什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型back gate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。場效應管的使用壽命與工作溫度、電壓應力等因素有關。上海強抗輻場效應管廠家直銷

場效應管的作用：1、場效應管可應用于放大，由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應管可以用作可變電阻。4、場效應管可以方便地用作恒流源。5、場效應管可以用作電子開關。場效應管的分類：場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。上海多晶硅金場效應管規格場效應管的響應速度快，可以實現高頻率的信號處理。

場效應管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統的雙極型晶體管（BJT）相比，FET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結型場效應管（JFET）：基于PN結形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET。絕緣柵型場效應管（MOS管）：分為增強型MOS管和耗盡型MOS管，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時，耗盡型MOS管已經形成了導電溝道，即使沒有外加電壓，也會有漏極電流（ID）。這是因為在制造過程中，通過摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導體表面感應出負電荷，形成導電溝道。增強型MOS管：在VGS為零時是關閉狀態，不導電。只有當施加適當的正向柵極電壓時，才會在半導體表面感應出足夠的多數載流子，形成導電溝道。

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名，場效應管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發明，但是實用的器件一直到1952年才被制造出來（結型場效應管），1960年Dawan Kahng發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管，從而大部分代替了JFET，對電子行業的發展有著深遠的意義。場效應管是一種半導體器件，通過外部電場調節電導。

單極型場效應管以其簡單而獨特的結構區別于雙極型晶體管，它依靠一種載流子（電子或空穴）來導電。這種結構使得它的輸入電阻極高，幾乎沒有柵極電流，就像一個幾乎不消耗能量的信號接收站。在高阻抗信號放大與處理領域，它大顯身手。在傳感器信號調理電路中，以光電傳感器為例，當光線照射到光電傳感器上時，會產生極其微弱的電流信號。單極型場效應管憑借其高輸入阻抗的特性，能夠將這微弱的信號高效放大，且不會因為自身的輸入特性對原始信號造成絲毫干擾。在工業檢測中，可精細檢測設備的運行狀態；在環境監測里，能準確感知空氣質量、溫濕度等變化。其出色的表現保證了傳感器檢測精度，廣泛應用于對信號準確性要求極高的各種場景，為工業生產和環境保護提供可靠的數據支持。場效應管在電子設備中扮演著關鍵角色。上海多晶硅金場效應管規格

場效應管利用輸入電場控制輸出電流，因此具有高輸入電阻和低輸出阻礙的特點。上海強抗輻場效應管廠家直銷

這些電極的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連，根據類型不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結構，比如級聯傳輸電路和串疊式電路。上海強抗輻場效應管廠家直銷