曝光后烘烤是化學放大膠工藝中很關鍵，也是反應機理很復雜的一道工序。后烘過程中，化學放大膠內存在多種反應機制，情況復雜并相互影響。例如各反應基團的擴散，蒸發將導致抗蝕刑的組成分布梯度變化：基質樹脂中的去保護基團會引起膠膜體積增加但當烘烤溫度達到光刻膠的玻璃化溫度時基質樹脂又并始變得稠密兩者同時又都會影響膠膜中酸的擴散，且影響作用相反。這眾多的反應機制都將影響到曝光圖形，因此烘烤的溫度、時間和曝光與烘烤之間停留的時間間隔都是影響曝光圖形線寬的重要因素。通過光刻技術制作出的微納結構需進一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結構或元件。湖北材料刻蝕公司

現有光刻主要利用的是光刻膠中光敏分子的單光子吸收效應所誘導的光化學反應。光敏分子吸收一個能量大于其比較低躍遷能級的光子，從基態躍遷到激發態，經過電子態之間的轉移生成活性種，誘發光聚合、光分解等化學反應，使光刻膠溶解特性發生改變。光刻分辨率的物理極限與光源波長和光刻物鏡數值孔徑呈線性關系，提高光刻分辨率主要通過縮短光刻光源波長來實現。盡管使用的光刻光源波長從可見光（G線，436nm）縮短到紫外（Ⅰ線，365nm）、深紫外（KrF，248nm；ArF，193nm）甚至極紫外（EUV，13.5nm）波段，由于光學衍射極限的限制，其分辨率極限在半個波長左右。吉林材料刻蝕廠商光刻膠根據其感光樹脂的化學結構也可以分為光交聯性、光聚合型、光分解型和化學放大型。

隨著半導體技術的不斷發展，對光刻圖形精度的要求將越來越高。為了滿足這一需求，光刻技術將不斷突破和創新。例如，通過引入更先進的光源和光學元件、開發更高性能的光刻膠和掩模材料、優化光刻工藝參數等方法，可以進一步提高光刻圖形的精度和穩定性。同時，隨著人工智能和機器學習等技術的不斷發展，未來還可以利用這些技術來優化光刻過程，實現更加智能化的圖形精度控制。光刻過程中圖形的精度控制是半導體制造領域的重要課題。通過優化光刻工藝參數、引入高精度設備與技術、加強環境控制以及實施后處理修正等方法，可以實現對光刻圖形精度的精確控制。

SU-8光刻膠在近紫外光(365nm-400nm)范圍內光吸收度很低，且整個光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩定性;在受到紫外輻射后發生交聯，是一種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結構復雜的圖形;在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。SU-具有分子量低、溶解度好、透明度高、可形成光滑膜層、玻璃化溫度（Tg）低、粘度可降低、單次旋涂可得超厚膜層（650μm）、涂層厚度均勻、高寬比大（10:1）、耐化學性優異、生物相容性好（微流控芯片）的特點。SU-8光刻膠具有許多優異的性能，可以制造數百Lm甚至1000Lm厚、深寬比可達50的MEMS微結構，在一定程度上代替了LIGA技術,而成本降低，成為近年來研究的一個熱點。但眾所周知,SU-8對工藝參數的改變非常敏感，且固化厚的光刻膠難以徹底的消除。這些工藝參數包括襯底類型、基片預處理、前烘溫度和時間、曝光時間、中烘溫度和時間、顯影方式和時間等。光刻技術不斷進化，向著更高集成度和更低功耗邁進。

當圖形尺寸大于3μm時，濕法刻蝕廣用于半導體生產的圖形化過程。濕法刻蝕具有非常好的選擇性和高刻蝕速率，這根據刻蝕劑的溫度和厚度而定。比如，氫氟酸（HF）刻蝕二氧化硅的速度很快，但如果單獨使用卻很難刻蝕硅。因此在使用氫氟酸刻蝕硅晶圓上的二氧化硅層時，硅襯底就能獲得很高的選擇性。相對于干法刻蝕，濕法刻蝕的設備便宜很多，因為它不需要真空、射頻和氣體輸送等系統。然而當圖形尺寸縮小到3μm以下時，由于濕法刻蝕為等向性刻蝕輪廓（見圖2），因此繼續使用濕法刻蝕作為圖形化刻蝕就變得非常困難，利用濕法刻蝕處理圖形尺寸小于3μm的密集圖形是不可能的。由于等離子體刻蝕具有非等向性刻蝕輪廓，在更精密的圖形化刻蝕中，等離子體刻蝕就逐漸取代了濕法刻蝕。濕法刻蝕因高選擇性被用于剝除晶圓表面的整面全區薄膜。對于透明基片的雙面光刻加工，其準標記可靈活設計。吉林材料刻蝕廠商

濕法刻蝕具有非常好的選擇性和高刻蝕速率。湖北材料刻蝕公司

目前，國內光刻膠原材料市場基本被國外廠商壟斷，尤其是樹脂和感光劑高度依賴于進口，國產化率很低，由此增加了國內光刻膠生產成本以及供應鏈風險。國內企業基于危機意識在上游原材料領域已展開相關布局。從上市公司在光刻膠原材料的布局情況來看，溶劑方面有百川股份、怡達股份等，單體有華懋科技（投資徐州博康）、聯瑞新材等，樹脂有彤程新材、圣泉集團、強力新材等，光引發劑有強力新材等。在這之中，徐州博康作為光刻膠全產業鏈選手，在國內光刻膠這條賽道上，已經實現了從單體到樹脂、光酸、配套溶劑到光刻膠產品的全產業鏈生產能力。湖北材料刻蝕公司