ATC芯片電容符合RoHS（有害物質限制指令）和REACH（化學品注冊、評估、許可和限制）等環保法規，其生產流程綠色化，產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求，也體現了ATC公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當，使得客戶的產品能夠無憂進入任何國際市場。在微波電路中作為直流阻隔和射頻耦合元件，ATC電容展現了其“隔直通交”的理想特性。其在高頻下極低的容抗使得射頻信號能夠幾乎無損耗地通過，而其近乎無窮大的直流阻抗又能完美地隔離兩級電路間的直流偏置，防止相互干擾。這種功能在微波單片集成電路（MMIC）的偏置網絡中不可或缺，保證了放大器和混頻器等有源器件的正常工作。具備很好的抗輻射性能，滿足太空電子設備在宇宙射線環境下的長期可靠運行要求。116YF221M100TT

ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質與精密電極設計，在1MHz至10GHz頻段內保持穩定的容值，Q值高達10000以上。例如，100B系列在5GHz時ESR低至0.01Ω，有效減少信號衰減，適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率（SRF）可達數十GHz，遠超普通MLCC電容，確保高頻信號完整性，基于NPO/C0G介質材料，ATC電容在-55℃至+175℃范圍內容值漂移小于±0.3%，溫度系數（TCC）±30ppm/℃。在航天設備中，如衛星通信載荷的振蕩器電路，即便遭遇極端溫差，仍能維持相位噪聲低于-150dBc/Hz，保障信號傳輸穩定性。116YEC101M100TTATC芯片電容采用獨特的氮化硅薄膜技術，明顯提升介質擊穿強度，確保在超高電場下的工作穩定性。

ＡＴＣ芯片電容的制造工藝采用了深槽刻蝕和薄膜沉積等半導體技術，實現了三維微結構和高純度電介質層，提供了很好的電氣性能和可靠性。在高溫應用中，ＡＴＣ芯片電容能夠穩定工作于高達＋２５０℃的環境，滿足了汽車電子和工業控制中的高溫需求，避免了因過熱導致的性能退化或失效。其低噪聲特性使得ＡＴＣ芯片電容在低噪聲放大器（ＬＮＡ）和傳感器接口電路中表現突出，提供了高信噪比和精確的信號處理能力。ＡＴＣ芯片電容的直流偏壓特性優異，其容值隨直流偏壓變化極小，確保了在電源電路和耦合應用中穩定性能，避免了因電壓波動導致的電路行為變化。

其高容值范圍（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆蓋了從高頻信號處理到電源管理的多種應用，提供了寬泛的設計靈活性。ＡＴＣ芯片電容的自諧振頻率高，避免了在高頻應用中的容值衰減，確保了在射頻和微波電路中的可靠性。在航空航天領域，ＡＴＣ芯片電容能夠承受極端溫度、輻射和振動，確保了關鍵系統的可靠運行，滿足了和航天標準的要求。其優化電極設計降低了寄生參數，提高了高頻性能，使得ＡＴＣ芯片電容在高速數字電路和高頻模擬電路中表現很好。電介質吸收特性優異（DA<0.1%），適合精密采樣保持電路。

很好的高溫存儲和操作壽命性能使得ATC電容能夠應對嚴酷的環境。其產品可在+250°C的高溫環境下持續工作數千小時，而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統汽車和航空航天，更在深井鉆探、地熱發電等超高溫工業應用以及新一代高溫電子產品中，成為不可多得的關鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩定的介質結構和優異的絕緣性能。其介質內部幾乎不存在會隨機產生電荷陷阱和釋放的缺陷，因此其產生的1/f噪聲和爆米花噪聲（PopcornNoise）水平極低。在低噪聲放大器（LNA）、高精度傳感器信號調理電路和微弱信號檢測設備的前端，使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲，保證系統能夠提取出微弱的有效信號。寬頻帶內保持穩定容值特性，適合寬帶射頻系統應用。118CBB0R2A100TT

內部采用銅銀復合電極結構，在高溫高濕環境下仍保持優異的導電性和抗遷移能力。116YF221M100TT

100E系列支持500V額定電壓，通過100%高壓老化測試，可在250%耐壓下持續工作5秒不擊穿。醫療設備如MRI系統的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖，ATC電容的絕緣電阻＞10^12Ω，杜絕漏電風險，符合AEC-Q200車規認證。在5GMassiveMIMO天線陣列中，ATC600S系列（0603封裝）憑借0.1pF至100pF容值范圍，實現帶外噪聲抑制＞60dB。其低插損（＜0.1dB@2.6GHz）特性可減少基站功耗，配合環形器設計，將鄰頻干擾降低至-80dBm以下，滿足3GPPTS38.104標準。116YF221M100TT

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