在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導電陽極與一池作為陰極的液態汞之間會形成電弧，電壓單位可達數百千瓦，這對高壓直流輸電的發展起到了促進作用。一些小型的熱離子整流器有時候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強真空器件的電流額定值。因此近年來，在音響發燒友和錄音棚所用的音頻設備中，應用真空二極管的老式音頻設備有回潮的跡象，如家用音響系統甚至是吉他效果器。PIN二極管作為一種特種微波半導體元件，普遍應用于微波和射頻電路的設計中，具有許多優良的特點，例如：開關速度快、可控功率大、損耗低、反向擊穿電壓高等。另外，PIN二極管無論被正向或者反向偏置均可得到類似于短路與開路。因而，PIN二極管已經成為各種電子設備中的重要組成部分。在數字電路中，二極管可用作邏輯門電路的組成部分，實現邏輯運算。江門有機發光二極管供應商

二極管串聯的情況。顯然在理想條件下,有幾只管子串聯,每只管子承受的反向電壓就應等于總電壓的幾分之一。但因為每只二極管的反向電阻不盡相同,會造成電壓分配不均:內阻大的二極管,有可能由于電壓過高而被擊穿,并由此引起連鎖反應,逐個把二極管擊穿。在二極管上并聯的電阻R,可以使電壓分配均勻。均壓電阻要取阻值比二極管反向電阻值小的電阻器,各個電阻器的阻值要相等。ESD二極管和TVS二極管都是電路保護器件，工作原理是一樣的，但功率和封裝是不一樣的，ESD二極管主要是用來防靜電，防靜電就要求電容值低，一般是1-3.5PF之間為較好；而TVS二極管就做不到這一點，TVS二極管的電容值比較高。靜電放電二極管常用的是3個引腳的，ESD二極管的正負接在電源引腳，公共端接在被保護引腳上起到釋放靜電的作用。佛山半導體二極管定制硅二極管和砷化鎵二極管是常見類型。

快恢復二極管英文名稱為Fast Recovery Diodes，簡稱FRD，是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。快恢復二極管的外形和普通二極管相同，原理圖和PCB庫的參照整流二極管。

二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生較早的半導體器件之一，其應用也非常普遍。二極管的管壓降：硅二極管（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發光二極管正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發光二極管的壓降為2.0--2.2V，黃色發光二極管的壓降為1.8—2.0V，綠色發光二極管的壓降為3.0—3.2V，正常發光時的額定電流約為20mA。逆向擊穿時應避免超過較大額定反向電壓，以免損壞器件。

二極管的反向性，外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。擊穿，外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管的反向電壓應小于其擊穿電壓，以防止擊穿現象的發生。珠海面接觸型二極管廠商

二極管有正負兩個端子，包括正向導通和反向截止兩種狀態。江門有機發光二極管供應商

接面電壓，當二極管的P-N結處于正向偏置時，必須有相當的電壓被用來貫通耗盡區，導致形成一反向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，硅二極管的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極管的障壁電壓約0.3～0.4V。種類：依照材料及發展年代分類：二極真空管；鍺二極管；硒二極管；硅二極管；砷化鎵二極管。依照應用及特性分類：PN結二極管（PN Diode），施加正向偏置，利用半導體中PN接合的整流性質，是較基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯保護其他元件用。細節請參照PN結的條目。江門有機發光二極管供應商