當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。 [5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。靜安區(qū)挑選二極管生產(chǎn)企業(yè)

N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。 [6]PN結(jié)因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]寶山區(qū)國產(chǎn)二極管生產(chǎn)企業(yè)光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，以便于接受光照。

（3）以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負(fù)極。 [7]2. 檢測(cè)比較高反向擊穿電壓。對(duì)于交流電來說，因?yàn)椴粩嘧兓虼俗罡叻聪蚬ぷ麟妷阂簿褪嵌O管承受的交流峰值電壓。 [7]雙向觸發(fā)二極管將萬用表置于相應(yīng)的直流電壓擋，測(cè)試電壓由兆歐表提供。 [8]測(cè)試時(shí)，搖動(dòng)兆歐表，萬同樣的方法測(cè)出VBR值。***將VBO與VBR進(jìn)行比較，兩者的***值之差越小，說明被測(cè)雙向觸發(fā)二極管的對(duì)稱性越好。 [8]

檢測(cè)光敏二極管，可用萬用表Rx1k電阻檔。當(dāng)沒有光照射在光敏二極管時(shí)，它和普通的二極管一樣，具有單向?qū)щ娮饔谩Ｕ螂娮铻?-9kΩ，反向電阻大于5MΩ。如果不知道光敏二極管的正負(fù)極，可用測(cè)量普通二極管正、負(fù)極的辦法來確定，當(dāng)測(cè)正向電阻時(shí)，黑表筆接的就是光敏二極管的正極。當(dāng)光敏二極管處在反向連接時(shí)，即萬用表紅表筆接光敏二極管正極，黑表筆接光敏二極管負(fù)極，此時(shí)電阻應(yīng)接近無窮大(無光照射時(shí))，當(dāng)用光照射到光敏二極管上時(shí)，萬用表的表針應(yīng)大幅度問右偏轉(zhuǎn)，當(dāng)光很強(qiáng)時(shí)，表針會(huì)打到0刻度右邊。無論是在常見的收音機(jī)電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3]。

光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié)，和普通二極管相比，在結(jié)構(gòu)上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結(jié)面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結(jié)的結(jié)深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時(shí)，反向電流很小（一般小于0.1微安），稱為暗電流。當(dāng)有光照時(shí)，攜帶能量的光子進(jìn)入PN結(jié)后，把能量傳給共價(jià)鍵上的束縛電子，使部分電子掙脫共價(jià)鍵，從而產(chǎn)生電子---空穴對(duì)，稱為光生載流子。二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。徐匯區(qū)制造二極管專賣店

此時(shí)它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。靜安區(qū)挑選二極管生產(chǎn)企業(yè)

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長久性損壞。 [5]靜安區(qū)挑選二極管生產(chǎn)企業(yè)

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