在操作中，一個單獨的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲（加熱器），將陰極加熱到紅熱狀態（800-1000℃）后可導致它釋放電子到真空。這一過程即熱發射。陰極通常涂有堿土金屬氧化物，如鋇或鍶的氧化物。因為它們具有較低的功函數，可使發射的電子數量增加。有些真空管則直接加熱鎢絲，鎢絲則既作為加熱器也是陰極本身。交流電會在負極及與其同心的陽極板之間整流，當板子帶正電時，靜電會從負極處吸引電子。所以電子即從陰極連通到陽極成為了電流。然而當極性反轉陽極板帶有負電時，陽極板不會發射電子，而陰極也并不會吸引電子，因而沒有電流會產生。如此則保證了電流的單向流通，即從陰極流向陽極板。二極管的原理是基于PN結的特性，其中P區富含正電荷，N區富含負電荷。珠海鍵型二極管現貨直發

二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。江門點接觸型二極管參考價二極管有正向閾值電壓，低于此電壓時為截止狀態。

二極管的伏安特性曲線，半導體二極管較重要的特性是單向導電性。即當外加正向電壓時，它呈現的電阻（正向電阻）比較小，通過的電流比較大，當外加反向電壓時，它呈現的電阻（反向電阻）很大，通過的電流很小（通常可以忽略不計）。反映二極管的電流隨電壓變化的關系曲線，叫做二極管的伏安特性。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。

交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發二極管，當施加超過規定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜分類中。非線性電阻器，若超過一定電壓，電阻就會降低。是保護電路受到突波電壓傷害的雙向元件。通常由二氧化鋅的燒結體顆粒制成，當作非線性電阻使用。雖然一般認為它的作用應是由內部眾多金屬氧化物顆粒間的肖特基接面二極管效應而產生，但對外并不呈現二極管的特性，因此平常并不列在二極管分類之中。在選擇二極管時，應根據實際需求和工作環境進行綜合考慮。

二極管特性及參數：1、二極管伏安特性，導通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導通（0.5 V 以上時才導通）。2、主要參數：較大整流電流 I_FIF： 表示長期運行允許的較大正向平均電流，超出可能因結溫過高燒壞。較高反向工作電壓 U_RUR：允許施加的較大反向電壓，超出可能擊穿。（U_RUR 通常為擊穿電壓的一半）。反向電流 I_RIR： 未擊穿時的反向電流，越小導電性越好。較高工作頻率 f_MfM： 上線截止頻率。因結電容作用，超出可能不能很好體現的單向導電性。二極管是一種電子器件，具有正向導、反向截止的特性。江門點接觸型二極管參考價

在數字電路中，二極管可用作邏輯門電路的組成部分，實現邏輯運算。珠海鍵型二極管現貨直發

對單顆LED 的驅動，此電路通過單片機I/O 口直接驅動LED。當I/O 口輸出高電平時，LED 兩端等電位，無電流，LED 熄滅；當I/O 口輸出低電平時，電流從電源經R1、LED1、I/O 口流進單片機，LED 亮。LED 的亮度與流經它的電流大小成正比，而電流大小由R1 阻值決定。此驅動方式可稱為灌電流驅動。此電路通過單片機I/O 口直接驅動LED。當I/O 口輸出低電平時，LED 兩端等電位，無電流，LED 熄滅；當I/O 口輸出高電平時，電流從單片機I/O 經R2、LED2 流到地，LED 亮。LED 的亮度與流經它的電流大小成正比，而電流大小由R2 阻值決定。此驅動方式可稱為拉電流驅動。珠海鍵型二極管現貨直發