在1884年，愛迪生被授予了此項發明的專業技術。由于當時這種裝置實際上并不能看出實用價值，這項專業技術更多地是為了防止別人聲稱較早發現了這一所謂“愛迪生效應”。20年后，約翰·弗萊明（愛迪生前雇員）發現了這一效應的實用價值，它可以用來制作精確檢波器。1904年11月16日，頭一個真正的熱離子二極管——弗萊明管，由弗萊明在英國申請了專業技術。1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩發現了晶體的“單向傳導”的能力 ，并在1899年將晶體整流器申請了專業技術 [9] 。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應用而發明的。二極管的優勢在于簡單、廉價、可靠、快速，適用于各種電子電路中。肇慶快恢復二極管尺寸

發光二極管，施加正向偏置，可以發光的二極管。由發光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當LED產生的光是帶寬極窄的同調光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結，P區空穴、N區電子大量發生，產生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管，由日本人江崎玲于奈于1957年發明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現在一定偏置范圍內正向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現象。這是較能耐受核輻射的半導體二極管。肇慶光敏二極管加工二極管在電子設備中常用于信號調節，如調整音頻或視頻信號的幅度。

二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。

二極管是否損壞如何判斷：（1）極性的判別，將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。溫度對二極管的性能有較大的影響，溫度升高時，反向電流將呈指數規律增加，如硅二極管溫度每增加8℃，反向電流將約增加一倍；鍺二極管溫度每增加12℃，反向電流大約增加一倍。另外，溫度升高時，二極管的正向壓降將減小，每增加1℃，正向壓降VD大約減小2 mV，即具有負的溫度系數。二極管在電子領域的應用極為普遍，是現代電子技術中不可或缺的關鍵器件之一。

二極管（Diode）具有單向導電性，即只允許電流沿著一個方向流動，而阻擋反向電流流動。二極管是電子電路中較基本的元件之一，普遍應用于各種電子設備中。單向導通性的實驗說明：當輸入電源電壓Vi比穩壓二極管的穩定電壓VZ低時，穩壓二極管沒有擊穿而處于反向截止區，此時電路回路中只有比較小的反向漏電電流IR（reverse leakage current），這種工作狀態不是穩壓二極管的正常工作狀態，因為輸出電壓Vo是隨輸入電壓Vi變化的，沒有達到輸出穩定電壓的目的，如下圖所示：當輸入電源電壓Vi比穩壓二極管穩定電壓ZT高時，穩壓二極管被反向電壓擊穿，此時回路電流急劇增加。二極管在電子行業中普遍應用，是現代電子設備不可或缺的組成部分。肇慶led發光二極管制造商

二極管的價格相對較低，使得二極管在電子制造中普遍應用。肇慶快恢復二極管尺寸

穩壓二極管，穩壓二極管英文名稱為Zener diode，又叫齊納二極管。利用PN結反向擊穿狀態，其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象，制成的起穩壓作用的二極管。穩壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。在電源電路中經常用到穩壓二極管，它與普通二極管在電路中的連接方法不同，負極接電路的高電勢，正極接地或低電勢點。穩壓二極管的種類很多，THT和SMT形式的封裝都有，常用到的型號是1N4728、1N4729等,它的原理圖和PCB庫如下圖所示。肇慶快恢復二極管尺寸