二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。二極管是一種電子器件，具有單向導電性，可用于整流、開關和信號調節等應用。廣州點接觸型二極管生產廠家

在操作中，一個單獨的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲（加熱器），將陰極加熱到紅熱狀態（800-1000℃）后可導致它釋放電子到真空。這一過程即熱發射。陰極通常涂有堿土金屬氧化物，如鋇或鍶的氧化物。因為它們具有較低的功函數，可使發射的電子數量增加。有些真空管則直接加熱鎢絲，鎢絲則既作為加熱器也是陰極本身。交流電會在負極及與其同心的陽極板之間整流，當板子帶正電時，靜電會從負極處吸引電子。所以電子即從陰極連通到陽極成為了電流。然而當極性反轉陽極板帶有負電時，陽極板不會發射電子，而陰極也并不會吸引電子，因而沒有電流會產生。如此則保證了電流的單向流通，即從陰極流向陽極板。中山光敏二極管批發二極管在逆向電壓下要避免擊穿，以防損壞器件。

在二極管被發現和使用的過程中，出現了兩大類二極管，他們分別是：真空管二極管和半導體二極管，真空二極管的發明專業技術是我們熟悉的科學家愛迪生申請的，他發現單向導電的這個過程也是一個偶然發現，當時他主要在做關于燈泡燈絲延長壽命的實驗。說到愛迪生大家應該都很清楚了，他在1879年的時候發明了電燈泡，這是一個偉大的發明，但是愛迪生也有一個小小的煩惱，就是使用一段時間之后燈泡就會很容易壞掉。這是什么緣故呢？原來是燈絲的材料不耐高溫所引起的，為了解決這個問題，艾迪森和他的團隊，想了很多辦法，但是一直都沒有解決。

下面對二極管伏安特性曲線加以說明：正向特性，二極管兩端加正向電壓時，就產生正向電流，當正向電壓較小時，正向電流極小（幾乎為零），這一部分稱為死區，相應的A（A′）點的電壓稱為死區電壓或門檻電壓（也稱閾值電壓），硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（OA′）段。當正向電壓超過門檻電壓時，正向電流就會急劇地增大，二極管呈現很小電阻而處于導通狀態。這時硅管的正向導通壓降約為0.6~0.7V，鍺管約為0.2~0.3V，如圖中AB（A′B′）段。二極管正向導通時，要特別注意它的正向電流不能超過較大值，否則將燒壞PN結。溫度對二極管的特性有影響，需考慮溫漂移。

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入空穴。這樣一來，讓多數載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來看，電子從陰極流向陽極（電流則是由陽極流向陰極）。在這個區域，電流隨著偏置的增加也急遽地增加。伴隨著電子與空穴的再結合，兩者所帶有的能量轉變為熱（和光）的形式被放出。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓，特定正向電流下二極管兩端的電壓稱為正向壓降。二極管的優勢在于其體積小、重量輕、功耗低，適用于各種電子設備中。中山光敏二極管批發

二極管的優勢在于簡單、廉價、可靠、快速，適用于各種電子電路中。廣州點接觸型二極管生產廠家

反向偏置（Reverse Bias），在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為反向偏置。這種情況下，因為N型區域被注入空穴，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的耗盡層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。更多的細節請參閱“PN結”條目。實際的元件雖然處于反向偏置狀態，也會有微小的反向電流（漏電流、漂移電流）通過。當反向偏置持續增加時，還會發生 隧道擊穿 或 雪崩擊穿 或 崩潰 ，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為 擊穿電壓 。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為 擊穿區 （ 崩潰區 ）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。廣州點接觸型二極管生產廠家