真空鍍膜的方法：分子束外延：分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴格的監控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優點在于能生長極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結構器件,從而為制作集成光學和超大規模集成電路提供了有力手段。利用反應分子束外延法制備TiO2薄膜時,不需要考慮中間的化學反應,又不受質量傳輸的影響,并且利用開閉擋板(快門)來實現對生長和中斷的瞬時控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優點。真空鍍膜技術首先用于生產光學鏡片。淮南PVD真空鍍膜

電子束蒸發是基于鎢絲的蒸發。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲（位于沉積區域外以避免污染）并將其加熱到發生電子熱離子發射的點。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發材料（放置在坩堝中）。在電子束撞擊蒸發丸表面的過程中，其動能轉化為熱量，釋放出高能量（每平方英寸數百萬瓦以上）。因此，容納蒸發材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發設備結構簡單，成本低廉，而且可以蒸發高熔點材料，在蒸鍍合金時可以實現快速蒸發，避免合金的分餾，其鍍膜質量也可以達到較高水平，可以廣泛應用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學材料表面鍍膜，是一種可易于實現大批量生產的成熟鍍膜技術。合肥真空鍍膜儀真空鍍膜是在真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。

真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結形成固體薄膜的技術。根據蒸發源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發源、電子束蒸發源、高頻感應蒸發源及激光束蒸發源蒸鍍法。電阻蒸發源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化、蒸發或升華。這種方式結構簡單,造價低廉,使用相當普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負載TiO2織物,紫外線透過率都比未負載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時,膜層較均勻,當在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學、耐磨、耐蝕性能良好。

磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在基板上形成薄膜。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜在真空條件下制備薄膜，環境清潔，薄膜不易受到污染。

真空鍍膜的方法：濺射鍍膜：濺射鍍膜是指在真空室中,利用荷能粒子轟擊靶表面,使靶材的原子或分子從表面發射出來,進而在基片上沉積的技術。在濺射鍍鈦的實驗中,電子、離子或中性粒子均可作為轟擊靶的荷能粒子,而由于離子在電場下易于加速并獲得較大動能,所以一般是用Ar+作為轟擊粒子。與傳統的蒸發鍍膜相比,濺射鍍膜可以在低溫、低損傷的條件下實現高速沉積、附著力較強、制取高熔點物質的薄膜,在大面積連續基板上可以制取均勻的膜層。濺射鍍膜被稱為可以在任何基板上沉積任何材料的薄膜技術,因此應用十分普遍。真空鍍膜的操作規程：酸洗夾具應在通風裝置內進行，并要戴橡皮手套。宜賓來料真空鍍膜

真空鍍膜有離子鍍形式。淮南PVD真空鍍膜

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學氣相沉積，等離子體是物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞會導致氣體分子產生電離，物質就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。使用等離子體增強氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜，已被廣泛應用于半導體器件工藝當中。在LED工藝當中，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結構致密，介電強度高、硬度大等優點，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。淮南PVD真空鍍膜