當(dāng)晶圓切割面臨復(fù)雜圖形切割需求時(shí)，中清航科的矢量切割技術(shù)展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可精確識(shí)別任意復(fù)雜切割路徑，包括圓弧、曲線及異形圖案，通過分段速度調(diào)節(jié)確保每一段切割的平滑過渡，切割軌跡誤差控制在 2μm 以內(nèi)。目前已成功應(yīng)用于光電子芯片的精密切割，為 AR/VR 設(shè)備中心器件生產(chǎn)提供有力支持。半導(dǎo)體生產(chǎn)車間的設(shè)備協(xié)同運(yùn)作對(duì)通信兼容性要求極高，中清航科的晶圓切割設(shè)備多方面支持 OPC UA 通信協(xié)議，可與主流 MES 系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)交互。通過標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)據(jù)接口，將切割進(jìn)度、設(shè)備狀態(tài)、質(zhì)量數(shù)據(jù)等信息實(shí)時(shí)上傳至管理平臺(tái)，助力客戶實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過程的數(shù)字化管控與智能決策。中清航科全自動(dòng)切割線配備AI視覺定位，精度達(dá)±1.5μm。浙江碳化硅線晶圓切割劃片

針對(duì)晶圓切割后的表面清潔度要求，中清航科在設(shè)備中集成了在線等離子清洗模塊。切割完成后立即對(duì)晶圓表面進(jìn)行等離子處理，去除殘留的切割碎屑與有機(jī)污染物，清潔度達(dá)到 Class 10 標(biāo)準(zhǔn)。該模塊可與切割流程無(wú)縫銜接，減少晶圓轉(zhuǎn)移過程中的二次污染風(fēng)險(xiǎn)。中清航科注重晶圓切割設(shè)備的人性化設(shè)計(jì)，操作界面采用直觀的圖形化布局，支持多語(yǔ)言切換與自定義快捷鍵設(shè)置。設(shè)備配備可調(diào)節(jié)高度的操作面板與符合人體工學(xué)的扶手設(shè)計(jì)，減少操作人員長(zhǎng)時(shí)間工作的疲勞感，同時(shí)提供聲光報(bào)警與故障提示，使操作更便捷高效。臺(tái)州碳化硅線晶圓切割刀片晶圓切割應(yīng)急服務(wù)中清航科24小時(shí)響應(yīng)，備件儲(chǔ)備超2000種。

面對(duì)高溫高濕等惡劣生產(chǎn)環(huán)境，中清航科對(duì)晶圓切割設(shè)備進(jìn)行了特殊環(huán)境適應(yīng)性改造。設(shè)備電氣系統(tǒng)采用三防設(shè)計(jì)（防潮濕、防霉菌、防鹽霧），機(jī)械結(jié)構(gòu)采用耐腐蝕材料，可在溫度 30-40℃、濕度 60-85% 的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，特別適用于熱帶地區(qū)半導(dǎo)體工廠及特殊工業(yè)場(chǎng)景。晶圓切割的刀具損耗是影響成本的重要因素，中清航科開發(fā)的刀具壽命預(yù)測(cè)系統(tǒng)，通過振動(dòng)傳感器與 AI 算法實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)刀具磨損狀態(tài)，提前 2 小時(shí)預(yù)警刀具更換需求，并自動(dòng)推送比較好的更換時(shí)間窗口，避免因刀具突然失效導(dǎo)致的產(chǎn)品報(bào)廢，使刀具消耗成本降低 25%。

GaN材料硬度高且易產(chǎn)生解理裂紋。中清航科創(chuàng)新水導(dǎo)激光切割（Water Jet Guided Laser），利用高壓水柱約束激光束，冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm，熱影響區(qū)只2μm，滿足射頻器件高Q值要求。設(shè)備振動(dòng)導(dǎo)致切割線寬波動(dòng)。中清航科應(yīng)用主動(dòng)磁懸浮阻尼系統(tǒng)，通過6軸加速度傳感器實(shí)時(shí)生成反向抵消力，將振幅壓制在50nm以內(nèi)。尤其適用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光學(xué)器件晶圓需避免邊緣微裂紋影響透光率。中清航科紫外皮秒激光系統(tǒng)（波長(zhǎng)355nm）配合光束整形模塊，實(shí)現(xiàn)吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破攝像頭模組良率瓶頸。采用中清航科激光隱形切割技術(shù)，晶圓分片效率提升40%以上。

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案：先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率，解決化合物半導(dǎo)體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動(dòng)切割機(jī)配備多軸聯(lián)動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng)，通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓形變動(dòng)態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi)，支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。針對(duì)柔性晶圓，中清航科開發(fā)低溫切割工藝避免材料變性。宿遷碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割藍(lán)膜

晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng)，潔凈度達(dá)標(biāo)Class1。浙江碳化硅線晶圓切割劃片

針對(duì)小批量多品種的研發(fā)型生產(chǎn)需求，中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設(shè)計(jì)的切割設(shè)備可在 30 分鐘內(nèi)完成不同規(guī)格晶圓的換型調(diào)整，配合云端工藝數(shù)據(jù)庫(kù)，存儲(chǔ)超過 1000 種標(biāo)準(zhǔn)工藝參數(shù)，工程師可快速調(diào)用并微調(diào)，大幅縮短新產(chǎn)品導(dǎo)入周期，為科研機(jī)構(gòu)與初創(chuàng)企業(yè)提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測(cè)環(huán)節(jié)直接關(guān)系到后續(xù)封裝的質(zhì)量。中清航科將 AI 視覺檢測(cè)技術(shù)與切割設(shè)備深度融合，通過深度學(xué)習(xí)算法自動(dòng)識(shí)別切割面的微裂紋、缺口等缺陷，檢測(cè)精度達(dá) 0.5μm，檢測(cè)速度提升至每秒 300 個(gè) Die，實(shí)現(xiàn)切割與檢測(cè)的一體化流程，避免不良品流入下道工序造成的浪費(fèi)。浙江碳化硅線晶圓切割劃片