光電二極管在電路中一般處于反向工作狀態，在沒有光照時，反向電阻很大，反向電流被稱為暗電流，此時暗電流小，相當于斷路；當光照射在PN結上時，光子打在PN附近，使PN結附近產生光生電子和光生空穴對，他們在PN結處的內電場作用下做定向運動，形成光電流，光的照射強度越大，光電流就越大。因此，光電二極管在不受光照射時處于截止狀態，在受光照射時處于導通狀態，在電路中經常做為一個開關器件使用。如果正接了，那就和普通二極管功能一樣了。二極管可用于整流、信號檢測、保護電路等方面。東莞有機發光二極管生產廠家

接面電壓，當二極管的P-N結處于正向偏置時，必須有相當的電壓被用來貫通耗盡區，導致形成一反向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，硅二極管的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極管的障壁電壓約0.3～0.4V。種類：依照材料及發展年代分類：二極真空管；鍺二極管；硒二極管；硅二極管；砷化鎵二極管。依照應用及特性分類：PN結二極管（PN Diode），施加正向偏置，利用半導體中PN接合的整流性質，是較基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯保護其他元件用。細節請參照PN結的條目。東莞開關二極管參數二極管于PN結的半導體材構成，通過控制電場分布實現流的單向導通。

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區域被注入空穴，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節請參閱“PN結”條目。實際的元件雖然處于反向偏置狀態，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。當反向偏置持續增加時，還會發生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為 擊穿區 （ 崩潰區 ）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。

晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。4、擴散型二極管，在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用于大電流整流。較近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。部分二極管還具有光電轉換功能，用于光電器件和光通信。

二極管是否損壞如何判斷：（1）極性的判別，將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。溫度對二極管的性能有較大的影響，溫度升高時，反向電流將呈指數規律增加，如硅二極管溫度每增加8℃，反向電流將約增加一倍；鍺二極管溫度每增加12℃，反向電流大約增加一倍。另外，溫度升高時，二極管的正向壓降將減小，每增加1℃，正向壓降VD大約減小2 mV，即具有負的溫度系數。硅二極管和鍺二極管的工作溫度范圍和耐壓能力不同，需要根據具體要求選擇。東莞開關二極管參數

二極管的反向漏電流較小，有助于提高電路的穩定性。東莞有機發光二極管生產廠家

20世紀初，由于無線電接收器探測器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態二極管（半導體二極管）大約在相同的時間分別研發。直到20世紀50年代之前，真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管（貓須探測器）并不穩定，并且那時大多數的收音機放大器都是由真空管制成，二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管（如硒整流器）之上。東莞有機發光二極管生產廠家