高自諧振頻率（SRF）是ATC電容適用于現(xiàn)代高速電路的前提。由于其極低的寄生電感，其SRF可達數(shù)十GHz。這意味著在當今主流的高速數(shù)字和射頻電路工作頻段內(nèi)，ATC電容仍然表現(xiàn)為一個純電容，發(fā)揮著預期的去耦、濾波作用，而不會因進入感性區(qū)域而失效，這是普通電容無法做到的。航空航天與應用要求元件能承受極端的環(huán)境應力，包括寬溫范圍（-55°C至+125°C及以上）、度振動、沖擊、真空輻射環(huán)境等。ATC芯片電容的設計和測試標準源自需求，其產(chǎn)品在此類極端條件下表現(xiàn)出的堅固性和性能穩(wěn)定性，是雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、導航設備和飛行控制系統(tǒng)中受信賴的元件之一。通過MIL-STD-883加速度測試，在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。CDR12AP151KJNM

針對高頻應用中的寄生效應，ATC芯片電容進行了性的電極結構優(yōu)化。其采用的三維多層電極設計，通過精細控制金屬層（通常為賤金屬鎳或銅，或貴金屬銀鈀）的厚度、平整度及疊層結構，比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設計將等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）降至很好，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。在GHz頻段的射頻電路中，這種低ESL/ESR特性意味著信號路徑上的阻抗幾乎為純?nèi)菪裕瑯O大地降低了插入損耗和能量反射，保證了信號傳輸?shù)耐暾耘c效率。116YGA681K100TT完全無壓電效應，杜絕嘯叫現(xiàn)象，適合高保真音頻應用。

完全無壓電效應（Microphonics）是ATC電容區(qū)別于許多II類陶瓷電容（如X7R）的明顯優(yōu)點。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的，不會在交流電壓作用下發(fā)生形變，從而徹底避免了因振動或電壓變化而產(chǎn)生的可聽噪聲（嘯叫）和微觀機械噪聲。在高保真音頻設備、敏感傳感器前置放大器和振動環(huán)境中工作的電子設備里，ATC電容確保了信號的純凈度，消除了由電容自身引入的干擾。在光通信模塊（如400G/800G光收發(fā)器）中，ATC芯片電容是保障高速信號完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能夠在數(shù)十Gbps的高速SerDes和DSP電源引腳處，提供極其高效的寬帶去耦，抑制電源噪聲對高速信號的干擾。同時，其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性，確保了射頻驅動電路的性能，對于維持高信噪比（SNR）和低誤碼率（BER）至關重要，是高速數(shù)據(jù)可靠傳輸?shù)幕?/p>

其介質(zhì)材料具有極低的損耗角正切值（DF＜0.1%），明顯降低了高頻應用中的能量耗散。這不僅有助于提升射頻功率放大器效率，還能減少系統(tǒng)發(fā)熱，延長電子設備的使用壽命，尤其適合高功率密度基站和長期連續(xù)運行的通信基礎設施。ATC電容采用獨特的陶瓷-金屬復合電極結構和多層共燒工藝，使其具備優(yōu)異的機械強度和抗彎曲性能。在振動強烈或機械應力頻繁的環(huán)境中（如軌道交通控制系統(tǒng)、重型機械電子設備），仍能保持結構完整性和電氣連接的可靠性。寬溫工作能力（-55℃至+250℃）使其適用于航空航天等極端環(huán)境。

在智能電網(wǎng)和電力監(jiān)控設備中，其高精度和低損耗特性適用于電能質(zhì)量分析儀的采樣電路和繼電保護裝置的信號調(diào)理回路，提高電網(wǎng)監(jiān)測的準確性和可靠性。產(chǎn)品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī)，全系列采用無鉛無鹵素材料，滿足全球主要市場對電子產(chǎn)品的環(huán)保要求，支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動環(huán)境下，ATC電容采用抗振動電極設計和堅固的封裝結構，其焊點抗疲勞性能優(yōu)異，適用于無人機飛控系統(tǒng)、機器人關節(jié)控制及發(fā)動機管理系統(tǒng)。其微波系列產(chǎn)品具有精確的模型參數(shù)和穩(wěn)定的性能重復性，支持高頻電路的仿真設計與實際性能的高度吻合，縮短研發(fā)周期，提高設計一次成功率。容值老化率極低，十年變化小于1%，確保長期使用穩(wěn)定性。700C750JW2500X

通過抗硫化測試，適合工業(yè)控制等惡劣環(huán)境應用。CDR12AP151KJNM

ATC電容憑借其極低的ESL和ESR，能在極寬的頻帶內(nèi)（從KHz到GHz）提供低阻抗路徑，有效濾除電源軌上的高頻噪聲，抑制同步開關噪聲（SSN），確保為芯片重點提供純凈、穩(wěn)定的電壓。這對于防止系統(tǒng)時序錯誤、數(shù)據(jù)損壞和性能下降至關重要。ATC芯片電容實現(xiàn)了高電容密度與高性能的完美平衡。通過采用高介電常數(shù)介質(zhì)材料和增加疊層數(shù)量，其在單位體積內(nèi)存儲的電荷量（電容值）很好提升。然而，與普通高介電常數(shù)材料往往溫度穩(wěn)定性不同，ATC通過復雜的材料改性技術，在獲得高電容密度的同時，依然保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設計者無需在“大小”和“性能”之間艱難取舍，為空間受限的高性能應用提供了理想解決方案。CDR12AP151KJNM

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