該類電容具有較好的抗直流偏壓特性,即使在較高直流電壓疊加情況下,電容值仍保持高度穩(wěn)定。這一性能使其特別適用于電源去耦、DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出濾波及新能源車電控系統(tǒng)中的直流鏈路電容,有效避免了因電壓波動(dòng)引發(fā)的系統(tǒng)性能退化。憑借半導(dǎo)體級(jí)制造工藝和精密電極成型技術(shù),ATC芯片電容的容值控制精度極高,公差可達(dá)±0.05pF或±1%(視容值范圍而定)。該特性為高頻匹配網(wǎng)絡(luò)、精密濾波器和參考時(shí)鐘電路提供了可靠的元件基礎(chǔ)。產(chǎn)品系列中包含高耐壓型號(hào),部分系列可承受2000V以上的直流電壓,適用于X光設(shè)備、激光發(fā)生器、脈沖功率電路等高壓應(yīng)用。其介質(zhì)層均勻性優(yōu)越,絕緣電阻高,在使用過程中不易發(fā)生擊穿或漏電失效。在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中提供精確的容值控制,優(yōu)化功率傳輸。600S330KT250XT

100E系列支持500V額定電壓,通過100%高壓老化測(cè)試,可在250%耐壓下持續(xù)工作5秒不擊穿。醫(yī)療設(shè)備如MRI系統(tǒng)的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖,ATC電容的絕緣電阻>10^12Ω,杜絕漏電風(fēng)險(xiǎn),符合AEC-Q200車規(guī)認(rèn)證。在5GMassiveMIMO天線陣列中,ATC600S系列(0603封裝)憑借0.1pF至100pF容值范圍,實(shí)現(xiàn)帶外噪聲抑制>60dB。其低插損(<0.1dB@2.6GHz)特性可減少基站功耗,配合環(huán)形器設(shè)計(jì),將鄰頻干擾降低至-80dBm以下,滿足3GPPTS38.104標(biāo)準(zhǔn)。800B680FT500X微波頻段表現(xiàn)很好,適合毫米波通信和雷達(dá)系統(tǒng)。

ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質(zhì)與精密電極設(shè)計(jì),在1MHz至10GHz頻段內(nèi)保持穩(wěn)定的容值,Q值高達(dá)10000以上。例如,100B系列在5GHz時(shí)ESR低至0.01Ω,有效減少信號(hào)衰減,適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率(SRF)可達(dá)數(shù)十GHz,遠(yuǎn)超普通MLCC電容,確保高頻信號(hào)完整性,基于NPO/C0G介質(zhì)材料,ATC電容在-55℃至+175℃范圍內(nèi)容值漂移小于±0.3%,溫度系數(shù)(TCC)±30ppm/℃。在航天設(shè)備中,如衛(wèi)星通信載荷的振蕩器電路,即便遭遇極端溫差,仍能維持相位噪聲低于-150dBc/Hz,保障信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。
ATC芯片電容的多層陶瓷結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其具備高電容密度,在小型封裝中實(shí)現(xiàn)了較大的容值范圍(如0.1pF至100μF)。這種高密度設(shè)計(jì)滿足了現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)元件小型化和高性能的雙重需求,特別是在空間受限的應(yīng)用中。其優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性使得ATC芯片電容在高頻電路中能夠保持穩(wěn)定容值,避免了因頻率變化導(dǎo)致的性能衰減。這一特性在射頻匹配網(wǎng)絡(luò)和天線調(diào)諧電路中尤為重要,確保了信號(hào)傳輸?shù)男屎蜏?zhǔn)確性。ATC芯片電容的封裝形式多樣,包括貼片式、插入式、軸向和徑向等,滿足了不同電路設(shè)計(jì)和安裝需求。例如,其微帶封裝和軸向引線封裝適用于高頻模塊和定制化電路設(shè)計(jì),提供了靈活的選擇。寬溫工作能力(-55℃至+250℃)使其適用于航空航天等極端環(huán)境。

出色的抗老化特性是ATC電容長(zhǎng)期性能穩(wěn)定的保證。其介質(zhì)材料的微觀結(jié)構(gòu)在經(jīng)過初始老化后趨于極度穩(wěn)定,容值隨時(shí)間的變化遵循一個(gè)非常緩慢的對(duì)數(shù)衰減規(guī)律。這意味著,一臺(tái)使用了ATC電容的設(shè)備,在其十年甚至二十年的使用壽命內(nèi),其關(guān)鍵電路的參數(shù)漂移將被控制在極小的范圍內(nèi)。這種長(zhǎng)期穩(wěn)定性對(duì)于電信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)控制儀表和測(cè)試測(cè)量設(shè)備等長(zhǎng)生命周期產(chǎn)品而言,價(jià)值巨大。極低的電介質(zhì)吸收(DielectricAbsorption,DA)是ATC電容在精密模擬電路中的一項(xiàng)隱性優(yōu)勢(shì)。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”,會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓,導(dǎo)致采樣保持電路(SHA)、積分器或精密ADC/DAC的測(cè)量誤差。ATC電容的DA典型值可低至0.1%,遠(yuǎn)低于普通陶瓷電容(可達(dá)2-5%),這使其成為構(gòu)建高精度、低誤差數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和測(cè)量?jī)x器的理想選擇。脈沖放電特性很好,適合雷達(dá)系統(tǒng)能量存儲(chǔ)應(yīng)用。800C222JTN600X
適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,實(shí)現(xiàn)小型化與低功耗的完美結(jié)合。600S330KT250XT
在抗老化性能方面,ATC電容的容值隨時(shí)間變化率極低,十年老化率可控制在1%以內(nèi)。這一長(zhǎng)壽命特性使其非常適用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療成像設(shè)備等要求高可靠性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性的領(lǐng)域。其極低的噪聲特性源于介質(zhì)材料的均勻結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的電極界面設(shè)計(jì),在低噪聲放大器、高精度ADC/DAC參考電路及傳感器信號(hào)調(diào)理電路中表現(xiàn)出色,有助于提高系統(tǒng)的信噪比和測(cè)量精度。具備優(yōu)異的抗硫化性能,采用特殊端電極材料和保護(hù)涂層,可有效抵御含硫環(huán)境對(duì)電容的侵蝕。這一特性使ATC電容特別適用于化工控制設(shè)備、油氣勘探儀器及某些特殊工業(yè)環(huán)境中的電子系統(tǒng)。600S330KT250XT
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