LPCVD的優(yōu)點(diǎn)主要有以下幾個(gè)方面：一是具有較佳的階梯覆蓋能力，可以在復(fù)雜的表面形貌上形成均勻且連續(xù)的薄膜；二是具有很好的組成成分和結(jié)構(gòu)控制，可以通過調(diào)節(jié)反應(yīng)溫度、壓力和氣體流量等參數(shù)來改變薄膜的物理和化學(xué)性質(zhì)；三是具有很高的沉積速率和輸出量，可以實(shí)現(xiàn)大面積和批量生產(chǎn)；四是降低了顆粒污染源，提高了薄膜的質(zhì)量和可靠性LPCVD的缺點(diǎn)主要有以下幾個(gè)方面：一是需要較高的反應(yīng)溫度（通常在500-1000℃之間），這會增加能耗和設(shè)備成本，同時(shí)也會對基片造成熱損傷或熱應(yīng)力；二是需要較長的反應(yīng)時(shí)間（通常在幾十分鐘到幾小時(shí)之間），這會降低生產(chǎn)效率和靈活性；三是需要較復(fù)雜的設(shè)備和工藝控制，以保證反應(yīng)室內(nèi)的溫度、壓力和氣體流量等參數(shù)的均勻性和穩(wěn)定性。鍍膜技術(shù)可用于制造精密儀器部件。溫州真空鍍膜加工

LPCVD的關(guān)鍵硬件主要包括以下幾個(gè)部分：反應(yīng)器：LPCVD反應(yīng)器是用于進(jìn)行LPCVD制程的主要設(shè)備，它由一個(gè)密封的容器和一個(gè)加熱系統(tǒng)組成。根據(jù)反應(yīng)器的形狀和加熱方式的不同，LPCVD反應(yīng)器可以分為水平管式反應(yīng)器、垂直管式反應(yīng)器、單片反應(yīng)器等。水平管式反應(yīng)器是一種常用的LPCVD反應(yīng)器，它由一個(gè)水平放置的石英管和一個(gè)螺旋形的電阻絲加熱系統(tǒng)組成，可以同時(shí)處理多片襯底，具有較高的生產(chǎn)效率和較好的沉積均勻性。垂直管式反應(yīng)器是另一種常用的LPCVD反應(yīng)器，它由一個(gè)垂直放置的石英管和一個(gè)電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)組成，可以實(shí)現(xiàn)更高的沉積溫度和更快的沉積速率，適用于高溫沉積材料。商丘納米涂層真空鍍膜聚酰亞胺PI也可作為層間介質(zhì)應(yīng)用，具有優(yōu)異的電絕緣性、耐輻照性能、機(jī)械性能等特性。

熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧氣，硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅，氧化速率比較慢，氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當(dāng)中通入氧氣和氫氣，兩者反應(yīng)生長水蒸氣，水蒸氣與硅片表面反應(yīng)生長氧化硅，濕法氧化，速率比較快，可以生長比較厚的薄膜。直流（DC）磁控濺射與氣壓的關(guān)系-在一定范圍內(nèi)提高離化率（盡量小的壓強(qiáng)下維持高的離化率）、提高均勻性要增加壓強(qiáng)和保證薄膜純度、提高薄膜附著力要減小壓強(qiáng)的矛盾，產(chǎn)生一個(gè)平衡。提供一個(gè)額外的電子源，而不是從靶陰極獲得電子。實(shí)現(xiàn)低壓濺射（壓強(qiáng)小于0.1帕）。射頻（RF）磁控濺射特點(diǎn)-射頻方法可以被用來產(chǎn)生濺射效應(yīng)的原因是它可以在靶材上產(chǎn)生自偏壓效應(yīng)。在射頻濺射裝置中，擊穿電壓和放電電壓明顯降低。不必再要求靶材一定要是導(dǎo)電體。

LPCVD設(shè)備中的薄膜材料在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。例如：（1）多晶硅薄膜在微電子和太陽能領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用，如作為半導(dǎo)體器件的源漏極或柵極材料，或作為太陽能電池的吸收層或窗口層材料；（2）氮化硅薄膜在光電子和微機(jī)電領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用，如作為光纖或波導(dǎo)的折射率匹配層或包層材料，或作為微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的結(jié)構(gòu)層材料；（3）氧化硅薄膜在集成電路和傳感器領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用，如作為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的柵介質(zhì)層或通道層材料，或作為氣體傳感器或生物傳感器的敏感層或保護(hù)層材料；（4）碳化硅薄膜在高溫、高功率、高頻率領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用，如作為功率器件或微波器件的基底材料或通道材料熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同，她是通過氧氣或水蒸氣擴(kuò)散到硅表面并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。

LPCVD技術(shù)是一種在低壓下進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的技術(shù)，它有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)高質(zhì)量：LPCVD技術(shù)可以在低壓下進(jìn)行高溫沉積，使得氣相前驅(qū)體與襯底表面發(fā)生充分且均勻的化學(xué)反應(yīng)，形成高純度、低缺陷密度、低氫含量、低應(yīng)力等特點(diǎn)的薄膜材料。高均勻性：LPCVD技術(shù)可以在低壓下進(jìn)行大面積沉積，使得氣相前驅(qū)體在襯底表面上有較長的停留時(shí)間和較大的擴(kuò)散距離，形成高均勻性和高一致性的薄膜材料。高精度：LPCVD技術(shù)可以通過調(diào)節(jié)壓力、溫度、氣體流量和時(shí)間等參數(shù)來控制沉積速率和厚度，形成高精度和可重復(fù)性的薄膜材料。高效率：LPCVD技術(shù)可以采用批量裝載和連續(xù)送氣的方式來進(jìn)行沉積。真空鍍膜在太陽能領(lǐng)域有普遍應(yīng)用。遼寧鈦金真空鍍膜

真空鍍膜技術(shù)普遍應(yīng)用于工業(yè)制造。溫州真空鍍膜加工

LPCVD設(shè)備中較少用的是旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備，因?yàn)槠渚哂薪Y(jié)構(gòu)復(fù)雜、操作困難、沉積速率低、產(chǎn)能小等缺點(diǎn)。旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備的主要優(yōu)點(diǎn)是可以通過旋轉(zhuǎn)襯底來改善薄膜的均勻性和厚度分布。旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備和行星式LPCVD設(shè)備可以根據(jù)不同的旋轉(zhuǎn)方式進(jìn)行分類。常見的分類有以下幾種：（1）單軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底只圍繞一個(gè)軸旋轉(zhuǎn)；（2）雙軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底圍繞兩個(gè)軸旋轉(zhuǎn)；（3）多軸旋轉(zhuǎn)式LPCVD設(shè)備，是指襯底圍繞多個(gè)軸旋轉(zhuǎn)。溫州真空鍍膜加工