二氧化硅的濕法刻蝕通常使用HF。因?yàn)?∶1的HF（H2O中49%的HF）在室溫下刻蝕氧化物速度過快，所以很難用1∶1的HF控制氧化物的刻蝕。一般用水或緩沖溶劑如氟化銨（NH4F）進(jìn)一步稀釋HF降低氧化物的刻蝕速率，以便控制刻蝕速率和均勻性。氧化物濕法刻蝕中所使用的溶液通常是6∶1稀釋的HF緩沖溶液，或10∶1和100∶1的比例稀釋后的HF水溶液。的半導(dǎo)體制造中，每天仍進(jìn)行6∶1的緩沖二氧化硅刻蝕（BOE）和100∶1的HF刻蝕。如果監(jiān)測(cè)CVD氧化層的質(zhì)量，可以通過比較CVD二氧化硅的濕法刻蝕速率和熱氧化法生成的二氧化硅濕法刻蝕速率，這就是所謂的濕法刻蝕速率比。熱氧化之前，HF可用于預(yù)先剝除硅晶圓表面上的原生氧化層。泛曝光在圖形反轉(zhuǎn)膠中的應(yīng)用。珠海材料刻蝕平臺(tái)

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時(shí)間，同一個(gè)樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對(duì)于1.5um膠厚±0.3%)。光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要復(fù)制圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會(huì)導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對(duì)于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時(shí)希望1cm量級(jí)。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。根據(jù)性質(zhì)的不一樣，光刻膠可以分為正膠和負(fù)膠。在工藝發(fā)展的早期，負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位，隨著VLSIIC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點(diǎn)是粘結(jié)能力差。Si材料刻蝕版廠家光刻技術(shù)革新正帶領(lǐng)著集成電路產(chǎn)業(yè)的變革。

光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都明顯提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的工藝節(jié)點(diǎn)。為接觸式光刻機(jī)。曝光方式為掩模版與半導(dǎo)體基片之間靠控制真空度實(shí)現(xiàn)緊密接觸，使用光源分別為g線和i線。接觸式光刻機(jī)由于掩模與光刻膠直接接觸，所以易受污染，掩模版和基片容易受到損傷，掩模版壽命短。第二代為接近式光刻機(jī)。曝光方式為掩模版與半導(dǎo)體基片之間有微米級(jí)別的間隙，掩模版不容易受到損傷，掩模版壽命長(zhǎng)，但掩模版與基片之間的間隙也導(dǎo)致成像質(zhì)量受到影響，分辨率下降。

剝離工藝（lift-off）是指在有光刻膠圖形的掩膜上鍍膜后，再去除光刻膠獲得圖案化的金屬的工藝。在剝離工藝中，有幾種關(guān)鍵因素影響得到的金屬形貌。1.光刻膠的厚度。光刻膠厚度需大于金屬厚度，一般光刻膠厚度在金屬厚度的三倍以上膠面上的金屬更易成功剝離。2.光刻膠種類。紫外光刻中，正膠光刻膠一般為“正梯形”，負(fù)膠光刻膠側(cè)壁形貌一般為“倒梯性”。“倒梯形”的光刻膠更容易剝離，故在剝離工藝中常使用負(fù)膠。3.鍍膜工藝。蒸發(fā)鍍膜相比濺射鍍膜在光刻膠側(cè)壁更少鍍上金屬，因此蒸發(fā)鍍膜更易剝離。氧等離子普遍用于光刻膠去除。

電子束曝光指使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術(shù)的延伸應(yīng)用。它的特點(diǎn)是分辨率高、圖形產(chǎn)生與修改容易、制作周期短。它可分為掃描曝光和投影曝光兩大類，其中掃描曝光系統(tǒng)是電子束在工件面上掃描直接產(chǎn)生圖形，分辨率高，生產(chǎn)率低。投影曝光系統(tǒng)實(shí)為電子束圖形復(fù)印系統(tǒng)，它將掩模圖形產(chǎn)生的電子像按原尺寸或縮小后復(fù)印到工件上，因此不僅保持了高分辨率，而且提高了生產(chǎn)率。電子束曝光系統(tǒng)一般包括如下配件：電子束源：熱電子發(fā)射和場(chǎng)發(fā)射、電磁透鏡系統(tǒng)、Stage系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)。通常來說，電子束的束斑大小決定了曝光設(shè)計(jì)線寬，設(shè)計(jì)線寬應(yīng)至少為束斑的3倍以上。由于電子束的束斑大小和束流大小、光闌大小等直接的相關(guān)，而束流大小、步距等又決定了曝光時(shí)間的長(zhǎng)短。因此，工作時(shí)需要綜合考慮決定采用的束流及工作模式。SU-8光刻膠在近紫外光(365nm-400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低。珠海材料刻蝕外協(xié)

通過光刻技術(shù)制作出的微納結(jié)構(gòu)需進(jìn)一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結(jié)構(gòu)或元件。珠海材料刻蝕平臺(tái)

當(dāng)圖形尺寸大于3μm時(shí)，濕法刻蝕廣用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的圖形化過程。濕法刻蝕具有非常好的選擇性和高刻蝕速率，這根據(jù)刻蝕劑的溫度和厚度而定。比如，氫氟酸（HF）刻蝕二氧化硅的速度很快，但如果單獨(dú)使用卻很難刻蝕硅。因此在使用氫氟酸刻蝕硅晶圓上的二氧化硅層時(shí)，硅襯底就能獲得很高的選擇性。相對(duì)于干法刻蝕，濕法刻蝕的設(shè)備便宜很多，因?yàn)樗恍枰婵铡⑸漕l和氣體輸送等系統(tǒng)。然而當(dāng)圖形尺寸縮小到3μm以下時(shí)，由于濕法刻蝕為等向性刻蝕輪廓（見圖2），因此繼續(xù)使用濕法刻蝕作為圖形化刻蝕就變得非常困難，利用濕法刻蝕處理圖形尺寸小于3μm的密集圖形是不可能的。由于等離子體刻蝕具有非等向性刻蝕輪廓，在更精密的圖形化刻蝕中，等離子體刻蝕就逐漸取代了濕法刻蝕。濕法刻蝕因高選擇性被用于剝除晶圓表面的整面全區(qū)薄膜。珠海材料刻蝕平臺(tái)