頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱為Frequency doubled diode，對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間TRR短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間明顯的短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因TT（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。二極管的工作原理基于PN結的特性，當正向偏置時導通，反向偏置時截止。東莞硅管二極管價格

阻尼二極管，阻尼二極管英文名稱為Damping diode，它具有較高的反向工作電壓和峰值電流，較小的正向壓降，高頻高壓整流二極管，可用作電視線路掃描電路中的阻尼和升壓整流器。阻尼二極管主要用于黑白或彩電線路掃描電路的阻尼、整流電路，可以是硅二極管或鍺二極管。它具有類似于高頻高壓整流二極管的特性。它的反向恢復時間很短，能夠承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。它可以工作在高頻(線路頻率)，并具有較低的正向壓降。肇慶光電二極管廠家精選二極管能夠實現信號放大、信號檢測和波形整形等功能。

二極管概述，二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。晶體二極管的主要是PN結，關于PN結首先要了解三個概念。本征半導體：指不含任何摻雜元素的半導體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半導體：摻雜了產生空穴的含較低電價雜質的半導體，如在本征半導體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導體。N型半導體：摻雜了產生空穴的含較低電價雜質的半導體，如在本征半導體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導體。由P型半導體和N型半導體相接觸時，就產生一個獨特的PN結界面，在界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。

變容二極管：變容二極管英文名稱為Varactor Diodes，又稱可變電抗二極管，是利用PN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大，變容二極管的電容量一般較小，其較大值為幾十pF到幾百pF，較大電容與較小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧回路中作可變電容。變容二極管的外形與普通二極管相同，原理圖的封裝在K極會有兩根豎線的標記。使用二極管時應注意極性正確，避免反向擊穿和熱失效現象。

工作原理：晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。二極管還具有穩壓作用，可以穩定電路中的電壓波動。肇慶阻尼二極管檢查方法

反向偏置時，PN結的耗盡區增大，導致電流截止。東莞硅管二極管價格

早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態，這也是常態下的二極管特性。早期的二極管包含“貓須晶體（“Cat‘s Whisker” Crystals）”以及真空管（英國稱為“熱游離閥（Thermionic Valves）”）。現今較普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。東莞硅管二極管價格