘書長北村滋、韓國國家安保室長徐熏舉行三方會談，這將是美國總統拜登上任以來首度舉行的國安高層會談。美國官員表示：「美日韓掌握半導體制造技術的關鍵，因此我們將確保這些敏感供應鏈的安全。」另一方面，白宮好聞秘書莎琪(JenPsaki)周四表示，蘇利文將和白宮國家經濟會主任狄斯(BrainDeese)召開會議，召集芯片制造商、美國汽車制造商一同討論供應鏈議題，預定4月12日舉行。哪個國產替代查詢網站實用？當然是用芯盒子了。

2月19日從中國科獲悉，近日，中國科國家示范性微電子學院程林教授課題組在全集成隔離電源芯片設計領域取得重要成果。研究者提出了一種基于玻璃扇出型晶圓級封裝（FOWLP）的全集成隔離電源芯片。所提出的架構通過在單個玻璃襯底上利用三層再布線層（RDL）實現了高性能微型變壓器的繞制，并完成與發射和接收芯片的互聯，有效地提高了芯片轉換效率和功率密度，為今后隔離電源芯片的設計提供一個好的解決方案。受情況影響，會議于2021年2月13日至22日在線上舉行，該成果還被入選在該會議上進行DEMO演示。半導體國產替代在哪里找，十分推薦用芯盒子。山東挑選電子元器件

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高通采用ARM現有重要設計，并在芯片中實現。隨著驍龍888的推出，情況幾乎沒有改變，但看起來蘋果5nmM1芯片給高通帶來終推動力。高通收購Nuvia可以幫助其創建定制重要設計，而不是獲得授權使用現有的重要設計。WinFuture報道稱，未來高通不會依靠獲得ARM的CPU設計用于自己的芯片。雖然高通目前是這樣做的，但據報道，其計劃是通過開發定制重要來與蘋果對抗。通過收購Nuvia，高通有機會做到這一點。今年早些時候，三星正式公布了其存內處理（ProcessingInMemory，PIM）技術，可謂是正式標志著存內計算技術進入。三星目前PIM的個存儲器場景是HBM。根據三星的官網的內容，該技術主要針對高性能計算人工智能相關場景，并且可以將整體計算的性能提升兩倍，而能量則可以節省70%。根據該論文，HBM-PIM的存儲器設計與傳統HBM存儲器設計的主要區別在于HBM-PIM中集成了額外的可編程計算單元（如下圖），也即我們之前討論的第二種存內計算的設計思路，把處理器集成到存儲器中從而將部分計算負載在存儲器中完成。浙江品質電子元器件聯系方式